[導(dǎo)讀]半導(dǎo)體曝光裝置光源知名廠商美國西盟公司(Cymer)12月1日公布了EUV(超紫外線)曝光光源的開發(fā)狀況和該公司新近涉足的有機(jī)EL(電致發(fā)光)顯示器用低溫多晶硅TFT退火光源的概況。
西盟的EUV曝光光源目前有4臺(tái)已經(jīng)
半導(dǎo)體曝光裝置光源知名廠商美國西盟公司(Cymer)12月1日公布了EUV(超紫外線)曝光光源的開發(fā)狀況和該公司新近涉足的有機(jī)EL(電致發(fā)光)顯示器用低溫多晶硅TFT退火光源的概況。
西盟的EUV曝光光源目前有4臺(tái)已經(jīng)供貨,另外還有4臺(tái)正在進(jìn)行組裝。已經(jīng)供貨的4臺(tái)中,有3臺(tái)提供給了荷蘭阿斯麥公司(ASML),還有1臺(tái)提供給了某大型內(nèi)存廠商。另外正在組裝的4臺(tái)中,2臺(tái)將提供給阿斯麥公司,剩余2臺(tái)將被西盟公司用于研究開發(fā)和評(píng)估。
有機(jī)EL顯示器用低溫多晶硅TFT退火光源是一項(xiàng)打破了原有低溫多晶硅TFT有機(jī)EL面板大面積化極限的技術(shù)。該光源有2臺(tái)已經(jīng)供貨,目前正用于有機(jī)EL顯示器量產(chǎn)現(xiàn)場。原來的低溫多晶硅TFT制造工藝在結(jié)晶化工序中使用了激光退火裝置,不過該方法目前僅支持21英寸以下的面板尺寸。這是因?yàn)闊o法使激光光束的長度超過21英寸面板短邊的長度。另一方面,如果使用西盟的光源,可一次性實(shí)現(xiàn)寬度1m以上的多晶化,從而可以實(shí)現(xiàn)22英寸以上尺寸的大屏幕化。
EUV曝光光源的技術(shù)課題及今后的展望
EUV曝光光源方面,西盟公開了產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖。第1臺(tái)產(chǎn)品已經(jīng)于2010年第2季度實(shí)現(xiàn)供貨的第一代量產(chǎn)型EUV曝光光源“HVM I”按照產(chǎn)品規(guī)劃,其中間聚光點(diǎn)的EUV光輸出功率在100W以上。輸出功率在后續(xù)產(chǎn)品中還將繼續(xù)提高,2011年下半年開始供貨的“HVM II”的輸出功率將達(dá)到250W以上,2013年上半年開始供貨的“HVM III”將達(dá)到350W以上。
西盟營銷及光刻技術(shù)應(yīng)用副總裁Nigel Farrar介紹說,“EUV曝光光源的產(chǎn)品規(guī)劃是為了向阿斯麥公司提倡的EUV曝光裝置光源供應(yīng),指標(biāo)由兩公司共同制定”。
不過,在筆者此前的采訪中,已經(jīng)供貨的“HVM I”EUV曝光光源中間聚光點(diǎn)的EUV光輸出功率要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于100W以上的目標(biāo)值(參閱本站報(bào)道)。因此筆者就目前的光源在技術(shù)上的不完善之處及今后的開發(fā)動(dòng)向采訪了Nigel Farrar。
問:關(guān)于已經(jīng)供貨的EUV曝光光源中間聚光點(diǎn)的EUV光輸出功率,聽說按照產(chǎn)品規(guī)劃應(yīng)該達(dá)到100W以上,但實(shí)際上只實(shí)現(xiàn)了30W左右的輸出功率。可否請(qǐng)您從技術(shù)角度談一下實(shí)際輸出功率為何會(huì)不同于產(chǎn)品規(guī)劃,以及今后打算如何實(shí)現(xiàn)提高輸出功率的目標(biāo)。
Farrar:正如你所說的那樣,已經(jīng)供貨的EUV曝光光源中間聚光點(diǎn)的EUV光輸出功率只有20~30W。這是因?yàn)镃O2激光器的輸出功率并未達(dá)到25kW的目標(biāo)值,同時(shí)轉(zhuǎn)換效率也沒有達(dá)到3.0%的目標(biāo)值。不過反射用反光鏡的聚光效率已經(jīng)達(dá)到了5%的目標(biāo)值,反射率也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了50%的目標(biāo)值,今后的目標(biāo)值也有望實(shí)現(xiàn)。
CO2激光器的輸出功率和轉(zhuǎn)換效率方面,為了實(shí)現(xiàn)目標(biāo)值的技術(shù)開發(fā)已取得一定進(jìn)展,目前已經(jīng)開始面向顧客進(jìn)行公開演示。預(yù)計(jì)可在2011年中期利用該技術(shù)開發(fā)成果提供符合產(chǎn)品規(guī)劃的光源。另外還將對(duì)已經(jīng)供貨的光源進(jìn)行改良,以提高輸出功率。
其中轉(zhuǎn)換效率的提高是通過前置脈沖(prepulse)的導(dǎo)入實(shí)現(xiàn)的。我們的光源所采用的LPP(激光等離子體)方式是以CO2激光照射錫液滴,進(jìn)而得到EUV光。CO2激光器的光束直徑為90~100μm。為了提高轉(zhuǎn)換效率,起初把照射CO2激光的錫液滴的直徑設(shè)置為30μm、EUV光產(chǎn)生時(shí)再擴(kuò)大液滴尺寸也是非常重要的。
此次開發(fā)出的前置脈沖可加熱直徑為30μm的液滴,使其在EUV光產(chǎn)生時(shí)擴(kuò)大到最合適的尺寸。
可能有些人會(huì)覺得,這樣的話可以從一開始就擴(kuò)大液滴的尺寸。但如果一開始就擴(kuò)大液滴的尺寸,那么當(dāng)用CO2激光照射液滴時(shí),液滴的剩余部分會(huì)飛散出去,并附著到反射用反光鏡上,從而導(dǎo)致反射率下降。直徑為30μm的液滴可抑制該問題。技術(shù)方面,雖然目前已經(jīng)出現(xiàn)了把液滴直徑控制在30μm以下的方法,但在EUV曝光裝置中無法在最佳條件下使用,因此并未把其縮小到30μm以下。
問:CO2激光器的輸出功率方面,如果配備高功率激光器的話,應(yīng)該能夠?qū)崿F(xiàn)目標(biāo),不過又會(huì)出現(xiàn)光源成本大幅上升的問題。貴公司今后打算如何在輸出功率的目標(biāo)和成本之間取得平衡?
Farrar:EUV曝光光源使用的CO2激光器在金屬加工領(lǐng)域已經(jīng)被大量采用。我們的方針是:后續(xù)產(chǎn)品的尺寸仍與目前已經(jīng)供貨的激光器一樣,但會(huì)通過提高輸出效率來提高輸出功率。(特約撰稿人:加藤 伸一)
西盟公司營銷及光刻技術(shù)應(yīng)用副總裁Nigel Farrar。筆者拍攝。(點(diǎn)擊放大)
EUV曝光光源產(chǎn)品規(guī)劃。筆者拍攝。(點(diǎn)擊放大)
已經(jīng)向阿斯麥公司提供了3臺(tái)EUV曝光光源。左側(cè)的照片是配備西盟公司光源的阿斯麥公司EUV曝光裝置。中間偏左處是光源。筆者拍攝。(點(diǎn)擊放大)
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據(jù)外媒消息,三星電子副會(huì)長李在镕有望在本周到訪荷蘭光刻機(jī)制造商阿斯麥(ASML),媒體認(rèn)為他此行是為了搶購EUV光刻機(jī)。
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三星
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光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造中的核心設(shè)備之一,EUV光刻機(jī)全球也只有ASML公司能夠研發(fā)、生產(chǎn),但它的技術(shù)限制也很多,俄羅斯計(jì)劃開發(fā)全新的EUV光刻機(jī),使用的是X射線技術(shù),不需要光掩模就能生產(chǎn)芯片。
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