系統(tǒng)擴(kuò)展—RAM與ROM同時(shí)擴(kuò)展

下面來(lái)分析這個(gè)問(wèn)題,該系統(tǒng)中雖然有兩片存儲(chǔ)器,但由于兩片存儲(chǔ)器的輸入,輸入允許信號(hào)不同,程序存儲(chǔ)器沒(méi)有輸入允許,其輸出允許由8051的引腳PSEN控制,只有當(dāng)程序存儲(chǔ)器的片選信號(hào)和輸出允許信號(hào)同時(shí)有效時(shí),程序存儲(chǔ)器的總線才掛接到CPU總線上 。否則,程序存儲(chǔ)器的所有總線引腳都為高阻態(tài),即相當(dāng)于存儲(chǔ)器與CPU總線斷開(kāi)。

瞄準(zhǔn)大眾跟蹤導(dǎo)航市場(chǎng)，意法半導(dǎo)體發(fā)布基于ROM的GNSS模塊

中國(guó)，2019年6月18日——意法半導(dǎo)體GNSS產(chǎn)品家族再添新丁，新產(chǎn)品Teseo-LIV3R是一款價(jià)格極具競(jìng)爭(zhēng)力的基于 ROM的定位模塊，為成本敏感型跟蹤和導(dǎo)航設(shè)備帶來(lái)意法半導(dǎo)體的完整GNSS算法功能。

常見(jiàn)存儲(chǔ)器ROM、RAM和FLASH介紹

最近因?yàn)樵谡覍?shí)習(xí)工作,做了一些大公司的硬件筆試題,發(fā)現(xiàn)很多公司都有對(duì)存儲(chǔ)器的考察,從來(lái)沒(méi)有系統(tǒng)的整理過(guò)存儲(chǔ)器的種類，是時(shí)候來(lái)一波整理了?以下主要講了：RAM、ROM和FLASH三大類。RAM包括：SR

ROM初始化中基于FPGA的mif文件創(chuàng)建使用

ROM制作之最完整build.prop中英文對(duì)照詳解

本文以CM的build為例講解如何修改這些參數(shù) #?begin?build?properties?（開(kāi)始設(shè)置系統(tǒng)性能） #?autogenerated?by?buildinfo.sh?（通過(guò)設(shè)置形成

HTC One 802w(聯(lián)通雙卡版本)刷機(jī)過(guò)程

先官方解鎖，獲取到 Unlock_code.bin 文件。再刷了 recovery，不知道有沒(méi)有刷成功。因?yàn)樗?recovery 前，我沒(méi)有進(jìn)入 recovery，不知道界面是什么樣子的。只知道刷新后

ROM、RAM、Flash的區(qū)別

關(guān)鍵的一些名詞: PROM,EPROM,EEPROM,SPD,SRAM,DRAM,RDRAM,SDRAM,DDRSDRAM,NORFlash,NADNFlash,HDD,SSD,SLC,MLC,TLC

系統(tǒng)擴(kuò)展—RAM與ROM同時(shí)擴(kuò)展

下面這個(gè)系統(tǒng)中,8051同時(shí)擴(kuò)展片外程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,兩片存儲(chǔ)器的片選信號(hào)都接地, 即同時(shí)有效,也就是說(shuō),這兩片存儲(chǔ)器無(wú)需選擇。51同時(shí)擴(kuò)展RAM和ROM下面來(lái)分析這個(gè)問(wèn)題,該系統(tǒng)中雖然有兩片存儲(chǔ)器,但

Keil中Memory Model和Code Rom Size說(shuō)明

　　C51中定義變量時(shí)如果省略存儲(chǔ)器類型，Keil C51編譯系統(tǒng)則會(huì)按編譯模式SMALL、COMPACT和LARGE所規(guī)定的默認(rèn)存儲(chǔ)器類型去指定變量的存儲(chǔ)區(qū)域，無(wú)論什么存儲(chǔ)模式都可以聲明變量在任何的8051存儲(chǔ)區(qū)范圍i，但是把最常用

ROM初始化中基于FPGA的mif文件創(chuàng)建使用

單片機(jī)中ROM、RAM、Flash的區(qū)別

常規(guī)上ROM是用來(lái)存儲(chǔ)固化程序的，RAM是用來(lái)存放數(shù)據(jù)的。由于FLASHROM比普通的ROM讀寫(xiě)速度快，擦寫(xiě)方便，一般用來(lái)存儲(chǔ)用戶程序和需要永久保存的數(shù)據(jù)。譬如說(shuō)，現(xiàn)在家用的電子式電度表，它的內(nèi)核是一款單片機(jī)，該單片機(jī)

系統(tǒng)擴(kuò)展—單片機(jī)ROM擴(kuò)展

引腳功能說(shuō)明：A0-A12為地址線，總共13條，則該存儲(chǔ)器的物理存儲(chǔ)空間有2的13次方，即8K。D0-D7為數(shù)據(jù)總線，共8條，即該存儲(chǔ)器的每個(gè)存儲(chǔ)單元有8位數(shù)據(jù)，即通常所說(shuō)的字節(jié)為8，又叫一個(gè)字節(jié)。CS為片選信

stm32學(xué)習(xí)之NOR flash和NAND flash區(qū)別,RAM 和ROM區(qū)別

ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是ReadOnlyMemory的縮寫(xiě)，RAM是RandomAccessMemory的縮寫(xiě)。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。RAM有兩大

STM32如何定義變量到FLASH ROM中

看邏輯地址是否統(tǒng)一編址。FLASH,RAM在同一個(gè)邏輯地址空間的，都是直接用用const，如arm,stm8,msp430等。FLASH,RAM邏輯地址空間分開(kāi)的，要用其它辦法，通常是特殊關(guān)鍵字，__flash，__code等。如AVR，8051等。注：cons

數(shù)字信號(hào)處理(DSP)應(yīng)用系統(tǒng)中的低功耗設(shè)計(jì)

隨著電池供電系統(tǒng)應(yīng)用的日趨廣泛，許多系統(tǒng)特別是便攜式產(chǎn)品都面臨低功耗設(shè)計(jì)的問(wèn)題，以DSP為核心的應(yīng)用系統(tǒng)當(dāng)然也不例外。本文就TMS320系列定點(diǎn)DSP器件為例，介紹一些行之有效的降低功耗的設(shè)計(jì)方法。

Keil C51調(diào)試程序時(shí), 對(duì)ROM的查看以及RAM 查看或修改

在Keil 里使用 DeBug 模式時(shí)，如要 查看外部 RAM 的數(shù)據(jù) 或查看 ACC 的內(nèi)容可以進(jìn)行以下操作;sysGetTxMode:LCALLCom0185(C:2B95)JNB0xE0.0,sysGetTxMode................retCom0185:MOVDPTR,#0x7020MOVXA,@DPTRRRCAR

單片機(jī)FLASH與RAM、ROM的關(guān)系

FLASH主要用作程序存貯器，就是替代以前的ROM，最大的有有點(diǎn)是降低了芯片的成本并且可以做到電擦寫(xiě)，目前市場(chǎng)上單片機(jī)的FALSH壽命相差比較大，擦寫(xiě)次數(shù)從1000~10萬(wàn)的都有，但存儲(chǔ)時(shí)間可以保證40年，在選用時(shí)要注意。

Windows CE 進(jìn)程、線程和內(nèi)存管理（三）

與非網(wǎng)(EEFOCUS)電子產(chǎn)業(yè)社區(qū)平臺(tái)為中國(guó)電子行業(yè)首家采用強(qiáng)大技術(shù)平臺(tái)，由專業(yè)的電子技術(shù)編輯服務(wù)，為全球3000家知名半導(dǎo)體廠家及電子技術(shù)系統(tǒng)廠商提供技術(shù)信息發(fā)布、廠商網(wǎng)站、技術(shù)社區(qū)建設(shè)服務(wù)，并以電子術(shù)語(yǔ)詞典，集成電路數(shù)據(jù)手冊(cè)查詢，電子產(chǎn)品新聞訪談資訊信息以及互動(dòng)技術(shù)交流社區(qū)為上百萬(wàn)電子技術(shù)工程師以及高校師生提供最完整的電子技術(shù)信息查詢和交流服務(wù)。

51單片機(jī)如何進(jìn)行ROM外擴(kuò)分析

強(qiáng)烈建議用戶盡可能不要考慮外擴(kuò)程序存儲(chǔ)器，如果非擴(kuò)不可，可以仿照下圖所示電路進(jìn)行擴(kuò)展 圖中P0口輸出外部ROM的低8位地址信號(hào)，P2口輸出高8位地址信號(hào)；ALE端輸出地址鎖存信號(hào)，/PSEN輸出程序存儲(chǔ)器

單片機(jī)中的ROM,RAM和FLASH的作用

一、ROM,RAM和FLASH在單片中的作用ROM——存儲(chǔ)固化程序的（存放指令代碼和一些固定數(shù)值，程序運(yùn)行后不可改動(dòng)）c文件及h文件中所有代碼、全局變量、局部變量、’const’限定符定義的常量數(shù)據(jù)、startup.a