SK Hynix公司發(fā)布了今年Q2季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收10.37萬(wàn)億韓元，同比大漲55%，凈利潤(rùn)4.3萬(wàn)億韓元，同比大漲75%。在過(guò)去的Q2季度中，DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格、出貨量雙雙上漲，帶動(dòng)了SK Hynix業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)，不過(guò)Q3季度內(nèi)存就要降價(jià)了，此時(shí)SK Hynix宣布投資15萬(wàn)億韓元(134億美元)在韓國(guó)建設(shè)內(nèi)存工廠，2020年投產(chǎn)。

持續(xù)了兩年的存儲(chǔ)芯片漲價(jià)風(fēng)波中，NAND閃存已經(jīng)在今年初開(kāi)始降價(jià)，現(xiàn)在的價(jià)格相比2017年巔峰時(shí)的價(jià)格已經(jīng)跌去了50% ，但DRAM內(nèi)存芯片的價(jià)格依然居高不下，今年以來(lái)已經(jīng)上漲了20%。不過(guò)下半年的內(nèi)存走勢(shì)中，業(yè)界普遍認(rèn)為Q3季度內(nèi)存價(jià)格不會(huì)上漲了，最好的情況是持平，可能還會(huì)小幅降低，SK Hynix公司自己也認(rèn)為Q3季度價(jià)格會(huì)下降。

但是內(nèi)存芯片越是有可能降價(jià)，SK Hynix反而越選擇建設(shè)新的晶圓廠提高產(chǎn)能，希望通過(guò)產(chǎn)能增長(zhǎng)抵消內(nèi)存降價(jià)帶來(lái)的影響。SK Hynix日前宣布了新的投資計(jì)劃，將斥資15萬(wàn)億韓元，約合134億美元或者916億人民幣在韓國(guó)總部京畿道利川市3.5萬(wàn)平方米的場(chǎng)地上建設(shè)新的工廠，編號(hào)M16。

SK Hynix的投資將分批進(jìn)行，首先是花費(fèi)3.5萬(wàn)億元韓元(214億人民幣或者31.4億美元)建設(shè)工廠的基礎(chǔ)設(shè)施，之后再投資購(gòu)買設(shè)備，包括下一代EUV光刻機(jī)等，未來(lái)兩年內(nèi)的總支持將達(dá)到15萬(wàn)億韓元。

雖然確定了新工廠投資計(jì)劃，不過(guò)SK Hynix現(xiàn)在還沒(méi)有確定新工廠生產(chǎn)的產(chǎn)品類型及產(chǎn)能，SK Hynix給出的理由是市場(chǎng)面臨不確定性，不過(guò)有消息人士稱M16工廠將主要生產(chǎn)更先進(jìn)的10nm級(jí)內(nèi)存芯片。

在韓國(guó)之外，SK Hynix在中國(guó)無(wú)錫也有DRAM芯片晶圓廠，目前的一期工程產(chǎn)能在10-12萬(wàn)片晶圓/月，是全球重要的DRAM芯片基地之一。今年早些時(shí)候SK Hynix還宣布投資86億美元在無(wú)錫建設(shè)第二座內(nèi)存工廠，預(yù)計(jì)完成后內(nèi)存產(chǎn)能將達(dá)到20萬(wàn)片晶圓/月。