HMC(混合內(nèi)存立方體)內(nèi)存是美光聯(lián)合IBM以及三星等產(chǎn)業(yè)巨頭共同開發(fā)的新一代超高速內(nèi)存技術(shù)，它使用TSV(硅穿孔)技術(shù)堆疊多層DRAM芯片，從而達(dá)到提升內(nèi)存速度以及密度的雙重目的。據(jù)稱HCM內(nèi)存的帶寬能夠達(dá)到DDR3標(biāo)準(zhǔn)的15倍，同時(shí)功耗缺能夠降低70%，占用空間則減少了90%。

美光是生產(chǎn)HMC內(nèi)存的第一家廠商，今天宣布開始出貨容量為2GB的HMC內(nèi)存工程樣品，這是世界上首款HMC內(nèi)存產(chǎn)品。

當(dāng)然2GB的容量實(shí)在是有點(diǎn)小了，按照美光的計(jì)劃來看，明年初就能夠生產(chǎn)容量4GB的HMC內(nèi)存了，在三到五年內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。