據(jù)外媒報道,DRAMeXchange的最新報告指出,用于移動設(shè)備的LPDDR DRAM協(xié)議價在今年第四季度將上漲10%~15%。
在OLED面板競爭者量產(chǎn)進度不斷遞延,加上Flash、DRAM報價因市場寡占結(jié)構(gòu)確立,后續(xù)易漲難跌格局難變,三星電子(Samsung Electronics)2017年第2季獲利以逾136億美元首度超前蘋果(Apple)的財報內(nèi)容,未來一段時間內(nèi)恐成常態(tài)。
全球DRAM大廠美光預(yù)計在臺投資新臺幣1,300億元,絕大部分DRAM基地都在臺灣地區(qū),成為生產(chǎn)重鎮(zhèn),未來也將持續(xù)在臺擴充產(chǎn)能。美光鎖定中科進行新的3D封測制程,預(yù)估2-3年可量產(chǎn),要打造成為亞太區(qū)營運中心。
大陸半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展進程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時期、改革開放前的起步探索時期、改革開放初期的開發(fā)引進時期、全面布局的重點建設(shè)時期、高速發(fā)展期等階段之后,2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期,當(dāng)中2014年6月國務(wù)院發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》、國家集成電路大基金,更成為中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展最大的轉(zhuǎn)捩點。
DRAM存儲器是有史以來價格波動最劇烈的IC產(chǎn)品。下圖是DRAM波動性強的又一例證, 自2016年7月16日至2017年7月17日,短短一年時間,DRAM價格已經(jīng)翻了一番還要多。市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights表示,2017年DRAM單位存儲價格(price per bit)漲幅將超過40%,為史上最高。
根據(jù)市場分析師表示,動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和NAND的價格正居高不下,而且預(yù)計還會更進一步攀升。許多人認(rèn)為目前的存儲器市場情況只是暫時的供需不均衡?;蛘?,他們預(yù)期當(dāng)3D NAND快閃存儲器(flash)的制造趨于成熟后,就能解決目前的市場情況。然而,以DRAM的市況而言,沒人能知道DRAM供應(yīng)何時會改善。
2017年三星電子(Samsung Electronics)同步啟動DRAM、3D NAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃,預(yù)計資本支出上看150億~220億美元,遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模,三星為確保新產(chǎn)能如期開出,近期傳出已與多家硅晶圓供應(yīng)商洽談簽長約,狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能,并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應(yīng)量將減少30%,主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準(zhǔn)備。
據(jù)消息人士透露,HPE公司自今日起將其服務(wù)器內(nèi)存價格提高了20%,由于目前正處于全球范圍內(nèi)DRAM供應(yīng)量短缺的恢復(fù)階段,因此該服務(wù)器的相關(guān)組件成本較以往更高,從而導(dǎo)致了此番HPE服務(wù)器內(nèi)存價格上漲。與此同時,各DRAM廠商亦迎來創(chuàng)紀(jì)錄的銷售額新高。
今年各式內(nèi)存價格全面走揚,尤其NOR Flash從小零件變成搶手貨,旺宏(2337)股價翻了好幾番。 旺宏因減資作業(yè)預(yù)計28日重新上市,土洋法人買超集中到華邦電(2344),帶動今早股價再創(chuàng)最高20.7元。
公告披露,紫光國芯主要業(yè)務(wù)以集成電路芯片設(shè)計與銷售,包括智能芯片產(chǎn)品、特種集成電路產(chǎn)品和存儲器芯片產(chǎn)品,分別由北京同方微電子有限公司、深圳市國微電子有限公司和西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司三個核心子公司承擔(dān)。石英晶體元器件及藍寶石襯底材料業(yè)務(wù)由子公司唐山國芯晶源電子有限公司承擔(dān)。未來,紫光國芯將繼續(xù)圍繞半導(dǎo)體芯片設(shè)計業(yè)務(wù)積極布局,形成各業(yè)務(wù)板塊協(xié)同發(fā)展的業(yè)務(wù)架構(gòu),將推動紫光國芯長期戰(zhàn)略目標(biāo)的實現(xiàn)。
雖然全球DRAM供應(yīng)短缺的問題正得到逐步緩解,但供需之間仍存在充足的缺口——至少能夠讓各芯片制造商繼續(xù)迎來創(chuàng)紀(jì)錄的營收總值。
集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,回顧第二季度,整體Server DRAM供給吃緊,即使原廠透過產(chǎn)品線調(diào)整仍無法有效緩解市場需求的力道,在平均零售價(Average Selling Price)墊高的帶動下,三星、SK海力士、美光三大DRAM原廠第二季整體營收較第一季成長約30.1%。
DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內(nèi)存持續(xù)供貨短缺,創(chuàng)下史上罕見同缺記錄。 其中DRAM和NAND內(nèi)存,更寫下史上最長漲勢。
由于云端應(yīng)用帶動數(shù)據(jù)中心建設(shè)、智能手機追求更大容量和更快運算,以及 4K 電視等高性能電視需要更多存儲器等因素,數(shù)據(jù)暫存處理用的 DRAM,以及數(shù)據(jù)存儲用的 NAND Flash,市場成長速度均高于電腦與智能手機市場的成長率。
據(jù)海外媒體報道,從去年下半到今年上半以來,DRAM 均價飆升 17%、NAND 均價攀漲 12%,主要是由于存儲器進入制程轉(zhuǎn)換,產(chǎn)能大減,使得廠商無不撒錢擴產(chǎn)。但是 IC Insights 警告,過度投資恐怕會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩。
哪些供應(yīng)商能夠在未來十年之內(nèi)像如今的戴爾、HPE、IBM以及NetApp一般稱霸存儲市場?他們又將如何適應(yīng)新的存儲環(huán)境?
半導(dǎo)體研究機構(gòu)ICinsights 指出,全球記憶體下半年價格上漲動能可能減緩,包含DRAM 與NAND 快閃記憶體均是如此
據(jù)報道,記者福建省晉江科技和知識產(chǎn)權(quán)局獲悉,福建省晉華集成電路有限公司的“DRAM制程技術(shù)開發(fā)”重大技術(shù)合同通過評審,相關(guān)技術(shù)將填補國內(nèi)空白。
存儲器缺貨和漲價問題一直是電子產(chǎn)品企業(yè)的心頭病,而最近東芝存儲器要延期供貨,美光晶圓半數(shù)報廢,再一次吹響存儲器缺貨大戰(zhàn)的號角。盡管每次缺貨潮都讓三星、海士力等上游廠家賺得盆滿缽盈,但實際上這也是下游企業(yè)的災(zāi)難。同時,缺貨導(dǎo)致的漲價使市場呈現(xiàn)一片虛假繁榮的景象,但有機構(gòu)預(yù)測存儲器市場泡沫將于2019年破裂。在泡沫來臨之際,行業(yè)都在期待救世主來戳破這個泡沫,中國能否擔(dān)當(dāng)重任?
中國的智能手機企業(yè)飽受存儲芯片短期的困擾,存儲芯片價格的暴漲導(dǎo)致國產(chǎn)手機企業(yè)的利潤下滑,加上存儲芯片對國家信息安全的重要性,這讓中國加速發(fā)展自己的存儲芯片產(chǎn)業(yè),