通常來說,元年是用來指某個事物或事件開始發(fā)生的時間。如果說 2016 年(晉華集成、合肥長鑫和長江存儲,中國大陸三大存儲器公司相繼成立)是中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的元年。
中國半導(dǎo)體行業(yè)又迎來一名重磅外援—;—;紫光集團(tuán)今天宣布前日本內(nèi)存公司爾必達(dá)董事長坂本幸雄加盟,將擔(dān)任高級副總裁及日本公司CEO,負(fù)責(zé)開拓日本市場。 坂本幸雄在DRAM領(lǐng)域具有30余年的從業(yè)經(jīng)驗,在技
據(jù)目前消息,有半導(dǎo)體行業(yè)觀察人士指出,歷經(jīng)了今年的慘烈暴跌后,韓國內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)有望在 2020 年出現(xiàn)好轉(zhuǎn)跡象。根據(jù)半導(dǎo)體市場專家的最新預(yù)測,在今年經(jīng)歷慘烈暴跌后,南
DDR5是繼DDR4的之后,新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,應(yīng)用在大數(shù)據(jù)、AI(人工智能)以及機器學(xué)習(xí)上,擁有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的電力消耗減少30%,數(shù)據(jù)傳送速度也快了1.6倍。
自計算機誕生以來,DRAM+SSD+HDD這樣的存儲架構(gòu)便從未改變過。而近2年隨著數(shù)據(jù)量的爆發(fā)以及企業(yè)、消費者對傳輸性能、時延等要求增加,這樣的架構(gòu)已難以滿足需求。在這樣的背景下,英特爾、三星、鎂光等
10月21日,SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。
華為作為美光最大的客戶之一,美國將華為列入實體名單一事對美光產(chǎn)生了非常嚴(yán)重的影響,美光業(yè)績已經(jīng)逐漸露出下滑趨勢,上周五美光股價大跌近7%,南亞科、華邦電、威剛等存儲器企業(yè)也紛紛走低。 近期DRAM及N
9月30日消息,上交所上市公司兆易創(chuàng)新(SH:603986)今日發(fā)布公告稱,擬定增募資約43億元,用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等項目。 兆易創(chuàng)新公告截圖 本次發(fā)行募集資金總額(含發(fā)行費用)不超過人民
據(jù)報道,由于上游內(nèi)存廠商三星、SK海力士、三星等大幅削減產(chǎn)能投資,預(yù)計2020年內(nèi)存產(chǎn)能增長只有12.5%,創(chuàng)下了10年來的新低,一切都在為內(nèi)存漲價奠定基礎(chǔ)。 DRAM內(nèi)存價格從去年10月份開始由漲轉(zhuǎn)
集邦科技存儲器儲存研究(DRAMeXchange)表示,今年8月DRAM合約價與前月持平,DDR4 8GB均價來到25.5美元,而9月合約價格雖然仍在議定中,但繼續(xù)持平可能性高。展望2020年,因3大
連續(xù)經(jīng)歷N個月下跌后,DRAM內(nèi)存芯片的價格在8月和9月份保持了基本穩(wěn)定。DRAMeXchange采集的數(shù)據(jù)顯示,DDR4-2133 8Gb(1GB)PC芯片在9月結(jié)束后的均價為2.94美元,和上月完全持平(約合21元)。不過,業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為,上述局
本月初,紫光集團(tuán)旗下長江存儲正式宣布,其64層堆棧3D NAND閃存已開始量產(chǎn)。 雖然國產(chǎn)3D NAND已經(jīng)取得了突破了,但是在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域,國內(nèi)依然是一片空白。原本被寄予厚望的福建晉華,由于
8月28日,繼紫光集團(tuán)宣布委任高啟全為DRAM事業(yè)群CEO后,紫光旗下武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡稱武漢新芯)宣布,聘請紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁孫世偉接任高啟全擔(dān)任武漢新芯總經(jīng)理兼首席執(zhí)行官(C
從去年Q4季度開始,全球內(nèi)存也從牛市轉(zhuǎn)向了熊市,價格開始下滑,一直持續(xù)到今年Q2季度,據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計,Q2季度全球內(nèi)存價格也跌了10%,全球產(chǎn)值也下滑了9.1%。 不過Q2季度已經(jīng)是過
據(jù)DRAM Exchange最新報告稱,DRAM市場正在降價、且趨勢是會繼續(xù)走低。 這份報告中指出,今年第二季度,DRAM價格下跌了近10%。目前的狀況是供大于求,這是內(nèi)存市場將持續(xù)下跌的部分原因。對
8月12日消息 近日,集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)公布了全球內(nèi)存廠2019Q2營收排名,三星第一,SK海力士第二,美光第三。 根據(jù)集邦咨詢的統(tǒng)計數(shù)據(jù),在2019年第二季度全球D
隨著日本宣布允許對韓國出口重要的半導(dǎo)體材料,持續(xù)了一個多月的日韓貿(mào)易爭端有了緩和的可能,這也讓全球內(nèi)存及閃存市場面臨的動蕩緩和了,現(xiàn)在內(nèi)存市場又要回到過剩的局面了,預(yù)計Q3季度價格還會繼續(xù)下跌。 從去
關(guān)于這個計算世界的一個關(guān)鍵的未來要素是移動數(shù)據(jù)。移動數(shù)據(jù)需要功率,以至于從內(nèi)存中調(diào)用數(shù)據(jù)要比實際對其進(jìn)行“計算”消耗更多的功率。這就是我們有緩存的原因,但即使有緩存,也需要對CPU進(jìn)行廣泛的管理。對于簡單的操作,如位轉(zhuǎn)移或和操作,目標(biāo)是將計算能力轉(zhuǎn)移到主DRAM本身,這樣它就不必來回穿梭。今年在Hot Chips, UPMEM是第一批展示新技術(shù)的公司之一。
根據(jù)國外科技媒體報導(dǎo)指出,日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產(chǎn)的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對此,市場預(yù)估,美光的該項新產(chǎn)品還會在2019年底前,在美光位于中國臺灣臺中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。
8月19日訊,美光宣布1z nm制程存儲芯片量開始產(chǎn),器件功耗降低40%。