DRAM

關(guān)注人關(guān)注

我要報錯

短期內(nèi)中國大陸集成電路制造業(yè)仍系于中芯國際與存儲器族群

中國大陸存儲器業(yè)者的生產(chǎn)計劃包括福建晉華、合肥長鑫、長江存儲、紫光集團，預(yù)定投產(chǎn)時間介于2018年下半年-2019年，主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲器、NAND Flash，初期產(chǎn)能介于2-5萬片，未來最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬片，中長期計劃更將擴大至12.5-30萬片的規(guī)模。但是由于短期內(nèi)國際購并案推行不易，技術(shù)、人才取得受阻，導(dǎo)致短期內(nèi)中國大陸發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)仍需克服專利及人力等重重障礙。

嵌入式動態(tài)
2018-06-21

DRAM 中芯國際存儲器行業(yè)資訊
三星已啟動EUV 1ynm工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā) 最快2020年投產(chǎn)使用

EUV光刻目前被三星、臺積電、Intel等用于7nm工藝節(jié)點上，制造的普遍是AP(應(yīng)用處理器)。三星曾表示，7nm LPP工藝將在今年下半年量產(chǎn)，明年上半年推出首款可商用的邏輯芯片。

電子設(shè)計自動化
2018-06-19

三星 euv DRAM
如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手

差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設(shè)計，但大家對CK#（CKN）的作用認(rèn)識很少，很多人理解為第二個觸發(fā)時鐘，其實它的真實作用是起到觸發(fā)時鐘校準(zhǔn)的作用。

嵌入式教程
2018-06-11

ddr2 ddr 技術(shù)教程差分時鐘 DRAM
美光：下一代1Y nm工藝DRAM正在驗證中，暫不需要EUV光刻

三星是第一家量產(chǎn)18nm工藝，也就是第一個進入1X nm節(jié)點的，遙遙領(lǐng)先其他公司，美光現(xiàn)在也開始向1X nm工藝轉(zhuǎn)進，下一代的1Y nm工藝已經(jīng)進入客戶驗證階段了，今年下半年問世，1Z nm工藝節(jié)點在處于工藝優(yōu)化階段，1α及1β工藝則是在不同研發(fā)階段。

半導(dǎo)體
2018-06-04

臺積電 euv DRAM
2018年全球半導(dǎo)體超預(yù)期發(fā)展，資本支出將首度破千億美元大關(guān)

受惠于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于循環(huán)周期高檔的因素，市場調(diào)查機構(gòu) IC insight 調(diào)查報告指出，2018 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出將首次突破千億美元大關(guān)。

嵌入式動態(tài)
2018-05-24

半導(dǎo)體 DRAM 存儲器行業(yè)資訊
被動元器件缺料漲價，代工廠在苦撐

被動元器件自去年以來一直在漲價，截止目前漲價勢頭未見緩和。尤其是今年鋁電解電容的材料價格的上漲，以及環(huán)保政策使得原材料生產(chǎn)供應(yīng)減少，不少代工廠甚至面臨斷料危機，災(zāi)情慘烈。受此影響，被動元件廠商供貨愈發(fā)緊俏，部分產(chǎn)品供應(yīng)開始傾向部分客戶。據(jù)供應(yīng)鏈廠商透露，近期，以國巨為代表的臺系被動元件大廠不再宣布價格調(diào)漲幅度，而是采取個別客戶議價方式，有些規(guī)格產(chǎn)品加價幅度甚至高達7成，仍然供不應(yīng)求。

嵌入式動態(tài)
2018-05-16

芯片被動元件 DRAM 行業(yè)資訊
2018一季度全球內(nèi)存市場“喜提”歷史新高

根據(jù) TrendForce 存儲器儲存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2018 年第一季的 DRAM 價格走勢，除了繪圖用存儲器(graphic DRAM)受惠于基期較低以及虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有 15% 顯著上漲外，其余各應(yīng)用別的存儲器在第一季約有 3-6% 不等的季漲幅，今年第一季全球 DRAM 總營收較 2017 年第四季成長 5.4%，再創(chuàng)新高。

嵌入式動態(tài)
2018-05-15

美光 DRAM 存儲器行業(yè)資訊
DRAM產(chǎn)能不斷擴大，美光有望趕超SK海力士成全球第2大存儲器廠

近期DRAM需求暢旺，價格持續(xù)上漲，銷售量不斷攀升。面對制造DRAM勢不可擋利潤，芯片廠已將其視為肥肉，不斷擴大DRAM產(chǎn)能，但全球DRAM三大廠商的競爭仍有高低之分。

嵌入式動態(tài)
2018-05-03

美光 DRAM 存儲器行業(yè)資訊
三星控制全球三分之二DRAM市場，中國企業(yè)無法超越

前兩天，三星電子發(fā)布公告顯示，第一季度營收為60.56萬億韓元(約561億美元)，同比增長19.8%;營業(yè)利潤為15.64萬億韓元(約145億美元)，同比增長58%。而值得關(guān)注的是，在這15.64萬億韓元的利潤中，絕大部分來自于芯片業(yè)務(wù)，三星芯片業(yè)務(wù)第一季度實現(xiàn)營業(yè)利潤11.6萬億韓元，達到手機業(yè)務(wù)的3倍。從這個角度來看，三星已經(jīng)不是傳統(tǒng)意義上人們認(rèn)識中的智能手機廠商，而是一家標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體(芯片)企業(yè)。

嵌入式動態(tài)
2018-04-28

半導(dǎo)體三星芯片 DRAM 行業(yè)資訊
美光臺灣工廠今年導(dǎo)入先進制程

臺灣是全球第三大存儲器廠商美光科技(Micron)重要的DRAM生產(chǎn)基地，該公司持續(xù)于臺中廠與桃園廠投資先進制程，同時增聘人員。該公司從去年初至今年底，預(yù)計臺灣員工數(shù)將增加1,700人，成長幅度約三成。

模擬
2018-04-27

半導(dǎo)體美光 DRAM
矽品砸8.66億元新臺幣在福建建新廠

臺灣封測大廠矽品積極布局大陸福建，已砸下新臺幣8.66億元，著手廠房新建工程。

嵌入式動態(tài)
2018-04-18

集成電路矽品 DRAM 存儲器行業(yè)資訊
中國崛起！中國首個自主研發(fā)的 DRAM 芯片有望于2018年底在合肥誕生

在近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進安徽活動”中，長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲器項目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成，并開始設(shè)備安裝;2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4;2019 年底實現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬片/月;2020 年開始規(guī)劃二廠建設(shè);2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。王寧國表示，希望 2018 年底第一個中國自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。

嵌入式動態(tài)
2018-04-18

芯片 DRAM 存儲器行業(yè)資訊
韓國央行表示半導(dǎo)體需求依舊熱絡(luò)，廠商應(yīng)重非存儲器市場

有史以來維持最大成長周期的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，未來會再繼續(xù)成長嗎?這答案恐怕是肯定的。因為，近日韓國央行在 8 日所發(fā)出的報告指稱，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的強勁需求趨勢仍會持續(xù)一年，并且呼吁韓國本土的半導(dǎo)體制造商仍應(yīng)當(dāng)重點關(guān)注非存儲器產(chǎn)品的生產(chǎn)，以為未來的發(fā)展做好準(zhǔn)備。

嵌入式動態(tài)
2018-04-11

半導(dǎo)體 DRAM 存儲器行業(yè)資訊
DRAM價格同比暴漲47%，手機廠商都開始退縮了

根據(jù)市調(diào)機構(gòu)IC Insights最新研究顯示，在1978年至2012年的34年間，DRAM每位元(bit)價格平均每年下跌33%。然而，從2012年到2017年，DRAM平均每位元價格下跌僅為每年3%。此外，2017年全年DRAM價格漲幅達到47%，是自1978年以來最大的年度漲幅，超過了1988年30年前的45%漲幅。

嵌入式動態(tài)
2018-03-15

手機廠商技術(shù)前沿 DRAM 存儲器
新增產(chǎn)能能不能跟上連續(xù)上漲的存儲器價格？

記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出，記憶體價格連漲六季，數(shù)家中國智慧機品牌不堪成本壓力，去年中國對三星半導(dǎo)體表達不滿，進一步造成第1季行動式記憶體漲幅收斂。

嵌入式動態(tài)
2018-02-02

DRAM 存儲器行業(yè)資訊
新式DRAM存取技術(shù)倍增超頻性能

微處理器的頻率頻率可以透過許多方式大幅增加，但卻受限于主存儲器的性能而必須降低其頻率頻率來維持計算機系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本文透過對于靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的存取技術(shù)，可望提升動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)單元的訪問速度。

嵌入式動態(tài)
2018-01-26

微處理器技術(shù)前沿存取技術(shù) DRAM
NAND Flash價格先降后升，DRAM則持續(xù)走高

2017 年，整體記憶體產(chǎn)業(yè)不論DRAM 或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018 年可否持續(xù)榮景呢?

嵌入式動態(tài)
2018-01-23

nand Flash DRAM 行業(yè)資訊
有哪些低成本DRAM解決方案

DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場，也為DRAM廠商寫下利潤新高紀(jì)錄。就像石油危機一樣，在DRAM危機下，客戶必須為DRAM付出更多代價?，F(xiàn)在正是尋找低成本替代方案的時候了!

嵌入式動態(tài)
2018-01-10

晶圓廠技術(shù)前沿 DRAM
三星電子有望在今年成為全球最大半導(dǎo)體銷售商

三星電子有望在今年成為全球最大半導(dǎo)體銷售商。飆升的存儲芯片需求正推動三星超越英特爾公司，后者已經(jīng)把持年芯片收入第一的位置長達25年時間。

嵌入式動態(tài)
2017-12-26

CPU 三星電子 nada DRAM 行業(yè)資訊
次世代內(nèi)存為何成為先進SoC設(shè)計的主流

經(jīng)過十多年的沉潛，次世代內(nèi)存的產(chǎn)品，包含F(xiàn)RAM(鐵電內(nèi)存)，MRAM(磁阻式隨機存取內(nèi)存)和RRAM(可變電阻式內(nèi)存)，在物聯(lián)網(wǎng)與智能應(yīng)用的推動下，開始找到利基市場。

嵌入式動態(tài)
2017-12-26

物聯(lián)網(wǎng) 內(nèi)存 AI 技術(shù)前沿 DRAM

首頁上一頁 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 下一頁尾頁

DRAM

短期內(nèi)中國大陸集成電路制造業(yè)仍系于中芯國際與存儲器族群

三星已啟動EUV 1ynm工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā) 最快2020年投產(chǎn)使用

如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手

美光：下一代1Y nm工藝DRAM正在驗證中，暫不需要EUV光刻

2018年全球半導(dǎo)體超預(yù)期發(fā)展，資本支出將首度破千億美元大關(guān)

被動元器件缺料漲價，代工廠在苦撐

2018一季度全球內(nèi)存市場“喜提”歷史新高

DRAM產(chǎn)能不斷擴大，美光有望趕超SK海力士成全球第2大存儲器廠

三星控制全球三分之二DRAM市場，中國企業(yè)無法超越

美光臺灣工廠今年導(dǎo)入先進制程

矽品砸8.66億元新臺幣在福建建新廠

中國崛起！中國首個自主研發(fā)的 DRAM 芯片有望于2018年底在合肥誕生

韓國央行表示半導(dǎo)體需求依舊熱絡(luò)，廠商應(yīng)重非存儲器市場

DRAM價格同比暴漲47%，手機廠商都開始退縮了

新增產(chǎn)能能不能跟上連續(xù)上漲的存儲器價格？

新式DRAM存取技術(shù)倍增超頻性能

NAND Flash價格先降后升，DRAM則持續(xù)走高

有哪些低成本DRAM解決方案

三星電子有望在今年成為全球最大半導(dǎo)體銷售商

次世代內(nèi)存為何成為先進SoC設(shè)計的主流

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動

課程視頻