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嵌入式無線局域網(wǎng)設(shè)備的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
嵌入式無線局域網(wǎng)設(shè)備的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
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嵌入式無線局域網(wǎng)設(shè)備的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
嵌入式無線局域網(wǎng)設(shè)備的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
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2009年NAND flash產(chǎn)能預(yù)計(jì)將減小59%
市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange的分析顯示，全球NAND flash產(chǎn)能繼2008年減少近28%之后，2009年將再降59%。 2009年NAND flash位增長(zhǎng)幅度將較2008大64%，而2007年位增長(zhǎng)率高達(dá)133%。如果需求在下半年恢復(fù)且供應(yīng)商控制其產(chǎn)出
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08年NAND廠商營(yíng)收排名 三星蟬聯(lián)冠軍
集邦科技(DRAMeXchange)公布2008年NAND Flash廠商營(yíng)收，三星(Samsung)以46億1,400萬美元、市占率40.4%，蟬聯(lián)第一名寶座；集邦表示，觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場(chǎng)變化，2007年品牌廠商全年?duì)I收約為133億6,80
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NAND Flash品牌廠商2008年?duì)I收排名出爐 三星蟬聯(lián)榜首
2008年第四季全球NANDFlash品牌廠商整體營(yíng)收為22億2千7百萬美元，較上一季的27億6千1百萬美元下跌19.3%。2008年第四季NANDFlash品牌廠商營(yíng)收均呈現(xiàn)衰退，由于持續(xù)受到全球總體經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)疲弱的沖擊，全球消費(fèi)者信心指數(shù)
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后奇夢(mèng)達(dá)時(shí)代來臨 DRAM、SDRAM、Flash 3方得利
奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)向德國(guó)政府申請(qǐng)破產(chǎn)后，全球?qū)⒔?0%的DRAM產(chǎn)能確定人間蒸發(fā)，激勵(lì)農(nóng)歷春節(jié)假期后的開工首日，DRAM品牌和eTT的顆粒價(jià)格即大漲25%，創(chuàng)下近年來最劇烈的單日漲幅，各家DRAM廠雖然不意外，但仍是掩不住笑
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2008年Hynix巨虧32億美元
在存儲(chǔ)器市況惡劣的背景下，Hynix日前公布第四季度虧損9.64億美元。 相比之下，去年同期虧損額為3.35億美元，第三季度虧損12億美元。 “DRAM價(jià)格下跌43%，NAND flash價(jià)格下跌18%，而位出貨量DRAM為持平，NAND flas
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2008年海力士巨虧32億美元
在存儲(chǔ)器市況惡劣的背景下，Hynix（海力士）日前公布第四季度虧損9.64億美元。相比之下，去年同期虧損額為3.35億美元，第三季度虧損12億美元?！癉RAM價(jià)格下跌43%，NAND flash價(jià)格下跌18%，而位出貨量DRAM為持平，NAN
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Adobe與蘋果合作開發(fā)iPhone版Flash
北京時(shí)間2月1日上午消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，Adobe CEO山塔努·納拉延(Shantanu Narayen)日前在出席達(dá)沃斯世界經(jīng)濟(jì)論壇(WEF)時(shí)表示，將與蘋果合作為iPhone(手機(jī)上網(wǎng))手機(jī)開發(fā)一款Flash軟件。納拉延在接受采訪時(shí)稱
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年終總結(jié)－－記一個(gè)30歲的不成功人士
樓上有位兄臺(tái)提了個(gè)帖子《IT民工如何寫年終總結(jié)》，如何寫？這個(gè)困擾我多年的問題，估計(jì)你也一樣，為了應(yīng)付領(lǐng)導(dǎo)，寫一些自己不愿意寫的東西。如何寫？我今年30，會(huì)點(diǎn)C,冒充軟件工程師，混跡電子行業(yè)。當(dāng)前處境和“IT
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年終總結(jié)－－記一個(gè)30歲的不成功人士
年終總結(jié)－－記一個(gè)30歲的不成功人士
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DRAM模塊廠順?biāo)浦?1GB DDR2模塊喊上10美元
DRAM顆粒從0.5美元的谷底反彈至1美元，價(jià)格足足翻了1倍之多，DRAM模塊廠原本對(duì)漲價(jià)抱持觀望的態(tài)度，但近日已開始著手調(diào)漲售價(jià)，估計(jì)2008年12月下旬至今，累計(jì)漲幅超過10%，8日1GB容量DDR2模塊的最高價(jià)喊出10美元，是
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集邦：2009年NAND Flash位增長(zhǎng)持續(xù)下修至81％
由于各項(xiàng)NAND Flash相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品需求持續(xù)下滑，集邦科技 (DRAMeXchange)對(duì)2009年NAND Flash增長(zhǎng)幅度持續(xù)下修，2008年9月預(yù)估為108.2%，10月份則微調(diào)至95.3%，11月持續(xù)下修至93%，12月份隨著上游廠商持續(xù)減產(chǎn)，整體增
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海力士美光獻(xiàn)NAND Flash技術(shù) 臺(tái)廠不領(lǐng)情解決DRAM困境最優(yōu)先
隨著美、日大廠與臺(tái)灣DRAM廠整合計(jì)劃如火如荼展開，韓國(guó)大廠海力士(Hynix)眼看屈居下風(fēng)，合作伙伴茂德恐將琵琶別抱，決定雙手奉上NAND Flash制程技術(shù)，希望爭(zhēng)取臺(tái)灣政府金援機(jī)會(huì)，并讓茂德回心轉(zhuǎn)意。茂德董事長(zhǎng)陳民良
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TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)研究
基于TMS320F2812內(nèi)部F1ash在線燒寫技術(shù)，提出了一種串口燒寫Flash技術(shù)。詳細(xì)論述了燒寫技術(shù)的實(shí)現(xiàn)步驟．給出了關(guān)鍵部分的程序代碼。通過對(duì)比發(fā)現(xiàn)，基于JTAG接口燒寫技術(shù)常用于調(diào)試階段，而串口燒寫技術(shù)能夠應(yīng)用于一些特殊場(chǎng)合，并能提高系統(tǒng)的可維護(hù)性。
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TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)研究
基于TMS320F2812內(nèi)部F1ash在線燒寫技術(shù)，提出了一種串口燒寫Flash技術(shù)。詳細(xì)論述了燒寫技術(shù)的實(shí)現(xiàn)步驟．給出了關(guān)鍵部分的程序代碼。通過對(duì)比發(fā)現(xiàn)，基于JTAG接口燒寫技術(shù)常用于調(diào)試階段，而串口燒寫技術(shù)能夠應(yīng)用于一些特殊場(chǎng)合，并能提高系統(tǒng)的可維護(hù)性。
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掌握閃存技術(shù) 才能解救臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)
由于產(chǎn)業(yè)先前進(jìn)入景氣循環(huán)的低潮，繼之又碰到史上罕見的全球景氣衰退，DRAM產(chǎn)業(yè)的形勢(shì)到了2008年下半已經(jīng)到極為險(xiǎn)峻的地步。這不僅發(fā)生在國(guó)內(nèi)，也發(fā)生在全球各DRAM廠。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的兩大支柱之一，臺(tái)灣
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減產(chǎn)效應(yīng)提前浮現(xiàn)，NAND Flash價(jià)格止跌反彈
據(jù)報(bào)道，東芝(Toshiba)、海力士(Hynix)減產(chǎn)效應(yīng)提前浮現(xiàn)，三星電子(Samsung Electronics)眼看機(jī)不可失也趁機(jī)鎖貨，狠狠推了一把，導(dǎo)致小型記憶卡 microSD 價(jià)格單日大漲50%，創(chuàng)下有史以來單日最大漲幅。通路商表示，原
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開發(fā)板來襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
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