存儲器缺貨和漲價問題一直是電子產(chǎn)品企業(yè)的心頭病，而最近東芝存儲器要延期供貨，美光晶圓半數(shù)報廢，再一次吹響存儲器缺貨大戰(zhàn)的號角。盡管每次缺貨潮都讓三星、海士力等上游廠家賺得盆滿缽盈，但實際上這也是下游企業(yè)的災難。同時，缺貨導致的漲價使市場呈現(xiàn)一片虛假繁榮的景象，但有機構(gòu)預測存儲器市場泡沫將于2019年破裂。在泡沫來臨之際，行業(yè)都在期待救世主來戳破這個泡沫，中國能否擔當重任?

缺貨潮更洶涌

存儲器漲價從2016年下半年開始，根據(jù)IC Insights的預計，2017年內(nèi)存(DRAM)價格漲幅將達到39%，閃存(Flash)漲幅也有望達到25%。因此存儲器被普遍稱為“半導體產(chǎn)業(yè)的皇冠”，甚至被稱為“期貨”。

漲價只是讓下游應用少點利潤，但缺貨卻是致命的，因此有人戲稱“這是一個得存儲器者得天下的時代”。從目前來看，這種缺貨潮有可能越演越烈。

據(jù)臺灣科技新報報道，日前美光科技廠房制程所需的氮氣出狀況，造成約 6 萬片晶圓受污染，逾半晶圓報廢，廠房目前仍處停工狀態(tài)。盡管臺灣美光一再重申，并發(fā)出書面聲明強調(diào)，桃園廠并無發(fā)生氮氣外泄事件，也無撤離廠區(qū)人員，僅有些微廠務狀況，但已迅速恢復運作，相關業(yè)務并無受到任何實質(zhì)影響。但根據(jù)消息人士轉(zhuǎn)述，臺灣美光受污染的產(chǎn)線恐怕最快要3個月才能恢復生產(chǎn)。

此外，一直沸沸揚揚的東芝半導體出售事件再起波瀾。Sankei Biz 8日報導，東芝原計劃于6月28日和日美韓聯(lián)盟簽訂契約，但因現(xiàn)階段尚未達成共識，該計劃未能實現(xiàn)。而因SK 海士力與西部數(shù)據(jù)攪局，東芝存儲器出售簽約時間有可能將延至8月以后。此事或?qū)⒂绊憱|芝存儲器供貨周期延長。

受到 DRAM 廠商制程轉(zhuǎn)進不易、短期缺乏大幅新增產(chǎn)能下等因素影響，DRAM自去年漲價至今尚未停息。當下再受美光及東芝事件的沖擊下，這波存儲器缺貨短期內(nèi)恐難以解決。

供需失衡

導致存儲器市場出現(xiàn)這種亂象的原因是供需失衡，一方面是應用需求不斷增長，另一方面是存儲器處于寡頭時代，供應不足。

隨著DRAM先進工藝制程的發(fā)展，DRAM 產(chǎn)業(yè)應用范圍越來越廣。從主流應用 PC端、手機等消費電子，發(fā)展到現(xiàn)階段又開啟了新一代應用包括服務器、云端、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、人工智能等，可以說當前DRAM 產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進入多元化應用。而這些多元化應用都將帶動存儲器需求，尤其當前堪稱萬億級市場的物聯(lián)網(wǎng)與5G通信對存儲器需求量會更大。因而，DRAM 或?qū)⒚媾R產(chǎn)能不足、長期供不應求的局面。

其次，與廣泛的應用領域形成鮮明對比的是，存儲器產(chǎn)業(yè)的高度集中。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，截至2016年三季度，全球DRAM市場份額分布為三星(50.2%)、海力士(24.8%)、美光(18.5%)、南亞(3.1%)、華邦電子(1.7%)、力晶科技(0.6%)、其他(1.2%)。內(nèi)存模組廠商包括金士頓、美光等，金士頓是全球第一大內(nèi)存模組廠商，2015年市占率高達68%?？梢哉f，全球主要DRAM產(chǎn)能僅由幾間廠家壟斷提供，寡頭競爭格局尤為突出，這直接導致全球范圍內(nèi)的持續(xù)缺貨。

泡沫來臨

分析師表示2017年DRAM內(nèi)存漲價將達到39%，NAND閃存漲價也有21%，市場價值大漲60%-70%，廠商的運營利潤也維持在40%-60%的高位。

存儲器的持續(xù)漲價也強力帶動了存儲公司的發(fā)展。據(jù)了解，提供存儲IP的Kilopass，在過去的2008年至2016年間，公司的增長速度是IC行業(yè)的10倍。目前Kilopass擁有OTP方面的專利超過70個，客戶超過了250家(IDM和IC設計公司)，僅TSMC 10納米的eFuse出貨量就超過了100億。

值得注意的是，存儲器漲價帶來的不僅是正面的收益，相反，對于下游企業(yè)來說，其實是災難。7月12日，全志科技晚間公告顯示，2017年上半年受存儲器件及顯示屏等價格持續(xù)上漲影響，下游市場需求受到抑制，公司一季度營收同比下滑了約25%。預計上半年盈利100萬元-300萬元，同比降95.46%-98.49%。

對此，日前Gartner預測稱，雖然今年全球半導體銷售額首次超過4000億美元，但到2019年，繁榮景象將會消失。Gartner研究副總裁安德魯?諾伍德表示：“企業(yè)在儲存器市場大量投資，但之后將再次失去這些利潤。據(jù)推測，隨著儲存器供應商增加新的供應量，存儲器市場泡沫將于2019年破裂。”

但是由誰來戳破泡沫?誰能夠擔當重任力挽狂瀾?

中國能否成為救世主?

眾所周知，戳破存儲器泡沫的方式就是增加供給，而中國企業(yè)目前正在大舉進入存儲器市場，并且取得了一定的成果，因此有望幫市場解渴。

上個月，兆易創(chuàng)新擬以65億元收購北京矽成100%股權。分析人士認為，作為國內(nèi)存儲器芯片設計龍頭，收購北京矽成能使兆易創(chuàng)新在原有NOR Flash市場優(yōu)勢的基礎上，增添NAND和MCU等新的成長點，幫助公司補全存儲器版圖，打造具有全球影響力的存儲器業(yè)務。

同時，在國家大力扶持集成電路產(chǎn)業(yè)及芯片進口替代加快的趨勢下，存儲器行業(yè)迎來一輪蓬勃發(fā)展期。“全球晶圓廠預測”最新報告指出，2017年中國總計有14座晶圓廠正在興建，并將于2018年開始裝機?？傆?017年中國將有48座晶圓廠有設備投資，支出金額達67億美元。展望2018年，中國將有49座晶圓廠有設備投資，支出金額約100億美元。

目前，長江存儲32層3D NAND芯片預計2018年實現(xiàn)量產(chǎn)，福建省晉華12寸新廠32納米制程預期在2018年9月才開始試產(chǎn)，而合肥長鑫12寸存儲晶圓廠預計2019年底才能實現(xiàn)達12.5萬片的月產(chǎn)能。

此外，目前中科院上海微系統(tǒng)所研發(fā)的國際領先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應用在打印機領域，并實現(xiàn)千萬量級市場化銷售。據(jù)了解，該相變存儲器具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點，目前，國際上僅有三星、英特爾等推出了相關產(chǎn)品，但多為非嵌入式相變存儲器產(chǎn)品。有分析人士由此推測，未來中國在該領域有望實現(xiàn)“彎道超車”。

隨著中國本土存儲芯片制造廠商的加快發(fā)展及國外半導體龍頭的大力投資，加上相變存儲器的強勢助力，一旦上述晶圓廠的產(chǎn)能全部釋放或相變存儲器能夠廣泛應用，或能夠讓中國一舉成為全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的引領者，進而打破當前由漲價潮引發(fā)的市場泡沫。