HMC(混合內存立方體)內存是美光聯(lián)合IBM以及三星等產業(yè)巨頭共同開發(fā)的新一代超高速內存技術,它使用TSV(硅穿孔)技術堆疊多層DRAM芯片,從而達到提升內存速度以及密度的雙重目的。據(jù)稱HCM內存的帶寬能夠達到DDR3標準的
[摘要] 海馬三款獲補貼車型分別為HMA7000BEV(海馬王子純電動車)、HMC7000EVM0(普力馬純電動車)和HMC7000BM0BEV(新普力馬純電動車)。 近日,財政部、科技部、工業(yè)和信息化部、發(fā)展改革委聯(lián)合發(fā)布《關于繼續(xù)
HMC(混合內存立方體)內存是美光聯(lián)合IBM以及三星等產業(yè)巨頭共同開發(fā)的新一代超高速內存技術,它使用TSV(硅穿孔)技術堆疊多層DRAM芯片,從而達到提升內存速度以及密度的雙重目的。據(jù)稱HCM內存的帶寬能夠達到DDR3標準的
21ic訊 TT electronics 現(xiàn)已推出下一代模壓電感器件,型號為 HM72E 和 HA72E。兩款器件都經過特別的工程設計,具有高性能和高成本效益,并將使用專有的混合合金內芯材料,該材料經優(yōu)化具有高溫度穩(wěn)定性、優(yōu)越直流偏置
21ic訊 TT electronics 現(xiàn)已推出下一代模壓電感器件,型號為 HM72E 和 HA72E。兩款器件都經過特別的工程設計,具有高性能和高成本效益,并將使用專有的混合合金內芯材料,該材料經優(yōu)化具有高溫度穩(wěn)定性、優(yōu)越直流偏
最近,“三維”一詞在半導體領域出現(xiàn)得十分頻繁。比如,英特爾采用22nm工藝制造的采用立體通道結構的“三維晶體管”、8月份三星電子宣布量產的“三維NAND閃存”,以及利用TSV(硅通孔)來層疊并連接半導體芯片的“三維
最近,“三維”一詞在半導體領域出現(xiàn)得十分頻繁。比如,英特爾采用22nm工藝制造的采用立體通道結構的“三維晶體管”、8月份三星電子宣布量產的“三維NAND閃存”,以及利用TSV(硅通孔)
帶頻率均衡的功放電路
SHM1150二的內電路
SHM1120的應用
SHM1100的應用電路
SHM1100二的內電路
LED半導體照明網(wǎng)訊 艾笛森光電的EdiPowerIIHM系列產品目前已推出5瓦至40瓦的機種,產品線齊全,可供不同應用使用,近期推出的大功率40瓦機種,采用專利的熒光粉,可提高熱穩(wěn)定性,并減少光衰現(xiàn)象,此外,HM
艾笛森光電的EdiPower II HM系列產品目前已推出5瓦至40瓦的機種,產品線齊全,可供不同應用使用,近期推出的大功率40瓦機種,采用專利的熒光粉,可提高熱穩(wěn)定性,并減少光衰現(xiàn)象,此外,HM系列因為采用高反
LED半導體照明網(wǎng)訊 9月2~5日“Topical Workshopon Heterostructure Microelectronics(TWHM 2013)”在日本函館舉行。據(jù)了解,該會議每隔一年舉辦一次,2013年迎來了第十屆。此次會議是討論采用不同材料的構
多年來,微波器件公司一直為諸如核磁共振成像系統(tǒng)等醫(yī)療成像應用提供器件。雖然成像應用繼續(xù)提供了堅實的機會,但許多其它醫(yī)療應用領域也開始為無線微波和射頻技術敞開了大門。例如,遠程監(jiān)控支持在病人在家中的將諸
2013年9月5日,GSM協(xié)會移動健康自行車騎游(GSMAmHealthGrandTour)今天10點(歐洲中部時間)在布魯塞爾五十周年紀念公園汽車世界博物館(AutoworldMuseum)拉開序幕。這項為期13天的騎游挑戰(zhàn)從布魯塞爾出發(fā),直至抵達巴
在過去幾年來,包括智能手機與平板計算機在內的移動設備越來越受到市場歡迎,卻也被淪為技術指針差距(specmanship)下的犧牲品;不論那些設備的屏幕尺寸(以及影像處理器可
在過去幾年來,包括智能手機與平板計算機在內的移動設備越來越受到市場歡迎,卻也被淪為技術指針差距(specmanship)下的犧牲品;不論那些設備的屏幕尺寸(以及影像處理器可支持的像素數(shù)字),今日大多數(shù)的移動設備價值顯
IPC-國際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會®近日發(fā)布中文版IPC/WHMA-620B《線纜及線束組件的要求與驗收》標準。在新版標準中,對內容做了重大修訂和增補。B版英文標準由IPC和線束及組件制造商協(xié)會(WHMA)于2012年10月份聯(lián)合發(fā)布;中