EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN®FET非?？煽浚瑸楣こ處熖峁┛尚刨嚰翱?替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結(jié)果，以及提供在累計超過700萬器件-小時的應(yīng)力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應(yīng)力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復(fù)合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個數(shù)值與我們直至目前為止所取得的現(xiàn)場評估的結(jié)果是一致的，證明在商業(yè)化的功率開關(guān)應(yīng)用中，eGaN FET已經(jīng)準(zhǔn)備好可以替代日益老化的等效硅基器件。

宜普公司首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)始人Alex Lidow說：「要能驗證全新技術(shù)的可靠性是一個重大的挑戰(zhàn)。EPC非常重視所有產(chǎn)品的可靠性。本階段的測試結(jié)果及報告表明，由于EPC的氮化鎵產(chǎn)品具備必備的可靠性，因此是替代硅基技術(shù)的首選半導(dǎo)體器件。」

本報告闡述我們對eGaN FET進(jìn)行廣泛的應(yīng)力測試的結(jié)果。這些測試同樣是對硅基功率MOSFET進(jìn)行的典型測試方法，以證明eGaN FET在各種應(yīng)力測試條件下，可否符合JEDEC的最新標(biāo)準(zhǔn)。各種測試包括：

·高溫反向偏置[(HTRB)

·高溫柵極偏置[(HTGB)

·溫度循環(huán)(TC)

·高溫高濕反向偏置[(H3TRB)

·早期壽命失效率(ELFR)

·間歇工作壽命(IOL)

EPC公司持續(xù)地對器件進(jìn)行廣泛的測試。結(jié)果表明，各種器件的固有技術(shù)及所具備的環(huán)保優(yōu)勢都是可信賴的。第一至第七階段的可靠性測試報告可以在我們的網(wǎng)站找到，網(wǎng)址是www.epc-co.com.cn.