MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經(jīng)開始，一直持續(xù)到現(xiàn)在。到了2018年，MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，下半年出現(xiàn)缺貨潮，ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能，臺(tái)廠大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季訂單全滿，接單能見度直至年底，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。

據(jù)了解，MOSFET的這波漲價(jià)主要由于上游晶圓代工廠產(chǎn)能有限，加之需求市場火爆，引發(fā)缺貨潮。業(yè)界預(yù)料以目前MOSFET缺貨情況判斷，供給吃緊可能持續(xù)至2019年上半年。這其中，汽車及工業(yè)應(yīng)用對(duì)MOSFET需求上漲是一方面推手，另一方面，大型企業(yè)重新聚焦于更高端、毛利率更高的產(chǎn)品，如汽車及工業(yè)應(yīng)用的IGBT、碳化硅MOSFET、超接面MOSFET，使得通用MOSFET與IGBT的交期增加至6個(gè)月以上，這為MOSFET的供應(yīng)緊張更加了一把火。

另外，據(jù)12.3日消息，G20峰會(huì)之后，中美貿(mào)易緊張情勢(shì)趨緩，晶圓與MOSFET在市場持續(xù)供不應(yīng)求，缺貨情況繼續(xù)發(fā)酵，再度成為資金追逐焦點(diǎn)，激勵(lì)晶圓和MOSFET的股價(jià)上漲。

晶圓廠環(huán)球晶透露，至9月底預(yù)收款高達(dá)220億元新臺(tái)幣，較第2季增加88億元新臺(tái)幣，并創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，顯示客戶需求強(qiáng)勁。環(huán)球晶預(yù)期，明年平均單價(jià)將高于目前水平，2020年報(bào)價(jià)將持平或小幅上揚(yáng)。MOSFET廠杰力預(yù)期，明年上半年MOSFET市場仍將維持供不應(yīng)求熱況，產(chǎn)品還有漲價(jià)空間。

與此形成鮮明對(duì)比的是，前一段時(shí)間不斷漲價(jià)的DRAM開始走下坡路了!

據(jù)集邦咨詢的最新報(bào)告，第四季DRAM合約價(jià)二次下修，2019年第一季跌幅持續(xù)擴(kuò)大。

報(bào)告中指出，今年第四季DRAM價(jià)格正式反轉(zhuǎn)向下，11月合約價(jià)甚至出現(xiàn)二次下修的狀況，以目前成交方式來看，已有部分比重的合約價(jià)改以月(monthly deal)方式進(jìn)行議價(jià)，顯示買方對(duì)于DRAM價(jià)格后勢(shì)看法悲觀，預(yù)計(jì)2019年第一季DRAM合約價(jià)跌幅將持續(xù)擴(kuò)大。

以今年11月來看，4GB與8GB的價(jià)格除了高價(jià)仍有維持之外，在中低價(jià)都已調(diào)降，主流模組4GB的均價(jià)較10月的31美元滑落至30美元，跌幅3.2%;8GB亦同，均價(jià)由上個(gè)月的61美元滑落至60美元，跌幅1.6%。

觀察今年第四季DRAM平均銷售單價(jià)有近8%的跌幅，其中以標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器、服務(wù)器存儲(chǔ)器與利基型存儲(chǔ)器為最，季跌幅都接近10%;而行動(dòng)式存儲(chǔ)器由于先前缺貨時(shí)漲價(jià)幅度較小，因此第四季的跌幅相對(duì)較小，僅約5%。

展望明年第一季，DRAMeXchange指出，供給面較2018年第四季持續(xù)增加，主要來自于1Ynm制程良率持續(xù)改善、投入比重持續(xù)增加，以及三星平澤廠在今年第四季的持續(xù)增產(chǎn);而每年首季都是傳統(tǒng)需求淡季，加上2019年第一季智能手機(jī)的出貨力道恐怕較往年更為疲弱，恐將造成行動(dòng)式存儲(chǔ)器價(jià)格跌幅擴(kuò)大。從整體DRAM價(jià)格來看，明年第一季跌幅較今年第四季更為顯著恐怕是不可避免的狀況。

供給增加、需求更趨弱化，DRAM整體市況將持續(xù)走弱，看來短期內(nèi)，DRAM是逃不脫跌跌不休的命運(yùn)了。