[導(dǎo)讀]海力士緊跟三星電子之后,將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級制程。海力士29日宣布,已開發(fā)出2款計算機(jī)用DRAM產(chǎn)品,將首度采用30納米級制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示,計劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品,2011年第1季
海力士緊跟三星電子之后,將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級制程。海力士29日宣布,已開發(fā)出2款計算機(jī)用DRAM產(chǎn)品,將首度采用30納米級制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示,計劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品,2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。
三星于2010年7月率先采用35納米制程量產(chǎn)計算機(jī)用2Gb DRAM產(chǎn)品,且近來已完成4Gb產(chǎn)品開發(fā)作業(yè),并著手準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。30納米級的半導(dǎo)體電路線幅約為人類頭發(fā)粗細(xì)的4,000分之1,將電路線幅縮減至納米大小,連帶可縮減半導(dǎo)體產(chǎn)品體積,使用單一晶圓(wafer)能生產(chǎn)的半導(dǎo)體數(shù)量也較多。
相較于40納米制程,30納米制程使用單一晶圓可生產(chǎn)的半導(dǎo)體數(shù)量增加60~70%。不僅提升生產(chǎn)性,也有利于提升成本競爭力。海力士采用38納米制程制造DRAM時,較目前采用的44納米制程產(chǎn)量提升約70%。
海力士表示,采用38納米制程生產(chǎn)的產(chǎn)品資料處理速度最高可提升至2,133Mbps,較44納米制程產(chǎn)品資料傳輸速度提升約60%。此外更減少44納米制程產(chǎn)品約50%的耗電量。
海力士副社長樸星昱表示,目前2Gb DRAM產(chǎn)品占整體貨量50%,未來將擴(kuò)大高容量、高性能、低耗電產(chǎn)品比重,期望能引領(lǐng)4Gb等高容量產(chǎn)品市場。
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