根據(jù) TrendForce 存儲器儲存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2018 年第一季的 DRAM 價格走勢，除了繪圖用存儲器(graphic DRAM)受惠于基期較低以及虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有 15% 顯著上漲外，其余各應用別的存儲器在第一季約有 3-6% 不等的季漲幅，今年第一季全球 DRAM 總營收較 2017 年第四季成長 5.4%，再創(chuàng)新高。

DRAMeXchange 資深研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察第二季價格走勢，PC-OEM 廠已陸續(xù)議定第二季合約價格。就一線大廠訂價來看，均價已來到 34 美元，較上一季平均漲幅約達 3%。從市場面來觀察，由于服務器需求較佳、毛利高、獲利空間較大，一線 DRAM 大廠持續(xù)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往服務器存儲器，加上全球 DRAM 產(chǎn)能將于年底才會逐漸開出，使得標準型記憶仍維持價格上揚格局。

觀察全球 DRAM 大廠營收表現(xiàn)，三星依然穩(wěn)坐 DRAM 產(chǎn)業(yè)的龍頭，第一季營收再度創(chuàng)下歷史新高，達 103.6 億美元，較上季成長 2.9%;SK 海力士第一季營收達 64.3 億美元，較前季成長 2.2%，兩大韓廠第一季的出貨量受到手機需求疲弱影響皆略有下滑，營收市占率分別為 44.9% 與 27.9%，合計約 73%，較前一季微幅下降。

美光集團仍舊維持第三，不過美光在報價上相對積極，今年上半年持續(xù)扮演市場中的價格領導者(price leader)，價格上漲幅度高于其他兩家韓廠，第一季價格上揚幅度超過 10%，帶動營收達 52.1 億美元，季增 14.3%，市占率較前一季提升約 2 個百分點，來到 22.6%。

從營益率表現(xiàn)來看，三星第一季營業(yè)利益率再創(chuàng)歷史新高，由 64% 提升至 69%;SK 海力士亦從第四季的 59% 再提升至 61%，兩家韓廠營業(yè)利益率雙雙突破 6 成;美光則從 53% 再度拉升至 58%。展望第二季，受惠于 DRAM 價格持續(xù)上漲與制程轉(zhuǎn)進強化成本效益，三大廠在營收表現(xiàn)上可望再創(chuàng)新猷，各家獲利率亦可望進一步提升。不過，以三星為例，其營業(yè)利益率高達 69%，意味著毛利率已突破 8 成水位，顯示 DRAM 原廠獲利能力已遠高于買方能接受的程度，報價上揚幅度可能將趨緩。

觀察技術面，三星今年的目標除了維持 18nm 制程高產(chǎn)出占比(約 5-6 成)，即將投入的平澤廠 2 樓 DRAM 產(chǎn)能，也將往下一代 16nm 制程轉(zhuǎn)進。至于 SK 海力士，已于去年底開始導入 18nm 的生產(chǎn)，然而進入 1Xnm 世代制程難度高、轉(zhuǎn)換不易，SK 海力士目前仍致力于提升其 18nm 的良率，其擴廠計劃則維持不變，中國無錫新建的第二座 12 寸廠仍照進度今年底前完工，最快要到 2019 上半年才會開始貢獻產(chǎn)出。而美光方面，中國臺灣美光存儲器(原瑞晶)17nm 已完成 100% 轉(zhuǎn)換，中國臺灣美光晶圓科技(原華亞科)則于第二季開始進行 20nm 往 17nm 的轉(zhuǎn)換，預計今年底將可望有半數(shù)產(chǎn)能轉(zhuǎn)往 17nm 生產(chǎn)。

臺系廠商部分，南亞科受到轉(zhuǎn)進 20nm 帶來明顯的位成長，加上價格持續(xù)走揚，第一季營收較前一季大幅成長 15.1%。20nm 的成本效益更帶動營業(yè)利益率提升至 44.3%，較上季成長 5 個百分點。展望未來，南亞科在 20nm 良率將繼續(xù)向上，透過產(chǎn)品組合持續(xù)優(yōu)化的帶動，獲利表現(xiàn)將可望進一步提升。

力晶科技方面，除了替晶豪科、愛普等 IC 設計業(yè)者代工生意成長外，力晶本身 DRAM 事業(yè)的產(chǎn)品報價亦上揚，帶動 DRAM 營收較上季成長 8.2%;華邦方面 DRAM 營收則約略持平，季成長 1.2%，主要為利基型存儲器報價成長幅度較小所致。