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Komatsu、Ushio拆夥 影響EUV光源開發(fā)？
日本的 Komatsu 和 Ushio 稍早前宣布，已終止有關光源合資企業(yè) Gigaphoton 的合作協(xié)議。 Komatsu 將從 Ushio 手中買下50%股權。未來 Gigaphoton 將成為 Komatsu 的全資子公司。而此舉會為EUV的未來投下何種變數仍有待
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Imec發(fā)布EUV掩膜缺陷評估方面的成果
Imec聯合合作伙伴發(fā)布兩份EUV掩膜評估結果，結果顯示EUV供應商須在檢測掩膜缺陷能力方面進行改善。并與Zeiss SMS合作通過實驗演示了一項消除缺陷的補償技術。
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EUV掩膜版清洗技術遭遇資金危機
本周在奧斯汀由美國半導體制造技術戰(zhàn)略聯盟(Sematech)牽頭舉辦的表面制備與清潔技術大會(SPCC:Surface Preparation and Cleaning Conference)上,與會者紛紛表示EUV光刻技術的發(fā)展對EUV有關的量測技術以及掩膜清潔技術
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光刻世界的期待與沮喪
數十年來，光刻一直是關鍵的芯片生產技術。今天它仍然很重要。不過，在最近的SPIE先進光刻技術大會中，一些跡象顯示，光刻界及其客戶需要的微縮──字面上的微縮──事實上幾乎已經有點像心理安慰了。 焦慮、緊張
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微影世界的藍色憂郁
數十年來，微影一直是關鍵的晶片生產技術。今天它仍然很重要。不過，在最近的 SPIE 先進微影大會中，一些跡象顯示，微影社群及其客戶需要的微縮──字面上的微縮──事實上幾乎已經有點像心理安慰了。焦慮、緊張和憂
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英特爾10nm設計規(guī)則初定 EUV技術恐錯過良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。但英特爾微影技
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英特爾10nm設計規(guī)則初定 EUV技術恐錯失良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。但英特爾微影技
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英特爾10nm設計規(guī)則初定 EUV技術恐錯過良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。但英特爾微影技
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英特爾10nm設計規(guī)則初定，EUV技術恐錯過良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。但英特爾微影技
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英特爾10nm設計規(guī)則初定，EUV技術恐錯過良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。 但英特爾微
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EUV又遲到 專家看好“定向自組裝”
幾年前，定向自組裝技術(Directed self-assembly, DSA)還是一出實驗室大門，就幾乎無人知曉的名詞，但未來，它將成為半導體制造業(yè)中的一種合法競爭技術?！澳憬^對不能忽視定向自組裝，”應用材料公司(Applied Materi
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英特爾：EUV技術恐趕不上10nm節(jié)點進度
英特爾公司正在計劃將目前的 193nm 浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家晶片業(yè)巨擘也希望能在2015年下半年于 10nm 邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。但英特爾微
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Intel：EUV技術的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術的腳步
在最近召開的SPIE高級光刻技術會議上，記者了解到了更多有關Intel與EUV光刻技術方面的新動向，據了解，Intel將EUV光刻技術應用到大批 量生產的時間點將會遲于Intel推出14nm制程產品的時間點，而且按現在的發(fā)展趨勢來
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Intel：EUV技術的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術的腳步
在最近召開的SPIE高級光刻技術會議上，記者了解到了更多有關Intel與EUV光刻技術方面的新動向，據了解，Intel將EUV光刻技術應用到大批量生產的時間點將會遲于Intel推出14nm制程產品的時間點，而且按現在的發(fā)展趨勢來看
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Intel：EUV技術的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術的腳步
在最近召開的SPIE高級光刻技術會議上，記者了解到了更多有關Intel與EUV光刻技術方面的新動向，據了解，Intel將EUV光刻技術應用到大批 量生產的時間點將會遲于Intel推出14nm制程產品的時間點，而且按現在的發(fā)展趨勢來
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巴克萊分析師：緊隨TSV/EUV技術 450mm大潮2018年將至
不久前臺積電公司公布自己轉向450mm技術后，巴克萊公司分析師 CJ Muse最近發(fā)表了其對450mm技術未來走向的新預測，他認為450mm技術的大潮將在2018年以前來臨，不過在此之前各大芯片制造廠商會先完成其它 幾項重要的技
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半導體廠商高層在“世界半導體峰會”發(fā)布戰(zhàn)略演講
“世界半導體峰會@東京2011～半導體產業(yè)，成長宣言～”(2011年1月24日于日經大廳召開，《日經電子》主辦)隆重舉行，各大半導體廠商高層分別就各自的發(fā)展戰(zhàn)略等發(fā)表了演講。瑞薩電子代表董事社長赤尾泰以&l
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瑞薩及TSMC高層在“世界半導體峰會”發(fā)表戰(zhàn)略演講
“世界半導體峰會＠東京2011～半導體產業(yè)，成長宣言～”（2011年1月24日于日經大廳召開，《日經電子》主辦）隆重舉行，各大半導體廠商高層分別就各自的發(fā)展戰(zhàn)略等發(fā)表了演講。 瑞薩電子代表董事社長赤尾泰以“面
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Micron總裁談3D EUV與450mm晶圓
不久之前Micron公司表現為技術有些滯后，然而最近以來此家存儲器制造商開始追趕上來，似乎在NAND方面己經超過它的競爭對手。Micron公司正在進行25nmNAND生產線的量產準備工作,計劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進行
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Micron總裁談3D EUV與450mm晶圓
不久之前Micron公司表現為技術有些滯后，然而最近以來此家存儲器制造商開始追趕上來，似乎在NAND方面己經超過它的競爭對手。Micron公司正在進行25nm NAND生產線的量產準備工作,計劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進行
