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3D DRAM幫助延長DRAM存儲器的使用壽命

平面DRAM是內(nèi)存單元數(shù)組與內(nèi)存邏輯電路分占兩側(cè)，3D Super-DRAM則是將內(nèi)存單元數(shù)組堆棧在內(nèi)存邏輯電路的上方，因此裸晶尺寸會變得比較小，每片晶圓的裸晶產(chǎn)出量也會更多;這意味著3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。

嵌入式動態(tài)
2017-03-20

3d DRAM 存儲器技術(shù)前沿 super-dram
材料短缺，電子業(yè)關(guān)鍵零組件淡季不降反漲

PCB有“電子產(chǎn)品之母”之稱，面對諸多關(guān)鍵材料銅箔基板、銅箔等報價持續(xù)走高，業(yè)界盛傳，硬板大廠今年罕見在淡季提高報價，外傳漲幅逾三成不等。

電子設(shè)計自動化
2017-03-20

電子業(yè) PCB DRAM
打造臺灣DRAM中心美光27億買下達鴻廠房

美光昨日以新臺幣27.52億元標(biāo)下TPK-KY宸鴻轉(zhuǎn)投資公司達鴻臺中廠房。美光表示，標(biāo)下的臺中廠房未來將用于DRAM先進封測技術(shù)發(fā)展，與美光中科及華亞科廠房進行資源整合，打造中國臺灣地區(qū)DRAM中心。

充電吧
2017-03-15

美光新鮮事達鴻廠房 DRAM
三星狀況頻出，或召回18nmPC存儲器

自Galaxy Note 7 電池爆炸事件與管理層級涉及行賄被起訴后，三星近日又被傳出其產(chǎn)業(yè)重心記憶體模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回，由于三星于 PC DRAM 市占過半，這次良率出問題除了可能讓三星集團的處境雪上加霜外，也會讓價格已上揚的 PC DRAM 價格再度飆高。

半導(dǎo)體
2017-03-02

三星 pc DRAM
造成內(nèi)存瘋漲的五大原因

回顧去年，不難發(fā)現(xiàn)，存儲器行業(yè)大熱，一直都呈現(xiàn)為上升的趨勢，如果說去年買什么IT產(chǎn)品最賺錢，相信大部分人都會第一時間想到內(nèi)存，沒錯，這兩年時間，內(nèi)存翻了一番都不止，早在去年的下半年，就已經(jīng)有消息傳出今年Q1內(nèi)存還會再漲15%左右，事實果然沒有讓大家失望，只開年一個月時間，內(nèi)存果然再次飆升18%，現(xiàn)在的DRAM內(nèi)存顆粒市場現(xiàn)貨價格已經(jīng)達到最近18個月以來的最高值，漲漲漲的趨勢依然在繼續(xù)。

嵌入式動態(tài)
2017-02-17

內(nèi)存 DRAM 技術(shù)前沿
美光良心!強力擴充DRAM產(chǎn)能：內(nèi)存降價福音

內(nèi)存和SSD從去年中旬到今年連續(xù)漲價，最夸張的局面是，一塊SATA 3的固態(tài)盤，如今甚至要多花一倍的錢。

充電吧
2017-02-15

美光內(nèi)存新鮮事 DRAM
價格暴漲使三大DRAM廠營業(yè)或利率飆升

TrendForce 內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示，在旺季需求帶動，以及內(nèi)存價格全面飆漲的態(tài)勢下， 2016 年第四季全球 DRAM 總體營收大幅季成長約 18.2%。

嵌入式動態(tài)
2017-02-15

三星內(nèi)存 DRAM 技術(shù)前沿
Sony把 DRAM 內(nèi)存夾入以后手機可拍攝1000幀/秒超慢動作效果

不久前 Sony 才發(fā)布了一款比米粒還小的微型感光元件，近日則進一步發(fā)布拍攝幀率可達 1,000fps 的超高速 CMOS 感光元件，可見近期 Sony 在感光元件的研發(fā)上已不局限于傳統(tǒng)的畫質(zhì)、感光度等需求，而是往更多面向在研發(fā)新的感光元件科技。

嵌入式動態(tài)
2017-02-14

內(nèi)存 sony DRAM 技術(shù)前沿
美光計劃出售 NOR Flash 業(yè)務(wù) 點名華邦電接手

近年來，企業(yè)加速整合并購，有一些企業(yè)也自我斷臂修整，以讓關(guān)鍵業(yè)務(wù)盈利能力更強，由于經(jīng)濟效益不明顯，美光計劃出售Nor Flash業(yè)務(wù)，全力發(fā)展 DRAM 及 NAND FLASH 。根據(jù)

嵌入式動態(tài)
2017-02-13

nand 美光 Flash nor 行業(yè)資訊 DRAM
存儲器產(chǎn)業(yè)大熱如何應(yīng)對高風(fēng)險

存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè)，同時也是一個高度壟斷和高風(fēng)險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地正式開工建設(shè)，同時福建晉華和合肥長芯等存儲器項目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。

嵌入式動態(tài)
2017-02-09

存儲 Flash DRAM 技術(shù)前沿
漲漲漲!DRAM內(nèi)存顆粒價格創(chuàng)18月新高

專業(yè)存儲調(diào)研機構(gòu)集邦科技(DRAMeXchange)的數(shù)據(jù)顯示，DRAM內(nèi)存顆粒的市場現(xiàn)貨價格已經(jīng)達到最近18個月以來的最高值，漲漲漲的趨勢依然在繼續(xù)...

半導(dǎo)體
2017-02-07

存儲內(nèi)存 DRAM
一篇文章帶你看穿存儲產(chǎn)業(yè)的顛覆者—3D Xpoint

目前英特爾和美光對3D XPoint應(yīng)用的物理特性閉口不談，資料更是匱乏。一些不具名的介紹資料顯示，3D XPoint使用的標(biāo)記數(shù)據(jù)狀態(tài)的物理值不是業(yè)內(nèi)常用的電壓、也不是電流...

半導(dǎo)體
2017-02-07

存儲 xpoint 3d DRAM
瘋狂的存儲器繼DRAM、NAND之后，NOR也漲瘋了

最近幾年存儲器市場大熱，儲存型快閃存儲、DARM在淡季爆出“大冷門”，飆出歷年最大漲幅后，編碼型快閃存儲也緊隨其后，在蟄伏4年后，首次漲價，首季調(diào)漲5~7%不等，下季漲幅更大，估計會超過10%。

嵌入式動態(tài)
2017-02-03

元器件 nand Flash nor DRAM 技術(shù)前沿
DRAM市況走出瓶頸期中國進軍存儲器能否順利

2016年DRAM市場情況可謂是“跌宕起伏”，上半年需求不振，持續(xù)跌價，第三季后，在中國智慧行手機出貨多，筆電出貨回溫的前提下，DRAM的平均銷售單價開始大幅度上揚。

嵌入式動態(tài)
2017-01-24

筆電 DRAM 存儲器技術(shù)前沿
我國為何把3D NAND作為入局半導(dǎo)體的最佳切入點？

長江存儲成立后，大陸在這個階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟不足導(dǎo)致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當(dāng)然是原因之一，但不是全部。

半導(dǎo)體
2017-01-13

nand 3d DRAM
三星移動AP首次進軍汽車領(lǐng)域向奧迪供應(yīng)內(nèi)存芯片

據(jù)知名爆料人士的消息，三星已與奧迪簽訂合同，將從2018年開始供應(yīng)Exynos處理器，這是三星移動AP首次進軍汽車領(lǐng)域。

半導(dǎo)體
2017-01-11

半導(dǎo)體三星 DRAM
2017 年 DRAM 價格將持續(xù)攀高

2016 年 DRAM 產(chǎn)業(yè)市況轉(zhuǎn)折相當(dāng)大，歷經(jīng)上半年需求不振，持續(xù)跌價的態(tài)勢，至第三季后，才在中國智能手機出貨暢旺、筆電出貨回溫下，DRAM 的平均銷售單價開始大幅上揚。展望未來，TrendForce 旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 預(yù)估，2017 年整體 DRAM 供給位成長將小于 20%，為歷年來最低，在需求面沒有明顯轉(zhuǎn)弱的前提下，預(yù)估全年度 DRAM 供給成長將小于需求成長，可望帶動 DRAM 價格持續(xù)攀高，維持供應(yīng)商全面獲利的狀態(tài)。

嵌入式動態(tài)
2016-12-14

DRAM 技術(shù)前沿
VLT技術(shù)顛覆傳統(tǒng)DRAM結(jié)構(gòu)

DRAM的結(jié)構(gòu)可謂是簡單高效，每一個bit只需要一個晶體管另加一個電容。但是電容不可避免的存在漏電現(xiàn)象，如果電荷不足會導(dǎo)致數(shù)據(jù)出錯，因此電容必須被周期性的刷新，這也是DRAM的一大特點。而且電容的充放電需要一個過

21ic專訪
2016-10-20

技術(shù)專訪 vlt 無電容 DRAM
Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局

半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在201

通信技術(shù)
2016-10-14

vlt技術(shù) koilpass DRAM
DRAM頹勢，美光收購華亞科恐生變數(shù)

最近幾年半導(dǎo)體行業(yè)可謂是風(fēng)云變幻，并購案一波未平一波又起。美光本來應(yīng)該在2016年7月底完成對華亞科的收購，但卻宣布無法在預(yù)定時間內(nèi)完成收購，一時讓市場紛紛猜測美光收購華亞科項目恐生變數(shù)。

單片機
2016-08-12

美光華亞科 DRAM

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DRAM

3D DRAM幫助延長DRAM存儲器的使用壽命

材料短缺，電子業(yè)關(guān)鍵零組件淡季不降反漲

打造臺灣DRAM中心美光27億買下達鴻廠房

三星狀況頻出，或召回18nmPC存儲器

造成內(nèi)存瘋漲的五大原因

美光良心!強力擴充DRAM產(chǎn)能：內(nèi)存降價福音

價格暴漲使三大DRAM廠營業(yè)或利率飆升

Sony把 DRAM 內(nèi)存夾入以后手機可拍攝1000幀/秒超慢動作效果

美光計劃出售 NOR Flash 業(yè)務(wù) 點名華邦電接手

存儲器產(chǎn)業(yè)大熱如何應(yīng)對高風(fēng)險

漲漲漲!DRAM內(nèi)存顆粒價格創(chuàng)18月新高

一篇文章帶你看穿存儲產(chǎn)業(yè)的顛覆者—3D Xpoint

瘋狂的存儲器繼DRAM、NAND之后，NOR也漲瘋了

DRAM市況走出瓶頸期中國進軍存儲器能否順利

我國為何把3D NAND作為入局半導(dǎo)體的最佳切入點？

三星移動AP首次進軍汽車領(lǐng)域向奧迪供應(yīng)內(nèi)存芯片

2017 年 DRAM 價格將持續(xù)攀高

VLT技術(shù)顛覆傳統(tǒng)DRAM結(jié)構(gòu)

Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局

DRAM頹勢，美光收購華亞科恐生變數(shù)

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