美光公司昨天發(fā)布了2018財(cái)年Q3季度財(cái)報(bào)，營(yíng)收、凈利潤(rùn)分別大漲40%、132%，創(chuàng)造了美光季度營(yíng)收新高，可以說(shuō)數(shù)錢(qián)數(shù)到手抽筋了。美光強(qiáng)勁營(yíng)收的背后是存儲(chǔ)芯片價(jià)格、產(chǎn)能大漲，64層3D NAND閃存已經(jīng)大量出貨，下半年還將推出96層堆棧的3D閃存，內(nèi)存方面1Xnm工藝將在下半年成為主力，1Ynm年內(nèi)出貨，GDDR6顯存也完成了驗(yàn)證。

2018年雖然NAND閃存價(jià)格在下跌，不過(guò)出貨量在增加，而且NAND只占美光營(yíng)收的25%，大頭的還是DRAM內(nèi)存，占據(jù)71%的營(yíng)收，更重要的是內(nèi)存價(jià)格還在穩(wěn)定上漲，之前的業(yè)界消息稱(chēng)直到2020年內(nèi)存行業(yè)的價(jià)格都會(huì)比較健康，不會(huì)像NAND閃存那樣大跌的。

根據(jù)美光的財(cái)報(bào)信息，受益于eMMC、eMCP市場(chǎng)，美光高價(jià)值移動(dòng)NAND閃存營(yíng)收環(huán)比幾乎翻倍，其中85%都是TLC閃存類(lèi)型，去年同期比例不足1%。此外，來(lái)自數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的內(nèi)存、閃存營(yíng)收同比增長(zhǎng)了87%。

嵌入式市場(chǎng)上，美光已經(jīng)完成了基于64層3D NAND閃存的microSD卡驗(yàn)證，設(shè)計(jì)完成了低功耗汽車(chē)電子DRAM內(nèi)存，完成了1Xnm以及GDDR6顯存的驗(yàn)證。

SSD方面，美光已經(jīng)開(kāi)始出貨64層堆棧的企業(yè)級(jí)SATA硬盤(pán)，并出貨了世界首款QLC閃存的SSD硬盤(pán)，核心容量1Tb，堆棧層數(shù)64層。

在技術(shù)研發(fā)方面，美光的96層3D NAND閃存預(yù)計(jì)在今年下半年出樣，UAA架構(gòu)的第四代NAND閃存也在開(kāi)發(fā)中。

內(nèi)存方面，1Xnm工藝的內(nèi)存顆粒在上半年跨越了產(chǎn)能交叉點(diǎn)，也就是說(shuō)成為主力，而1Ynm工藝的DRAM內(nèi)存顆粒預(yù)計(jì)會(huì)在下半年出樣，再下一代的1Znm內(nèi)存芯片已經(jīng)在開(kāi)發(fā)中。