大陸半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展進(jìn)程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時(shí)期、改革開(kāi)放前的起步探索時(shí)期、改革開(kāi)放初期的開(kāi)發(fā)引進(jìn)時(shí)期、全面布局的重點(diǎn)建設(shè)時(shí)期、高速發(fā)展期等階段之后，2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期，當(dāng)中2014年6月國(guó)務(wù)院發(fā)布的《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、國(guó)家集成電路大基金，更成為中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展最大的轉(zhuǎn)捩點(diǎn)。

爾后不論是中國(guó)制造2025、十三五規(guī)劃等新世紀(jì)發(fā)展戰(zhàn)略的帶動(dòng)，或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國(guó)家發(fā)改委正式宣布《資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》，確定集成電路等九大資訊產(chǎn)業(yè)將是發(fā)展重點(diǎn)，均顯示官方對(duì)于半導(dǎo)體業(yè)的支持力道并未減弱，且仍持續(xù)進(jìn)行中。

至于在半導(dǎo)體發(fā)展模式的選擇上，如果參考全球主要供應(yīng)國(guó)的經(jīng)驗(yàn)，過(guò)去美國(guó)、日本、韓國(guó)、臺(tái)灣地區(qū)皆有所不同，以美國(guó)來(lái)說(shuō)，其可稱為創(chuàng)新引領(lǐng)的模式，也就是美國(guó)從軍工時(shí)代、PC時(shí)代、智慧型手機(jī)時(shí)代，均以創(chuàng)新的研發(fā)技術(shù)取得先發(fā)者的優(yōu)勢(shì)，迄今仍坐穩(wěn)全球第一大半導(dǎo)體供應(yīng)國(guó)的角色;

日本則是消化吸收、自主創(chuàng)新的模式，可謂是1970～1990年家電產(chǎn)業(yè)繁榮時(shí)最強(qiáng)的半導(dǎo)體后發(fā)崛起者;韓國(guó)為集中式發(fā)展、品牌化超越的模式，主要由大財(cái)團(tuán)或大企業(yè)來(lái)主導(dǎo)，特別是打造存儲(chǔ)器王國(guó)，2017年第二季韓國(guó)在全球行動(dòng)式記億體、DRAM、NAND Flash的市占率分別高達(dá)83.2%、73.5%、45.5%;

臺(tái)灣地區(qū)則是走獨(dú)步全球的專業(yè)分工模式，在2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值排行中，僅次于美國(guó)位居第二，超越韓國(guó)、日本、歐洲、中國(guó)大陸、新加坡，這個(gè)國(guó)際領(lǐng)先地位與重大成就是臺(tái)灣地區(qū)的驕傲。

事實(shí)上，中國(guó)大陸半導(dǎo)體的發(fā)展模式正透過(guò)「設(shè)計(jì)+晶圓代工+封測(cè)」和「記憶體」兩條線并進(jìn)的方式進(jìn)行國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)，前者是學(xué)習(xí)臺(tái)灣地區(qū)模式從晶圓代工切入，「晶圓代工+封測(cè)」形成虛擬IDM，并進(jìn)一步孵化整合集成設(shè)計(jì)公司，后者是學(xué)習(xí)韓國(guó)模式從記憶體切入，采用IDM模式，希望未來(lái)抓住3D NAND Flash技術(shù)升級(jí)的機(jī)遇。

首先，大陸半導(dǎo)體遵循的「設(shè)計(jì)—制造—封裝」產(chǎn)業(yè)鏈孵化方式，近年來(lái)已有所成效，且隨著結(jié)構(gòu)調(diào)整效果的浮現(xiàn)，大陸集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)正不斷優(yōu)化中，意即產(chǎn)業(yè)持續(xù)往上游高附加價(jià)值的部分來(lái)發(fā)展，大陸集成電路設(shè)計(jì)占整體集成電路比重從2006年18%上升至2017年上半年的38%;

反觀半導(dǎo)體封裝及測(cè)試在大陸集成電路產(chǎn)業(yè)占比從2006年的51%下降至2017年上半年的36%;至于集成電路制造業(yè)2017年上半年占整體集成電路產(chǎn)業(yè)比重則為26%的水準(zhǔn);顯然大陸集成電路設(shè)計(jì)業(yè)、半導(dǎo)體封裝及測(cè)試業(yè)比重一長(zhǎng)一消的比重變化趨勢(shì)仍持續(xù)，代表大陸集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)正在向技術(shù)含量較高的方向發(fā)展。

至于中國(guó)半導(dǎo)體第二條發(fā)展路徑--學(xué)習(xí)韓國(guó)模式從記憶體切入，雖然2015～2016年布局情況似完整，也就是中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)器制造業(yè)有三大主力，包括以紫光與武漢新芯為首的陣營(yíng)，將主力發(fā)展DRAM、NOR Flash、3D NAND Flash等產(chǎn)品，亦有以利基型DRAM為發(fā)展重心的福建晉華，更有專攻DRAM的合肥市政府;

但受制于國(guó)際大廠布下綿密的專利網(wǎng)，且力阻大陸進(jìn)行海外存儲(chǔ)器廠的購(gòu)并，在無(wú)技術(shù)授權(quán)來(lái)源、人才短缺之下，大陸存儲(chǔ)器事業(yè)要從0走到1仍顯困難，紫光國(guó)芯宣布暫停整并長(zhǎng)江存儲(chǔ)似乎透露端倪，意謂2018年大陸即將進(jìn)入存儲(chǔ)器量產(chǎn)的時(shí)程恐有疑慮，未來(lái)對(duì)岸如何完成最后半導(dǎo)體的一塊拼圖，各界都相當(dāng)關(guān)注。