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[導(dǎo)讀]8月20日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域業(yè)務(wù)廣泛的三星電子,在終端產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件方面都實(shí)力強(qiáng)勁,他們也是當(dāng)前全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商,在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的份額都遠(yuǎn)高于其他廠商。

8月20日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域業(yè)務(wù)廣泛的三星電子,在終端產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件方面都實(shí)力強(qiáng)勁,他們也是當(dāng)前全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商,在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的份額都遠(yuǎn)高于其他廠商。

而從韓國(guó)媒體最新的報(bào)道來(lái)看,三星電子在30年前,也就是1992年,就成為了全球最大的DRAM廠商,并在次年成為了最大的存儲(chǔ)芯片制造商。

韓國(guó)媒體是在報(bào)道三星電子位于京畿道器興的新半導(dǎo)體研發(fā)園區(qū)動(dòng)工時(shí),提及三星電子在1992年成為最大的DRAM制造商、次年成為最大存儲(chǔ)芯片制造商的。

韓國(guó)媒體在報(bào)道中表示,器興對(duì)三星電子存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)意義非凡,他們?cè)谄髋d研發(fā)出了全球首款64Mb DRAM,這一產(chǎn)品使得三星電子隨后成為最大的DRAM制造商和存儲(chǔ)芯片廠商。

三星電子位于器興的新半導(dǎo)體研發(fā)園區(qū),是在周五正式動(dòng)工的,三星集團(tuán)實(shí)際控制人、三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕及其他多位高管,出席了動(dòng)工儀式,新的研發(fā)園區(qū)占地10.9萬(wàn)平方米,計(jì)劃2025年開(kāi)始投入運(yùn)營(yíng),2028年全部建成,到全部建成時(shí)將投資20萬(wàn)億韓元,也就是約150億美元。

隨著新研發(fā)園區(qū)的動(dòng)工,器興園區(qū)在三星電子的存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)中,將繼續(xù)占有重要地位,并為三星存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)的發(fā)展發(fā)揮關(guān)鍵的作用。

2016年7月7日,在韓國(guó)首爾三星電子公司總部,人們從三星的標(biāo)志旁走過(guò)。新華社/法新

三星電子說(shuō),該研發(fā)中心將引領(lǐng)存儲(chǔ)和系統(tǒng)芯片的高端研發(fā),以及基于長(zhǎng)期路線圖的新技術(shù)研發(fā),企業(yè)“正尋求克服半導(dǎo)體微縮的極限”。

除新建研發(fā)中心以外,三星電子在人才引進(jìn)方面也取得進(jìn)展。據(jù)“韓國(guó)商業(yè)”網(wǎng)站不久前報(bào)道,在美國(guó)蘋(píng)果公司供職9年的芯片專(zhuān)家金宇平(音譯)已經(jīng)轉(zhuǎn)投三星電子。金宇平曾在美國(guó)得州儀器公司和高通公司工作。加盟三星電子后,他將在一個(gè)新成立的封裝解決方案中心擔(dān)任總監(jiān)。

三星電子6月30日宣布開(kāi)始量產(chǎn)3納米芯片。這家企業(yè)曾于5月份表示,今后5年將在半導(dǎo)體和生物技術(shù)領(lǐng)域投資450萬(wàn)億韓元(約合2.3萬(wàn)億元人民幣)。這一投資規(guī)模比過(guò)去5年增加120萬(wàn)億韓元(約合6150億元人民幣),增幅達(dá)36%。

根據(jù) IC Insights 的數(shù)據(jù),三星電子、SK 海力士和美光科技在 2021 年合計(jì)占據(jù)了全球 DRAM 市場(chǎng) 94% 的份額,其中三星和 SK 海力士共同占據(jù)了 71.3% 的市場(chǎng)份額。

IC Insights 表示,三星去年仍然是全球最大的 DRAM 供應(yīng)商,銷(xiāo)售額達(dá)到近 419 億美元,占全球市場(chǎng)份額的 44%。

在 2020 年 3 月成為第一個(gè)使用極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)的公司后,三星于 2021 年 10 月開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)基于 EUV 的 14nm DRAM。在此過(guò)程中,它在其最先進(jìn)的 14nm 上將 EUV 層數(shù)從兩層增加到了五層IC Insights 指出,DDR5 DRAM 工藝。三星還推出了其首款支持新 Compute Express Link (CXL) 互連標(biāo)準(zhǔn)的 DRAM 內(nèi)存模塊,并推出了專(zhuān)為自動(dòng)駕駛電動(dòng)汽車(chē)和高性能信息娛樂(lè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的 2GB GDDR6 和 2GB DDR4 汽車(chē) DRAM。

IC Insights 表示,排名第二的 SK 海力士 DRAM 銷(xiāo)售額在 2021 年增長(zhǎng) 39% 至 266 億美元,市場(chǎng)份額為 28%。該公司開(kāi)始使用 EUV 光刻技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)基于其第四代 10nm 級(jí)工藝(稱(chēng)為 1-alpha (1a nm) 工藝)的 8Gb LPDDR4 DRAM。

IC Insights 表示,美光是 2021 年第三大 DRAM 供應(yīng)商,銷(xiāo)售額為 219 億美元。美光的 DRAM 銷(xiāo)售額猛增 41%,占全球市場(chǎng)份額的 23%。美光推出了其 1a nm 內(nèi)存節(jié)點(diǎn),該節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)部分是為了支持?jǐn)?shù)據(jù)中心向 DDR5 DRAM 的過(guò)渡,由預(yù)計(jì)將于 2022 年晚些時(shí)候開(kāi)始加速并在 2023 年獲得發(fā)展勢(shì)頭的新 CPU 平臺(tái)驅(qū)動(dòng)。美光的 1a nm DRAM 也是應(yīng)用于低功耗通信應(yīng)用,包括 5G 智能手機(jī)。

美光的 1a nm DRAM 使用不需要 EUV 光刻的技術(shù)。然而,該公司已經(jīng)訂購(gòu)了 EUV 設(shè)備,并計(jì)劃從 2024 年開(kāi)始使用其 1-gamma (1g) nm 節(jié)點(diǎn)過(guò)渡到 EUV 技術(shù)來(lái)制造其 DRAM。

歷經(jīng)日本和韓國(guó)的DRAM演義,美光公司仍然在血雨腥風(fēng)的DRAM江湖存活下來(lái)。時(shí)至今日,就是美光公司成為了DRAM廠商的探花,也是美國(guó)DRAM廠商“獨(dú)苗”。2021年,美光公司銷(xiāo)售額達(dá)300億美元,其中DRAM銷(xiāo)售額達(dá)219億美元,占總銷(xiāo)售額比例約為73%,其DRAM量產(chǎn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)進(jìn)入1x nm,采用193nm水浸沒(méi)式光刻技術(shù),產(chǎn)品主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、低功耗通信等場(chǎng)景。

三巨頭中,美光公司是最晚宣布在DRAM生產(chǎn)中引入EUV光刻的廠商。一方面,美光公司在招聘EUV光刻機(jī)工藝開(kāi)發(fā)工程師,準(zhǔn)備導(dǎo)入EUV光刻。另一方面,美光公司也在中國(guó)臺(tái)灣省和日本擴(kuò)充現(xiàn)有產(chǎn)能。

2013年,美光公司收購(gòu)了日本爾必達(dá)公司后,獲取了原爾必達(dá)公司在日本廣島的DRAM工廠。

2021年,美光公司宣布斥資70億美元在日本廣島現(xiàn)有工廠附近新建DRAM生產(chǎn)線,預(yù)計(jì)在2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),主要生產(chǎn)應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的DRAM芯片。據(jù)報(bào)道,日本政府可能會(huì)提供一部份資金補(bǔ)貼。

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