EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應晶體管(eGaN® FET),對比前一代的產品,這些晶體管的尺寸減半,而且性能顯著提升。
宜普電源轉換公司(EPC)宣布位于美國弗吉尼亞州的Blacksburg應用中心落成。該中心進一步支持增強型氮化鎵晶體管及集成電路的研發(fā)及應用,從而擴大潛在市場的覆蓋率。除了基于傳統的場效應晶體管及集成電路的功率轉換應用外,氮化鎵技術推動新興應用的出現,包括無線電源傳輸、應用于全自動駕駛車輛的激光雷達技術及 支持4G和5G通信標準的包絡跟蹤應用。
EPC9126開發(fā)板基于具備超快速的轉換速度特性的eGaN FET,可通過大電流脈沖及低至5 ns的總脈寬來驅動激光二極管,從而提高激光雷達系統的偵測資料的質素,包括偵測資料的準
EPC公司將于國際消費電子展CES® 2017在Mandalay Bay酒店與客戶見面的Hospitality Suite展示氮化鎵(GaN)技術是眾多最新應用的主要技術,包括自動駕駛汽車、不使用電源線的未來家居、互聯汽車及于藥丸內的微型X光系統以非侵入式方法進行結腸鏡檢查等應用。
宜普電源轉換公司(EPC)宣布加快推出基于磁共振技術的無線充電系統。該系統采用WiTricity的參考設計,內含基于氮化鎵器件的ASD解決方案,可以滿足客戶和終端系統生產商對基于氮化鎵技術的無線充電產品不斷增長的需求。
宜普電源轉換公司(EPC)發(fā)布第八階段可靠性測試報告。該報告表明,在累計超過800萬個器件-小時的應力測試后,沒有器件發(fā)生失效的情況。該報告詳細探討EPC器件在被確認為合格產品前所經受的各項應力測試,并且分析器件失效的物理原因。
前面說過在EPC中,PS域是重點,因此接下來就簡單介紹一下PS域的一些接口。S1接口對核心網來說,S1接口可能是很多種接口之一,但是對LTE人來說,這就是天字號第一接口,因為
EPC與ASD公司啟動增值合作伙伴計劃,攜手為客戶共創(chuàng)美好未來,支持客戶利用基于eGaN®技術,從概念開發(fā)到產品制造,共同開發(fā)出全新的無線充電應用及其它的新興應用。
具備優(yōu)越特性的eGaN® FET與集成電路可以實現的低成本解決方案是在發(fā)射端采用單個功率放大器,而在接收端無論是采用什么標準,也可以實現無線充電。
宜普電源轉換公司制作了6個視頻,于網上分享采用eGaN® FET及集成電路(IC)并面向最終用戶的應用。這些視頻展示出氮化鎵技術如何改變了我們的生活方式及挑戰(zhàn)功率系統設計工程師如何在他們的新一代功率系統設計中發(fā)揮氮化鎵場效應晶體管的卓越性能。
EPC公司的全新開發(fā)板可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器,展示出基于eGaN FET、采用同步自舉電路的柵極驅動器在高頻工作時可以減少損耗。
宜普電源轉換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告,展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現場數據的分布結果,以及提供在累計超過700萬器件-小時的應力測試后的詳盡數據。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產品的復合0.24 FIT失效率的現場數據。這個數值與我們直至目前為止所取得的現場評估的結果是一致的,證明在商業(yè)化的功率開關應用中,eGaN FET已經準備好可以替代日益老化的等效硅基器件。
宜普電源轉換公司宣布推出EPC2040功率晶體管,它是一種超小型、具備快速開關性能的氮化鎵功率晶體管,面向高速終端應用,可實現優(yōu)越的分辨率、更快速的響應時間及更高準確度。此外,由于在整個工作溫度范圍內,器件具有高準確度門限,因此當鐳射受熱,可確保系統的穩(wěn)定性。例如該晶體管在LiDAR技術所采用的脈沖式鐳射驅動器是理想的器件。LiDAR技術是全自動駕駛汽車的導航系統及擴增實景平臺的重要技術。EPC2040的優(yōu)越性能在這些系統中可以實現更高準確度及分辨率。
張遠哲博士將為業(yè)界的包絡跟蹤應用創(chuàng)建設計基準及幫助客戶利用氮化鎵場效應晶體管(eGaN® FET)實現高頻、高性能的電源轉換系統。宜普電源轉換公司(EPC)宣布張遠哲(Yuanzhe Zhang)博士加入EPC的應用工程團隊,擔任
《無線電源手冊》第二版是全新增訂本,旨在幫助工程師如何發(fā)揮氮化鎵功率晶體管的卓越性能以設計出面向無線電源傳送系統的高效放大器。宜普電源轉換公司宣布推出《無線電源
宜普公司的《DC/DC轉換手冊》與工程師分享如何在數據通信設備及其它功率轉換應用中利用氮化鎵(GaN)功率晶體管提高效率及功率密度。
宜普電源轉換公司推出增強型氮化鎵IC系列的最新成員-- EPC2110。EPC2110是一種具有120 VDS、20 A的雙路共源極器件,它采用非常纖薄的封裝(1.35 mm x 1.35 mm),于柵極施加5 V電壓時的最高RDS(on) 為 60 mΩ。由于EPC2110具備超高開關頻率、超低RDS(on)、異常低的QG及采用非常纖薄的封裝,因此這種氮化鎵IC可以實現高性能。
2015年11月11日-13日,為期三天的年第86屆中國電子展將在上海新國際博覽中心隆重開幕。本屆展會將是全中國乃至全亞洲電子行業(yè)的盛會,展會以“信息化推動工業(yè)化,電子技術促進產業(yè)升級”為主題,計劃展會規(guī)模60000平方米,1200家展商、60000名買家和專業(yè)觀眾,在這里遠大創(chuàng)新電子作為一家國內知名的貿易公司,將攜新代理的多種新產品亮相展會。
全新eGaN FET (EPC2039)具備優(yōu)越性能、大功率及采用超小型封裝的優(yōu)勢,其價格也可以支付得起。 宜普電源轉換公司宣布推出EPC2039功率晶體管。該產品是一種具備高功率密度的增強型氮化鎵((eGaN)功率晶體管,其尺寸只是1.82 mm2、80 VDS、6.8 A及在柵極上施加5 V電壓時的最大阻抗為 22 mΩ。 由于它在超小型封裝內具備高開關性能,因此它在電源轉換系統具備高性能優(yōu)勢。
氮化鎵功率晶體管 -- EPC2106為功率系統設計師提供的解決方案可以在2 MHz以上頻率開關,從而不會干擾AM頻段及降低過濾成本,因此是具備低失真性能的D類音頻放大器的理想選擇。 宜普電源轉換公司宣布推出單片半橋式增強型氮化鎵晶體管 -- EPC2106。通過集成兩個eGaN®功率場效應晶體管而成為一個集成電路可以去除互感及PCB板上器件之間所需的間隙空間,從而提高效率(尤其是在更高頻時)及提高功率密度而同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。