能耗遠(yuǎn)低于 DRAM，英特爾已悄悄在產(chǎn)品中采用MRAM技術(shù)？

英特爾曾表示其嵌入式 MRAM 技術(shù)可在200℃下實(shí)現(xiàn)長達(dá) 10 年的記憶期，并可在超過 106 個(gè)開關(guān)周期內(nèi)實(shí)現(xiàn)持久性。并且英特爾在其 22 FFL 工藝中，描述 STT-MRAM (基于 MRAM 的自旋轉(zhuǎn)移力矩) 非易失性存儲(chǔ)的關(guān)鍵特性。英特爾稱之其為“首款基于 FinFET 的 MRAM 技術(shù)”。

美光發(fā)布2019財(cái)年Q1財(cái)報(bào)，暴利時(shí)代一去不復(fù)返！

美光公司今天發(fā)布了截至11月29日的2019財(cái)年Q1季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季營收79.1億美元，同比增長16%，毛利率達(dá)到了58%，凈利潤32.9億美元，同比增長23%。

大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于華邦電子產(chǎn)品的工業(yè)級(jí)Memory DRAM解決方案

大聯(lián)大品佳代理的華邦電子的利基型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存專注中低密度，以高性能和高速度的特點(diǎn)，成為在消費(fèi)、通信、計(jì)算機(jī)周邊、工業(yè)和汽車市場被廣泛地使用的領(lǐng)導(dǎo)品牌。完整的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存解決方案經(jīng)過AEC-Q100、TS16949、ISO9001/14001、OHSAS18001認(rèn)證，可提供給工業(yè)、汽車和其他的客戶應(yīng)用。

DRAM市場寒冬來臨？2019將陷入停滯甚至衰退

ICInsight認(rèn)為，作為拉動(dòng)DRAM需求的主要?jiǎng)恿Φ拇笠?guī)模數(shù)據(jù)中心服務(wù)器出貨量已經(jīng)開始緩解，同時(shí)PC市場的疲軟和貿(mào)易戰(zhàn)的不確定因素，將會(huì)使得DRAM市場在2019陷入停滯甚至衰退，他們初步預(yù)測其將會(huì)縮減1%。

三星4Q再降DRAM價(jià)

DRAM產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大

DRAM拼增產(chǎn)搶回市占率　惟制程進(jìn)度仍落后

威剛：看好明年DRAM市場需求

NAND Flash方面，威剛認(rèn)為，在價(jià)格及新技術(shù)逐步成熟驅(qū)動(dòng)下，預(yù)期2019年SSD市場滲透率及使用容量都將大幅提升。

明年DRAM存儲(chǔ)器價(jià)格恐將下跌30% 或刺激需求增長！

對(duì)于存儲(chǔ)器價(jià)格的看法，陳慶文表示，下半年NAND Flash價(jià)格開始轉(zhuǎn)跌，緊接著DRAM現(xiàn)貨價(jià)也開始下跌，進(jìn)入第四季度之后，DRAM合約價(jià)也跟進(jìn)下跌，拖累DRAM模組跌幅擴(kuò)大，明年兩大存儲(chǔ)器產(chǎn)品跌勢難擋，DRAM價(jià)格恐將下跌30%，NAND Flash跌幅將較DRAM更為擴(kuò)大。

MOSFET醞釀下一波漲價(jià) DRAM跌幅卻持續(xù)加大

MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經(jīng)開始，一直持續(xù)到現(xiàn)在，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。與此形成鮮明對(duì)比的是，前一段時(shí)間不斷漲價(jià)的DRAM開始走下坡路了!據(jù)集邦咨詢的最新報(bào)告，第四季DRAM合約價(jià)二次下修，2019年第一季跌幅持續(xù)擴(kuò)大。

太過依賴DRAM等芯片產(chǎn)品，韓國經(jīng)濟(jì)或?qū)⑹苤貏?chuàng)！

韓國智庫韓國經(jīng)濟(jì)研究院(KERI)創(chuàng)新成長部負(fù)責(zé)人Lee Sang-ho說：“如果芯片出口崩潰，韓國經(jīng)濟(jì)將遭受重創(chuàng)?！彼硎具@種情況不一定會(huì)發(fā)生，但認(rèn)為隨著經(jīng)濟(jì)對(duì)半導(dǎo)體出口的依賴加深，這凸顯出尋求替代成長引擎的迫切。

三星電子下調(diào)第四季半導(dǎo)體預(yù)期值

受到價(jià)格停滯的影響外，三星客戶的投資也開始趨緩，這讓三星開始調(diào)整第四季的位元成長率(Bit Growth)預(yù)期值，最壞的可能是把DRAM的預(yù)期值調(diào)整為0%。

全球頂級(jí)資管公司出售三星股票轉(zhuǎn)投臺(tái)積電

全球頂級(jí)資產(chǎn)管理公司已出清三星的持股，但仍看好半導(dǎo)體行業(yè)，只是轉(zhuǎn)投臺(tái)積電的股票。

Q3季度DRAM內(nèi)存產(chǎn)值再創(chuàng)新高，今年整體營收提升依然會(huì)創(chuàng)紀(jì)錄！

此前有報(bào)道稱10月份DRAM內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格終于降價(jià)了，4GB及8GB內(nèi)存模組降幅約為10%，預(yù)計(jì)2019年還會(huì)再降20%，內(nèi)存市場將迎來拐點(diǎn)。不過今年Q4季度即便內(nèi)存降價(jià)，前三個(gè)季度的內(nèi)存依然是上漲，所

三大廠商看明年存儲(chǔ)器市場并未太悲觀 看好新應(yīng)用推升需求

歷經(jīng)9個(gè)季度的價(jià)格走揚(yáng)，DRAM價(jià)格今年第4季起開始反轉(zhuǎn)走跌，結(jié)束產(chǎn)業(yè)的上升循環(huán)。展望明年，南亞科、華邦電與威剛均看好新應(yīng)用將會(huì)持續(xù)推升DRAM需求動(dòng)能，對(duì)明年產(chǎn)業(yè)發(fā)展并未太過悲觀看待，且南亞科與威剛認(rèn)為，明年DRAM價(jià)格將持穩(wěn)緩跌，華邦電則點(diǎn)出未來2、3季為觀察產(chǎn)業(yè)后市的關(guān)鍵時(shí)期。

經(jīng)過兩年的強(qiáng)勁增長后，存儲(chǔ)器的狂歡熱潮正慢慢消退

DRAM和NAND芯片的平均售價(jià)(ASP)將在今年第四季度持續(xù)下跌。該公司還預(yù)計(jì)，2019年這兩類產(chǎn)品的平均售價(jià)與今年相比，也將會(huì)有大幅下降。

中芯國際CO-CEO趙海軍赴臺(tái)搶單

中芯國際日前發(fā)出警語，指出行業(yè)的復(fù)蘇期預(yù)計(jì)要到 2019 年第 2 季，暗示目前行業(yè)正在“過冬期”，然而公司從上到下仍是積極拼業(yè)績、搶訂單，從 CO-CEO 趙海軍在 11 月初身體力行親自赴臺(tái)灣拜訪 IC 設(shè)計(jì)客戶，展現(xiàn)積極決心!

SK海力士發(fā)表全球首款DDR5 DRAM

SK海力士15日發(fā)布二代10納米16Gb DDR5的DRAM，成為全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)當(dāng)中第一家開發(fā)出適用DDR5規(guī)格的DRAM，并預(yù)計(jì)從2020年正式投入量產(chǎn)。

SK海力士發(fā)表全球首款DDR5 DRAM

DDR5是繼DDR4的之后，新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，應(yīng)用在大數(shù)據(jù)、AI(人工智能)以及機(jī)器學(xué)習(xí)上，擁有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的電力消耗減少30%，數(shù)據(jù)傳送速度也快了1.6倍。

DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格未來一年繼續(xù)下滑，中國公司兩三年內(nèi)難有一席之地！

對(duì)于內(nèi)存的價(jià)格走勢，創(chuàng)見公司董事長Peter Shu也在采訪中提到DRAM內(nèi)存與NAND閃存一樣出現(xiàn)了供過于求的局面，未來一年價(jià)格還要繼續(xù)下滑。此外，他還提到中國大陸的內(nèi)存創(chuàng)業(yè)公司在未來兩三年內(nèi)不太可能在全球DRAM市場占據(jù)一席之地，不過NAND廠商在2019-2020年間可望成為行業(yè)的一部分。