伴隨第三季強(qiáng)勁的旺季備貨需求到來,DRAMeXchange預(yù)估第三季全球DRAM總營收將出現(xiàn)較顯著的增長。第二季筆記本電腦及服務(wù)器相關(guān)產(chǎn)品出貨動能表現(xiàn)一般,因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類別,持續(xù)向行動式內(nèi)存轉(zhuǎn)進(jìn)。
目前全球DRAM市場主要由三星、SK海力士和美光所壟斷,三家企業(yè)占有超過九成的市場份額,不過份額正在往三星和SK海力士兩家韓國企業(yè)集中,而美光的市場份額出現(xiàn)下降勢頭。不禁讓業(yè)界為其擔(dān)憂。
展望營運后市,南亞科指出,受惠旺季效應(yīng),記憶體需求將增溫,價格走穩(wěn),三大廠減少標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品轉(zhuǎn)向生產(chǎn)儲存型快閃記憶體,整體DRAM供給減少,相較上半年,下半年DRAM市況穩(wěn)定并好轉(zhuǎn)。
問題1:什么是DRAM、SRAM、SDRAM?答:名詞解釋如下DRAM--------動態(tài)隨即存取器,需要不斷的刷新,才能保存數(shù)據(jù),而且是行列地址復(fù)用的,許多都有頁模式SRAM--------靜態(tài)的隨
長久以來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“健康狀況”與全球經(jīng)濟(jì)成長息息相關(guān),很少有強(qiáng)大的半導(dǎo)體市場,沒有好的世界經(jīng)濟(jì)在背后支撐它。在七月推出的2016年McClean報告中,市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)測,今年全球GDP成長率僅2.3%,低于全球不景氣門檻(RecessionThreshold)的2.5%...
行業(yè)專家認(rèn)為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
三星電子近日宣布,已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家實現(xiàn)了10nm級別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn),也是繼2014年首個量產(chǎn)20nm DDR3內(nèi)存顆粒后的又一壯舉。
不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域,韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子,但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了,技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商,偏偏現(xiàn)在又遇
三星電子(Samsung Electronics)開始量產(chǎn)18納米DRAM,成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世
大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持,向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。這是繼紫光集團(tuán)進(jìn)軍記憶體領(lǐng)
中國正集中精力發(fā)展國內(nèi)的存儲產(chǎn)業(yè),但是與領(lǐng)先水平之間的競爭之路不會平坦(尤其是DRAM)。我們認(rèn)為存儲技術(shù)的獲得及制造發(fā)展是DRAM行業(yè)新進(jìn)入者所面臨的主要挑戰(zhàn)。 預(yù)計新進(jìn)入者至少需要2-3年時間開發(fā)并量產(chǎn)具有領(lǐng)
DRAM記憶體元月份報價持續(xù)走跌,預(yù)告三星、SK海力士等南韓半導(dǎo)體廠今年路途恐不平順。TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange周二公布數(shù)據(jù)顯示,4GB DDR3記憶體模組合
RAMRAM是指通過指令可以隨機(jī)的、個別的對各個存儲單元進(jìn)行訪問的存儲器,一般訪問時間基本固定,而與存儲單元地址無關(guān)。RAM的速度比較快,但其保存的信息需要電力支持,一旦
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需
21ic訊 Altera公司今天公開業(yè)界第一款異構(gòu)系統(tǒng)級封裝(SiP,System-in-Package)器件,集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲器(HBM2)以及高性能Stratix® 10 FPGA和SoC。Stra
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,DRAM市場在 2015年第二季受到合約均價大幅衰退約10%的影響,雖然位元產(chǎn)出量持續(xù)增加,總產(chǎn)值仍呈現(xiàn)4.8%的季衰退,來到1
市場傳出,DRAM龍頭三星半導(dǎo)體計劃減產(chǎn)三成標(biāo)準(zhǔn)型DRAM,產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)行動式記憶體(Mobile DRAM),以因應(yīng)蘋果新機(jī)出貨,同時通知OEM廠8月起不再調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型DRAM售價。法人預(yù)
近期業(yè)界盛傳三星將減少 PC DRAM 三成產(chǎn)量,將產(chǎn)能轉(zhuǎn)生產(chǎn)需求較高的 Mobile DRAM 與服務(wù)器 DRAM,同時也將有助回穩(wěn) PC DRAM 價格,消息從臺媒傳出,國外連 Barron’s 網(wǎng)站都相繼跟進(jìn),然而,根據(jù)相關(guān)合作廠商透
今年記憶體市況快速轉(zhuǎn)變,DRAM市場因供過于求,價格直直落,原本獲利良好的華亞科,上季毛利率由55%高峰跌落到37%,獲利減幅37%;南亞科雖有利基型DRAM支撐,毛利率也自47%降到42%,獲利減幅也有32%。DRAM價格可望反彈
受惠DRAM事業(yè)蓬勃發(fā)展,三星1Q半導(dǎo)體事業(yè)營收與營利成長率都勝過英特爾。三星官網(wǎng)2015年第1季半導(dǎo)體前五大業(yè)者中,只有三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix