集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,回顧第二季度,整體Server DRAM供給吃緊,即使原廠透過產(chǎn)品線調(diào)整仍無法有效緩解市場需求的力道,在平均零售價(Average Selling Price)墊高的帶動下,三星、SK海力士、美光三大DRAM原廠第二季整體營收較第一季成長約30.1%。
DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺,創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存,更寫下史上最長漲勢。
由于云端應(yīng)用帶動數(shù)據(jù)中心建設(shè)、智能手機追求更大容量和更快運算,以及 4K 電視等高性能電視需要更多存儲器等因素,數(shù)據(jù)暫存處理用的 DRAM,以及數(shù)據(jù)存儲用的 NAND Flash,市場成長速度均高于電腦與智能手機市場的成長率。
據(jù)海外媒體報道,從去年下半到今年上半以來,DRAM 均價飆升 17%、NAND 均價攀漲 12%,主要是由于存儲器進入制程轉(zhuǎn)換,產(chǎn)能大減,使得廠商無不撒錢擴產(chǎn)。但是 IC Insights 警告,過度投資恐怕會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩。
哪些供應(yīng)商能夠在未來十年之內(nèi)像如今的戴爾、HPE、IBM以及NetApp一般稱霸存儲市場?他們又將如何適應(yīng)新的存儲環(huán)境?
半導(dǎo)體研究機構(gòu)ICinsights 指出,全球記憶體下半年價格上漲動能可能減緩,包含DRAM 與NAND 快閃記憶體均是如此
據(jù)報道,記者福建省晉江科技和知識產(chǎn)權(quán)局獲悉,福建省晉華集成電路有限公司的“DRAM制程技術(shù)開發(fā)”重大技術(shù)合同通過評審,相關(guān)技術(shù)將填補國內(nèi)空白。
存儲器缺貨和漲價問題一直是電子產(chǎn)品企業(yè)的心頭病,而最近東芝存儲器要延期供貨,美光晶圓半數(shù)報廢,再一次吹響存儲器缺貨大戰(zhàn)的號角。盡管每次缺貨潮都讓三星、海士力等上游廠家賺得盆滿缽盈,但實際上這也是下游企業(yè)的災(zāi)難。同時,缺貨導(dǎo)致的漲價使市場呈現(xiàn)一片虛假繁榮的景象,但有機構(gòu)預(yù)測存儲器市場泡沫將于2019年破裂。在泡沫來臨之際,行業(yè)都在期待救世主來戳破這個泡沫,中國能否擔(dān)當(dāng)重任?
中國的智能手機企業(yè)飽受存儲芯片短期的困擾,存儲芯片價格的暴漲導(dǎo)致國產(chǎn)手機企業(yè)的利潤下滑,加上存儲芯片對國家信息安全的重要性,這讓中國加速發(fā)展自己的存儲芯片產(chǎn)業(yè),
據(jù)臺媒報道,美光科技桃園廠區(qū)氮氣純化廠意外,經(jīng)調(diào)查廠內(nèi)純化氮氣的關(guān)鍵設(shè)備純化器毀壞,必須停工更換。 美光正尋求臺灣備品更換,但應(yīng)非短期可復(fù)工。 由于該產(chǎn)線為供應(yīng)蘋果手機重要移動內(nèi)存,估計數(shù)萬片的缺口,正尋求其他廠供應(yīng),對正處于缺貨的DRAM供應(yīng)更雪上加霜。
據(jù)報道,美光科技桃園廠區(qū)氮氣純化廠意外,經(jīng)調(diào)查廠內(nèi)純化氮氣的關(guān)鍵設(shè)備純化器毀壞,必須停工更換。 美光正尋求臺灣備品更換,但應(yīng)非短期可復(fù)工。 由于該產(chǎn)線為供應(yīng)蘋果手機重要移動內(nèi)存,估計數(shù)萬片的缺口,正尋求其他廠供應(yīng),對正處于缺貨的DRAM供應(yīng)更雪上加霜。
集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,臺灣美光晶圓科技(原華亞科)上周六驚傳氮氣系統(tǒng)意外,其Fab2受到污染影響,以目前臺灣美光晶圓科技每月投片達125K來計算,保守估計損失約60K,約將影響全球DRAM整體產(chǎn)能5.5%,對供貨吃緊的DRAM市場來說無疑雪上加霜,預(yù)估價格可能將進一步攀升。
美光2017年第3季財報營收大幅優(yōu)于預(yù)期,這要因DRAM、NAND Flash價格上漲,美光認為存儲器產(chǎn)業(yè)需求穩(wěn)定,價格可穩(wěn)定維持至2018年下半年。法人表示,國內(nèi)相關(guān)個股中,華邦電目前DRAM產(chǎn)能約22K,估下半年 DRAM價格維持高檔,2018年上半年在供給改善后將趨緩,因此維持族群中立建議。
隨著應(yīng)用不斷擴大,及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴增,今年來半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項產(chǎn)品市況熱絡(luò),在供應(yīng)持續(xù)吃緊下,各項產(chǎn)品下半年價格依然看漲。
行業(yè)專家認為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo),美光科技計劃未來二至三年斥資20億美元,在位在日本廣島的工廠量產(chǎn)主要應(yīng)用在智能手機、數(shù)據(jù)中心和自駕車的新世代DRAM。報導(dǎo)指出,美光已在這座廠房內(nèi)增設(shè)
Direct Rambus DRAM的信號連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號線是漏極開路輸出以及時鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。 圖 Direct Rambus DRAM的信號連接關(guān)系
內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。
2017年4~6月的主要電子零組件與材料交易價,以存儲器為中心,包括DRAM等揮發(fā)性存儲器以及NAND Flash與硬盤等非揮發(fā)性存儲器,呈現(xiàn)持續(xù)走揚,除了智能型手機與個人電腦(PC)需求外,4K電視與數(shù)據(jù)中心需求也帶動相關(guān)市場。
高啟全表示,長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個消息無疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。