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Hynix開(kāi)始量產(chǎn)54納米制程1GB DDR3節(jié)省30%耗電量

Yonhap News報(bào)導(dǎo)，南韓內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 12日宣布，將開(kāi)始量產(chǎn)一款采用54納米制程技術(shù)的1GB DDR3 DRAM，其耗電量將節(jié)省30%，運(yùn)算速度則較DDR2增加近1倍。 Hynix表示，該公司計(jì)劃將能源節(jié)省技術(shù)應(yīng)

模擬
2009-10-14

電量 DDR3 NI GB
中國(guó)聯(lián)通宣布于10月30日發(fā)售3款iPhone手機(jī)

10月14日消息　中國(guó)聯(lián)通今日官方宣布將于10月30日在中國(guó)大陸發(fā)售iPhone手機(jī)。昨天傍晚，中國(guó)聯(lián)通官方剛剛公布了三款iPhone手機(jī)的出售價(jià)格。iPhone 3G 8GB價(jià)格為4999元，iPhone 3GS 16GB價(jià)格為5880元，iPhone 3GS 32

通信技術(shù)
2009-10-14

iPhone 中國(guó)聯(lián)通 GB
聯(lián)通公布iPhone裸機(jī)價(jià)格：4999至6999元

10月14日消息，中國(guó)聯(lián)通昨日正式公布iPhone裸機(jī)，即不參與合約計(jì)劃的iPhone手機(jī)價(jià)格：iPhone 3G 8GB價(jià)格為4999元，iPhone 3GS 16GB價(jià)格為5880元，iPhone 3GS 32GB價(jià)格為6999元。此前蘋果在香港官網(wǎng)在線商店銷售的iPh

通信技術(shù)
2009-10-14

iPhone 聯(lián)通 3G GB
TriQuint 與華為聯(lián)手開(kāi)發(fā)下一代光傳輸系統(tǒng)

TriQuint 半導(dǎo)體公司宣布，已與華為技術(shù)有限公司簽署了諒解備忘錄(MOU) --- TriQuint將為華為在構(gòu)建下一代光傳輸系統(tǒng)中提供驅(qū)動(dòng)器、放大器和其他相關(guān)產(chǎn)品。作為彼此的“戰(zhàn)略合作伙伴”，TriQuint與華為技術(shù)有限公司密

通信技術(shù)
2009-10-13

華為 TRIQUINT 光傳輸系統(tǒng) GB
NAND價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)，供貨吃緊（圖）

研究機(jī)構(gòu)集邦科技(DRAMeXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)上漲約8%~10%，主要原因是多數(shù)供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長(zhǎng)單，同時(shí)近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市

消費(fèi)電子
2009-10-13

Flash 電子系統(tǒng) NAND GB
茂德努力與爾必達(dá)、臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存合作

美林證券最新出爐的報(bào)告，茂德股價(jià)慘跌，技術(shù)遲遲沒(méi)有更新，目前正致力于重整，管理高層表示，內(nèi)部將研發(fā)72納米的技術(shù)來(lái)制作 1GB，采用日本內(nèi)存芯片大廠爾必達(dá)(Elpida) 65納米的技術(shù)，但是這項(xiàng)協(xié)議還在洽談之中，目前

消費(fèi)電子
2009-10-13

DRAM 內(nèi)存爾必達(dá) GB
中國(guó)的NGB到2020年將支持2億個(gè)用戶

國(guó)的下一代廣播電視網(wǎng)(NGB)方案，基于數(shù)字有線電視和移動(dòng)廣播技術(shù)，將極大地改變中國(guó)的通信產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，而且有可能成為中國(guó)第四家電信運(yùn)營(yíng)商和最大的寬帶供應(yīng)商。然而，iSuppli公司認(rèn)為，NGB的前程可能太美妙了，好得讓

通信技術(shù)
2009-10-10

電信運(yùn)營(yíng)商 BSP GB
NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜　模塊廠9月?tīng)I(yíng)收將再寫新高

NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲(chǔ)器模塊廠9月?tīng)I(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲

模擬
2009-09-29

存儲(chǔ)器 Flash NAND GB
NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜模塊廠9月?tīng)I(yíng)收將再寫新高

NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲(chǔ)器模塊廠9月?tīng)I(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲

智能硬件
2009-09-29

存儲(chǔ)器 Flash NAND GB
三星對(duì)半導(dǎo)體業(yè)前景謹(jǐn)慎

全球最大內(nèi)存芯片制造商三星電子(Samsung Electronics)近日表示，盡管半導(dǎo)體業(yè)已由2年的低迷谷底重振，公司對(duì)前景仍抱持謹(jǐn)慎態(tài)度。三星電子半導(dǎo)體部門總裁權(quán)五鉉(Kwon Oh-hyun)在中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)北舉辦的移動(dòng)解決方案年度

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-09-28

三星 DDR3 GB
不按標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)是不合格的主因

根據(jù)國(guó)家工商總局流通領(lǐng)域商品質(zhì)量監(jiān)測(cè)辦法及北京市政府有關(guān)文件要求，北京市工商局委托"國(guó)家電光源質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心"對(duì)在北京市銷售的普通照明用自鎮(zhèn)流熒光燈（簡(jiǎn)稱"節(jié)能燈"）及普通照明用雙端熒光燈(簡(jiǎn)稱"直管形熒

顯示光電
2009-09-25

照明熒光燈位移 GB

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Hynix開(kāi)始量產(chǎn)54納米制程1GB DDR3節(jié)省30%耗電量

中國(guó)聯(lián)通宣布于10月30日發(fā)售3款iPhone手機(jī)

聯(lián)通公布iPhone裸機(jī)價(jià)格：4999至6999元

TriQuint 與華為聯(lián)手開(kāi)發(fā)下一代光傳輸系統(tǒng)

NAND價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)，供貨吃緊（圖）

茂德努力與爾必達(dá)、臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存合作

中國(guó)的NGB到2020年將支持2億個(gè)用戶

NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜　模塊廠9月?tīng)I(yíng)收將再寫新高

NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜模塊廠9月?tīng)I(yíng)收將再寫新高

三星對(duì)半導(dǎo)體業(yè)前景謹(jǐn)慎

不按標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)是不合格的主因

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