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美光臺(tái)灣工廠今年導(dǎo)入先進(jìn)制程
臺(tái)灣是全球第三大存儲(chǔ)器廠商美光科技(Micron)重要的DRAM生產(chǎn)基地，該公司持續(xù)于臺(tái)中廠與桃園廠投資先進(jìn)制程，同時(shí)增聘人員。該公司從去年初至今年底，預(yù)計(jì)臺(tái)灣員工數(shù)將增加1,700人，成長(zhǎng)幅度約三成。
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矽品砸8.66億元新臺(tái)幣在福建建新廠
臺(tái)灣封測(cè)大廠矽品積極布局大陸福建，已砸下新臺(tái)幣8.66億元，著手廠房新建工程。
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中國(guó)崛起！中國(guó)首個(gè)自主研發(fā)的 DRAM 芯片有望于2018年底在合肥誕生
在近日于合肥舉辦的“國(guó)家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”中，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國(guó)介紹了合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)器項(xiàng)目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成，并開始設(shè)備安裝;2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4;2019 年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬(wàn)片/月;2020 年開始規(guī)劃二廠建設(shè);2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。王寧國(guó)表示，希望 2018 年底第一個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。
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韓國(guó)央行表示半導(dǎo)體需求依舊熱絡(luò)，廠商應(yīng)重非存儲(chǔ)器市場(chǎng)
有史以來(lái)維持最大成長(zhǎng)周期的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，未來(lái)會(huì)再繼續(xù)成長(zhǎng)嗎?這答案恐怕是肯定的。因?yàn)?，近日韓國(guó)央行在 8 日所發(fā)出的報(bào)告指稱，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)勁需求趨勢(shì)仍會(huì)持續(xù)一年，并且呼吁韓國(guó)本土的半導(dǎo)體制造商仍應(yīng)當(dāng)重點(diǎn)關(guān)注非存儲(chǔ)器產(chǎn)品的生產(chǎn)，以為未來(lái)的發(fā)展做好準(zhǔn)備。
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DRAM價(jià)格同比暴漲47%，手機(jī)廠商都開始退縮了
根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights最新研究顯示，在1978年至2012年的34年間，DRAM每位元(bit)價(jià)格平均每年下跌33%。然而，從2012年到2017年，DRAM平均每位元價(jià)格下跌僅為每年3%。此外，2017年全年DRAM價(jià)格漲幅達(dá)到47%，是自1978年以來(lái)最大的年度漲幅，超過(guò)了1988年30年前的45%漲幅。
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新增產(chǎn)能能不能跟上連續(xù)上漲的存儲(chǔ)器價(jià)格？
記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)指出，記憶體價(jià)格連漲六季，數(shù)家中國(guó)智慧機(jī)品牌不堪成本壓力，去年中國(guó)對(duì)三星半導(dǎo)體表達(dá)不滿，進(jìn)一步造成第1季行動(dòng)式記憶體漲幅收斂。
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新式DRAM存取技術(shù)倍增超頻性能
微處理器的頻率頻率可以透過(guò)許多方式大幅增加，但卻受限于主存儲(chǔ)器的性能而必須降低其頻率頻率來(lái)維持計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 本文透過(guò)對(duì)于靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的存取技術(shù)，可望提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)單元的訪問速度。
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NAND Flash價(jià)格先降后升，DRAM則持續(xù)走高
2017 年，整體記憶體產(chǎn)業(yè)不論DRAM 或NAND Flash，都度過(guò)了一個(gè)黃金好年，那么2018 年可否持續(xù)榮景呢?
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有哪些低成本DRAM解決方案
DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場(chǎng)，也為DRAM廠商寫下利潤(rùn)新高紀(jì)錄。就像石油危機(jī)一樣，在DRAM危機(jī)下，客戶必須為DRAM付出更多代價(jià)?，F(xiàn)在正是尋找低成本替代方案的時(shí)候了!
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三星電子有望在今年成為全球最大半導(dǎo)體銷售商
三星電子有望在今年成為全球最大半導(dǎo)體銷售商。飆升的存儲(chǔ)芯片需求正推動(dòng)三星超越英特爾公司，后者已經(jīng)把持年芯片收入第一的位置長(zhǎng)達(dá)25年時(shí)間。
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次世代內(nèi)存為何成為先進(jìn)SoC設(shè)計(jì)的主流
經(jīng)過(guò)十多年的沉潛，次世代內(nèi)存的產(chǎn)品，包含F(xiàn)RAM(鐵電內(nèi)存)，MRAM(磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存)和RRAM(可變電阻式內(nèi)存)，在物聯(lián)網(wǎng)與智能應(yīng)用的推動(dòng)下，開始找到利基市場(chǎng)。
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三星量產(chǎn)全球最小DDR4內(nèi)存芯片 速度提升10%
據(jù)報(bào)道，三星電子宣布，公司已開始通過(guò)第二代10納米級(jí)制程工藝量產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。
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三星發(fā)布全球最小DRAM芯片 將在全球率先量產(chǎn)
韓國(guó)三星電子公司20日說(shuō)，已經(jīng)研制出全球最小DRAM芯片，將在全球率先量產(chǎn)。
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中國(guó)發(fā)改委關(guān)注暴漲的DRAM的動(dòng)態(tài)
據(jù)IC insights報(bào)道，今年記憶體供給吃緊，推升價(jià)格持續(xù)走揚(yáng)，他們預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。
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第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%，再寫史上新高
今年內(nèi)存供給吃緊，推升價(jià)格持續(xù)走揚(yáng)，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。據(jù)IC Insights估計(jì)，第四季DRAM銷售金額將來(lái)到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來(lái)最佳記錄。全年來(lái)看，DRA
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DRAM為什么將長(zhǎng)期供不應(yīng)求
DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng)，是歷來(lái)漲勢(shì)最久的一次。
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RRAM與DRAM的區(qū)別在哪？
日前，一年一度的中國(guó)存儲(chǔ)峰會(huì)在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會(huì)主題，論道存儲(chǔ)未來(lái)，讓數(shù)據(jù)釋放價(jià)值，業(yè)界嘉賓圍繞中國(guó)及全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了深入解讀，干貨滿滿。
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三星豪賭260億美元,想壟斷DRAM和NAND市場(chǎng)?
內(nèi)存市場(chǎng)包含NAND Flash、NOR及DRAM，從2016年底開始到2017年第三季，受供給短缺，以及需求大幅增長(zhǎng)的影響，各種內(nèi)存的每季報(bào)價(jià)都有10%以上的成長(zhǎng)，可想而知三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)在2017年有多賺錢。
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DRAM廠營(yíng)收再創(chuàng)歷史新高，三星和SK受益最大
IHS Markit最新數(shù)據(jù)顯示，第三季全球DRAM產(chǎn)值估計(jì)達(dá)197億美元，較前季跳增35%，且是史上新高。
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DRAM漲價(jià)什么是個(gè)頭啊
雖然近期市場(chǎng)不斷傳出有關(guān)三星及SK海力士等韓系廠商明年將擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能消息，但實(shí)際上，韓系廠商僅在現(xiàn)有廠房空間提升投片量，明年底之前都沒有興建新DRAM廠計(jì)劃。
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