據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,美光科技桃園廠區(qū)氮?dú)饧兓瘡S意外,經(jīng)調(diào)查廠內(nèi)純化氮?dú)獾年P(guān)鍵設(shè)備純化器毀壞,必須停工更換。 美光正尋求臺(tái)灣備品更換,但應(yīng)非短期可復(fù)工。 由于該產(chǎn)線為供應(yīng)蘋果手機(jī)重要移動(dòng)內(nèi)存,估計(jì)數(shù)萬片的缺口,正尋求其他廠供應(yīng),對(duì)正處于缺貨的DRAM供應(yīng)更雪上加霜。
據(jù)報(bào)道,美光科技桃園廠區(qū)氮?dú)饧兓瘡S意外,經(jīng)調(diào)查廠內(nèi)純化氮?dú)獾年P(guān)鍵設(shè)備純化器毀壞,必須停工更換。 美光正尋求臺(tái)灣備品更換,但應(yīng)非短期可復(fù)工。 由于該產(chǎn)線為供應(yīng)蘋果手機(jī)重要移動(dòng)內(nèi)存,估計(jì)數(shù)萬片的缺口,正尋求其他廠供應(yīng),對(duì)正處于缺貨的DRAM供應(yīng)更雪上加霜。
集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,臺(tái)灣美光晶圓科技(原華亞科)上周六驚傳氮?dú)庀到y(tǒng)意外,其Fab2受到污染影響,以目前臺(tái)灣美光晶圓科技每月投片達(dá)125K來計(jì)算,保守估計(jì)損失約60K,約將影響全球DRAM整體產(chǎn)能5.5%,對(duì)供貨吃緊的DRAM市場來說無疑雪上加霜,預(yù)估價(jià)格可能將進(jìn)一步攀升。
美光2017年第3季財(cái)報(bào)營收大幅優(yōu)于預(yù)期,這要因DRAM、NAND Flash價(jià)格上漲,美光認(rèn)為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)需求穩(wěn)定,價(jià)格可穩(wěn)定維持至2018年下半年。法人表示,國內(nèi)相關(guān)個(gè)股中,華邦電目前DRAM產(chǎn)能約22K,估下半年 DRAM價(jià)格維持高檔,2018年上半年在供給改善后將趨緩,因此維持族群中立建議。
隨著應(yīng)用不斷擴(kuò)大,及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴(kuò)增,今年來半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項(xiàng)產(chǎn)品市況熱絡(luò),在供應(yīng)持續(xù)吃緊下,各項(xiàng)產(chǎn)品下半年價(jià)格依然看漲。
行業(yè)專家認(rèn)為,對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。
據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo),美光科技計(jì)劃未來二至三年斥資20億美元,在位在日本廣島的工廠量產(chǎn)主要應(yīng)用在智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心和自駕車的新世代DRAM。報(bào)導(dǎo)指出,美光已在這座廠房內(nèi)增設(shè)
Direct Rambus DRAM的信號(hào)連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號(hào)線是漏極開路輸出以及時(shí)鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。 圖 Direct Rambus DRAM的信號(hào)連接關(guān)系
內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。
2017年4~6月的主要電子零組件與材料交易價(jià),以存儲(chǔ)器為中心,包括DRAM等揮發(fā)性存儲(chǔ)器以及NAND Flash與硬盤等非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,呈現(xiàn)持續(xù)走揚(yáng),除了智能型手機(jī)與個(gè)人電腦(PC)需求外,4K電視與數(shù)據(jù)中心需求也帶動(dòng)相關(guān)市場。
高啟全表示,長江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
三星電子的韓國華城廠(Hwaseong),即將擴(kuò)產(chǎn)的傳聞延燒許久。最新消息顯示,三星決定投資 3 萬億韓元(約 26.4 億美元)提升 DRAM 產(chǎn)能。不過由于未來 11 線不再生產(chǎn) DRAM,產(chǎn)
三星挾帶存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢(shì),本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座,證明了后PC時(shí)代的到來,隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起,讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域,也使得三星更加壯大。
三星挾帶存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢(shì),本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座,證明了后PC時(shí)代的到來,隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起,讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)
半導(dǎo)體業(yè)務(wù)正為三星電子創(chuàng)造源源不斷的利潤,但是該公司在40多年前進(jìn)軍芯片行業(yè)時(shí)并非一帆風(fēng)順。
OFweek電子工程網(wǎng)訊 垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT),是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元,能夠顯著降低動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復(fù)雜性。這是一種靜
力晶集團(tuán)執(zhí)行長黃崇仁表示,第五代行動(dòng)通訊(5G)快速興起,將啟動(dòng)大量影像傳輸需求,加上汽車電子及云端服務(wù)器快速成長,將開啟另一波內(nèi)存(DRAM和Flash)強(qiáng)勁需求,但供給端都遭遇程技術(shù)瓶頸,預(yù)料明年DRAM還是會(huì)缺貨。
Gartner 表示,在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn),使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑,并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。
近日,美國一支從新加坡起航的航母戰(zhàn)斗群引發(fā)全球關(guān)注。據(jù)悉,該航母群原先準(zhǔn)備前往澳大利亞,后突然掉頭向朝鮮半島駛進(jìn),引人遐想。
Direct Rambus DRAM的信號(hào)連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號(hào)線是漏極開路輸出以及時(shí)鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。 圖 Direct Rambus DRAM的信號(hào)連接關(guān)系