隨著半導體產業(yè)走向40奈米以下先進制程，產業(yè)上下游皆競相投入先進制程研發(fā)，包括臺積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)皆大手筆添購設備，更加速跨入20奈米級、10奈米級的制程研發(fā)，半導體設備業(yè)者包括艾斯摩爾(ASML)與科磊(KLA-Tencor)等亦積極研發(fā)新設備。晶圓代工廠2010年底將開始量產28奈米制程，先進制程已成為前幾大晶圓代工業(yè)者主要的競逐戰(zhàn)場。以臺積電來說，目前20奈米制程采用浸潤式微影技術以及雙重曝光(double-patterning)技術。至于在20奈米級以下，臺積電則是深紫外光(EUV)與無光罩的電子束(e-beam)技術同步并進，日前已采用Mappers的多重電子束技術成功試產出20奈米DRAM芯片。
至于全球晶圓在9月的全球技術論壇中則受度發(fā)表20奈米技術藍圖，預計 22/20奈米將會于2012年下半進行試產，并于2013年正式進入量產。在次世代微影技術方面，相較于臺積電在深紫外光(EUV)與多重電子束兩路并進，全球晶圓壓寶EUV陣營，預計首臺EUV機臺將于2012年下半進廠，并于2014~2015年間量產。
設備業(yè)者分析，除晶圓代工外，DRAM廠歷經過去1年的慘淡經營后，也積極轉換至高階制程，希望能提高產品單價，以技術取得市場優(yōu)勢。同時，為因應未來對40奈米以下制程需求，以及IDM擴大委外釋單的趨勢，晶圓廠亦積極增建新廠，并且瞄準高階制程應用進行擴增。
設備業(yè)者指出，拿40奈米制程與90奈米相較，90奈米制程步驟約550道，40奈米則需要約1,000道工序；在光罩方面，90奈米需要31道工序，40奈米則需要50道；在新材料方面，90奈米約15種，40奈米則超過45種，顯示40奈米制程困難度大幅提升。
在此之下，其實也讓設備需求越走越窄，畢竟有能力供應高精密度的先進儀器廠商并不多，尤其在未來走向22奈米以下制程，需要如深紫外光(EUV)或無光罩電子束等技術之下，能供應的廠商屈指可數，也將使未來半導體設備市場生態(tài)出現(xiàn)轉變。
微影設備大廠艾斯摩爾(ASML)的浸潤式微影機臺銷售暢旺，公司亦指出，最新的NXT 1950i設備已出貨近20套，全球超過50萬片晶圓，皆透過該設備進行曝光。為推進20奈米以下先進制程，ASML也已接獲6套超紫外光(EUV)系統(tǒng)，將陸續(xù)出貨。
ASML指出，隨著內存業(yè)者推進先進制程，二線DRAM廠開始轉換至40奈米，一線DRAM廠則準備發(fā)展30奈米技術，NAND Flash廠則開始發(fā)展sub-30奈米生產技術。
量測設備儀器廠科磊(KLA-Tencor)指出，隨著40奈米以下先進制程對于良率提升需求，科磊已陸續(xù)推出系列產品，并已跨入20奈米、10奈米級等先進制程，如針對20奈米級節(jié)點以下微影覆蓋控制需求，也推出Archer 300CLM迭對(overlay)量測系統(tǒng)，預期2010年將有22樣新產品問世，帶動業(yè)績成長。