三星電子的韓國華城廠(Hwaseong)，即將擴(kuò)產(chǎn)的傳聞延燒許久。最新消息顯示，三星決定投資 3 萬億韓元(約 26.4 億美元)提升 DRAM 產(chǎn)能。不過由于未來 11 線不再生產(chǎn) DRAM，產(chǎn)能一增一減之下，應(yīng)該不至于沖擊 DRAM 供給。

韓媒 etnews 2 日報(bào)導(dǎo)，業(yè)界消息指出，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門將擴(kuò)充華城廠 17 線的 DRAM 產(chǎn)能，生產(chǎn) 10 納米等級的 DRAM。三星已告知設(shè)備廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，并在 3 月向部分業(yè)者下單，估計(jì)投資金額約為 2.5~3 萬億韓元，完工后每月增產(chǎn) 3.5 萬片 300 毫米的硅晶圓，預(yù)定今年下半初步生產(chǎn)。

三星華城廠為綜合晶圓廠，17 線生產(chǎn) DRAM、11 線生產(chǎn)影像感測器和 DRAM、16-2 線生產(chǎn) 3D NAND flash、S3 線生產(chǎn) 10 納米系統(tǒng)半導(dǎo)體。

如今 11 線將轉(zhuǎn)為全數(shù)生產(chǎn)影像感測器 CMOS 和 CIS，不再生產(chǎn) DRAM。三星為了彌補(bǔ)產(chǎn)能損失，決定擴(kuò)大 17 線的 DRAM 產(chǎn)能。相關(guān)人士表示，此一投資是為了彌補(bǔ) 11 線產(chǎn)能縮減和制程微縮損失，對 DRAM 供需幾乎沒有影響。

華城廠投資全數(shù)落實(shí)后，廠內(nèi)不再有多余空間，三星計(jì)劃在 17 線旁的停車場，另蓋新廠，考慮用于生產(chǎn) 7 納米的系統(tǒng)半導(dǎo)體。

在此之前，韓媒不斷猜測華城廠擴(kuò)產(chǎn)的目的。