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光罩、光阻問(wèn)題大　EUV機(jī)臺(tái)量產(chǎn)路途遙

微影設(shè)備大廠艾司摩爾(ASML)首臺(tái)深紫外光(EUV)機(jī)臺(tái)已正式送到客戶(hù)端進(jìn)行裝機(jī)，日前，ASML也用EUV機(jī)臺(tái)試產(chǎn)出首片27奈米半間距(half pitch)的芯片。不過(guò)，目前EUV除成本高昂外，光罩檢測(cè)與光阻為目前EUV進(jìn)入量產(chǎn)的兩大

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2010-12-10

EUV ASML 檢測(cè)設(shè)備 ROUGH
Cymer發(fā)布EUV光源技術(shù)路線(xiàn)圖

光源對(duì)于光刻機(jī)的重要性不言而喻，沒(méi)有光源的匹配，一切圖形成像都無(wú)從談起。從1986年開(kāi)始，Cymer正式進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，目前已有超過(guò)3500套光源安裝在世界各地的光刻設(shè)備上。Cymer所占的市場(chǎng)份額已近70%，儼然已成為世

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-12-09

路線(xiàn)圖 NI POWER EUV
Cymer發(fā)布EUV光源技術(shù)路線(xiàn)圖將繼續(xù)拓展OLED領(lǐng)域

光源對(duì)于光刻機(jī)的重要性不言而喻，沒(méi)有光源的匹配，一切圖形成像都無(wú)從談起。從1986年開(kāi)始，Cymer正式進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，目前已有超過(guò)3500套光源安裝在世界各地的光刻設(shè)備上。Cymer所占的市場(chǎng)份額已近70%，儼然已成為世

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2010-12-09

路線(xiàn)圖 OLED POWER EUV
EUV機(jī)臺(tái)　

深紫外光(EUV)技術(shù)是次世代微影技術(shù)之一，其他還還包括無(wú)光罩多重電子束、浸潤(rùn)式微影多重曝光技術(shù)等，EUV技術(shù)主要的開(kāi)發(fā)商是設(shè)備大廠愛(ài)司摩爾(ASML)，當(dāng)半導(dǎo)體制程技術(shù)走入20奈米或是10奈米以下，現(xiàn)有的浸潤(rùn)式曝光(I

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2010-12-07

臺(tái)積電晶圓廠 EUV ASML
美國(guó)西盟將提高EUV曝光光源的輸出功率,有能力實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品規(guī)劃

半導(dǎo)體曝光裝置光源知名廠商美國(guó)西盟公司（Cymer）12月1日公布了EUV（超紫外線(xiàn)）曝光光源的開(kāi)發(fā)狀況和該公司新近涉足的有機(jī)EL（電致發(fā)光）顯示器用低溫多晶硅TFT退火光源的概況。西盟的EUV曝光光源目前有4臺(tái)已經(jīng)

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2010-12-06

輸出功率 TFT CO2激光器 EUV
東芝展望EUV曝光技術(shù)量產(chǎn)在即或需要與雙圖案化技術(shù)并用

東芝在荷蘭阿斯麥（ASML）公司于2010年11月18日在東京舉行的“ASML/BrionComputationalLithographySeminar2010”會(huì)議上，展望了引進(jìn)EUV（超紫外線(xiàn)）曝光技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的前景。東芝統(tǒng)管光刻技術(shù)開(kāi)發(fā)的東木達(dá)彥表示“即

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2010-11-26

東芝光刻膠 EUV ASML
東芝展望EUV曝光技術(shù)量產(chǎn)在即

東芝在荷蘭阿斯麥(ASML)公司于2010年11月18日在東京舉行的“ASML/Brion Computational Lithography Seminar 2010”會(huì)議上，展望了引進(jìn)EUV(超紫外線(xiàn))曝光技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的前景。東芝統(tǒng)管光刻技術(shù)開(kāi)發(fā)的東木達(dá)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-11-26

東芝光刻膠 EUV ASML
終結(jié)時(shí)代：半導(dǎo)體技術(shù)出乎意料的五大事件

本周舉行的ARM技術(shù)大會(huì)上，IBM半導(dǎo)體研究與發(fā)展中心副總裁Gary Patton做了一場(chǎng)內(nèi)容豐富、信息量很大的主題演講。演講題為“20納米及未來(lái)的半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新”。Patton談到了光刻、材料和未來(lái)設(shè)備的現(xiàn)狀。下面

智能硬件
2010-11-20

IBM 半導(dǎo)體技術(shù) ATTO EUV
半導(dǎo)體技術(shù)出乎意料的五個(gè)事件

本周舉行的ARM技術(shù)大會(huì)上，IBM半導(dǎo)體研究與發(fā)展中心副總裁Gary Patton做了一場(chǎng)內(nèi)容豐富、信息量很大的主題演講。演講題為“20納米及未來(lái)的半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新”。Patton談到了光刻、材料和未來(lái)設(shè)備的現(xiàn)狀。下面

半導(dǎo)體
2010-11-15

IBM 半導(dǎo)體技術(shù) BSP EUV
EUV：終極的曝光技術(shù)

面向超越22nm工藝的最尖端半導(dǎo)體而正在研發(fā)的新技術(shù)——采用13.5nm這一超短波長(zhǎng)的新一代曝光技術(shù)EUV(extreme ultraviolet)即將展露鋒芒。由于EUV曝光技術(shù)實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體的極小線(xiàn)寬，因而被稱(chēng)為“終極的

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-11-02

半導(dǎo)體廠商激光 MDASH EUV
EUV曝光技術(shù)即將展露鋒芒

面向超越22nm工藝的最尖端半導(dǎo)體而正在研發(fā)的新技術(shù)——采用13.5nm這一超短波長(zhǎng)的新一代曝光技術(shù)EUV（extreme ultraviolet）即將展露鋒芒。由于EUV曝光技術(shù)實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體的極小線(xiàn)寬，因而被稱(chēng)為“終極的曝光技術(shù)”。另

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2010-11-01

半導(dǎo)體廠商激光 BETA EUV
次世代微影技術(shù)主流之爭(zhēng)　

目前次世代微影技術(shù)發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營(yíng)主要推手之一的比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術(shù)最快于2014年可望進(jìn)入量產(chǎn)，而應(yīng)用存儲(chǔ)器制程又將早于邏輯制程，他也

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-10-26

存儲(chǔ)器 OV EUV ASML
次世代微影技術(shù)主流之爭(zhēng)　EUV可望2014年進(jìn)入量產(chǎn)

目前次世代微影技術(shù)發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光(EUV)陣營(yíng)主要推手之一的比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術(shù)最快于2014年可望進(jìn)入量產(chǎn)，而應(yīng)用內(nèi)存制程又將早于邏輯制程，他也指

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2010-10-21

內(nèi)存 OV EUV ASML
AMAT發(fā)布面向22nm工藝的掩模檢查設(shè)備，同時(shí)支持ArF-DP和EUV

美國(guó)應(yīng)用材料（AMAT）發(fā)布了掩模檢查設(shè)備“Aera3”。支持22nm工藝，檢測(cè)靈敏度較該公司原機(jī)型“Aera2”提高50％，同時(shí)還配備了可支持ArF液浸及EUV（extreme ultraviolet）兩種光刻技術(shù)的功能。作為面向ArF液浸的

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2010-09-16

晶圓光刻技術(shù) RF EUV
GF：芯片制造技術(shù)即將到達(dá)瓶頸

據(jù)已從AMD經(jīng)剝離的GLOBALFOUNDRIES公司稱(chēng)，晶圓烘焙技術(shù)即將遇到瓶頸——但是他們已經(jīng)為此做好了準(zhǔn)備。該公司還表示，他們對(duì)待芯片材料最近進(jìn)展的方法要優(yōu)于Intel，并且將被后者的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電所使用。近日，G

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2010-09-08

芯片制造 GLOBALFOUNDRIES RTL EUV
研發(fā)新技術(shù)不手軟　半導(dǎo)體廠全力搶攻先進(jìn)制程

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走向40奈米以下先進(jìn)制程，產(chǎn)業(yè)上下游皆競(jìng)相投入先進(jìn)制程研發(fā)，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)皆大手筆添購(gòu)設(shè)備，更加速跨入20奈米級(jí)、10奈米級(jí)的制程研發(fā)，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者包括艾斯摩爾

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2010-09-08

半導(dǎo)體電子先進(jìn)制程 EUV
迎戰(zhàn)三星、全球晶圓臺(tái)積電忙搶人才

隨著三星電子(SamsungElectronics)、全球晶圓(GlobalFoundries)積極強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)，臺(tái)積電面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手挖墻角壓力，近期積極招募各方好手，除舉辦各類(lèi)競(jìng)賽挖掘研發(fā)人員，亦采取預(yù)聘(advancedoffer)方式，搶大專(zhuān)院

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2010-08-24

三星晶圓臺(tái)積電 EUV
迎戰(zhàn)三星、全球晶圓　臺(tái)積電忙搶人才

隨著三星電子(Samsung Electronics)、全球晶圓(Global Foundries)積極強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)，臺(tái)積電面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手挖墻角壓力，近期積極招募各方好手，除舉辦各類(lèi)競(jìng)賽挖掘研發(fā)人員，亦采取預(yù)聘 (advanced offer)方式，搶大

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-08-24

三星晶圓臺(tái)積電 EUV
研發(fā)新技術(shù)　三星、海力士訂購(gòu)EUV設(shè)備

據(jù)南韓電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等南韓內(nèi)存廠最快可于2012年著手量產(chǎn)10奈米制程Flash及20奈米制程DRAM等次世代內(nèi)存。據(jù)相關(guān)業(yè)者表示，三星和海力士率先向荷商艾司摩爾(ASML)訂購(gòu)研

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2010-08-11

三星內(nèi)存海力士 EUV
EUV要加大投資強(qiáng)度

未來(lái)半導(dǎo)體制造將越來(lái)越困難已是不爭(zhēng)的事實(shí)。巴克萊的CJMuse認(rèn)為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點(diǎn)時(shí)發(fā)現(xiàn)了許多問(wèn)題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒(méi)有)，是黃金時(shí)刻，然后在芯片制造中其

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2010-07-29

DRAM GLOBALFOUNDRIES FAB EUV

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EUV

光罩、光阻問(wèn)題大　EUV機(jī)臺(tái)量產(chǎn)路途遙

Cymer發(fā)布EUV光源技術(shù)路線(xiàn)圖

Cymer發(fā)布EUV光源技術(shù)路線(xiàn)圖將繼續(xù)拓展OLED領(lǐng)域

EUV機(jī)臺(tái)

美國(guó)西盟將提高EUV曝光光源的輸出功率,有能力實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品規(guī)劃

東芝展望EUV曝光技術(shù)量產(chǎn)在即或需要與雙圖案化技術(shù)并用

東芝展望EUV曝光技術(shù)量產(chǎn)在即

終結(jié)時(shí)代：半導(dǎo)體技術(shù)出乎意料的五大事件

半導(dǎo)體技術(shù)出乎意料的五個(gè)事件

EUV：終極的曝光技術(shù)

EUV曝光技術(shù)即將展露鋒芒

次世代微影技術(shù)主流之爭(zhēng)

次世代微影技術(shù)主流之爭(zhēng)　EUV可望2014年進(jìn)入量產(chǎn)

AMAT發(fā)布面向22nm工藝的掩模檢查設(shè)備，同時(shí)支持ArF-DP和EUV

GF：芯片制造技術(shù)即將到達(dá)瓶頸

研發(fā)新技術(shù)不手軟　半導(dǎo)體廠全力搶攻先進(jìn)制程

迎戰(zhàn)三星、全球晶圓臺(tái)積電忙搶人才

迎戰(zhàn)三星、全球晶圓　臺(tái)積電忙搶人才

研發(fā)新技術(shù)　三星、海力士訂購(gòu)EUV設(shè)備

EUV要加大投資強(qiáng)度

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