Yonhap News報導(dǎo),南韓內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 12日宣布,將開始量產(chǎn)一款采用54納米制程技術(shù)的1GB DDR3 DRAM,其耗電量將節(jié)省30%,運算速度則較DDR2增加近1倍。
Hynix表示,該公司計劃將能源節(jié)省技術(shù)應(yīng)用于未來推出的產(chǎn)品,包括即將在本季稍晚量產(chǎn)的44納米制程2GB DDR3。此外,Hynix并計劃在09年底前將DDR3產(chǎn)能比重由目前的30%提升至超過50%。
根據(jù)科技市調(diào)機構(gòu)iSuppli統(tǒng)計,1GB DDR3 DRAM占總體DDR3市場的比重目前已達87%。
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