AMD此前曾表示,會在9月25日發(fā)布新版驅(qū)動程序,支持ThreadRipper/X399高端平臺上的NVMe RAID陣列引導(dǎo)啟動功能,包括RAID 0/1/10三種模式,最多可容納10塊硬盤。
最近一段時間,全球各地內(nèi)存價格一路飆升,已經(jīng)創(chuàng)下了幾十年來的新高,但是存儲行業(yè)的另一個關(guān)鍵,SSD固態(tài)硬盤,行情卻開始收緊。
如今的機械硬盤容量提升真是困難,10+TB依然都是稀罕物,這么弄下去被SSD固態(tài)硬盤全面甩開只是個時間問題。即便是發(fā)布了大容量新品,上市速度也是奇慢無比,價格又是奇高無比。
研調(diào)機構(gòu)集邦科技內(nèi)存儲存研究DRAMeXchange指出,今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響,即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季,各產(chǎn)品線合約價平均仍有3~10%的季增水平。
3D NAND閃存是一種新興的閃存類型,通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。平面結(jié)構(gòu)的NAND閃存已接近其實際擴展極限,給半導(dǎo)體存儲器行業(yè)帶來嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。新的3D NAND技術(shù),垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元,具備卓越的精度。基于該技術(shù),可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量,進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。
繼三星舊金山閃存峰會上宣布,推出新V-NAND單晶粒,容量1Tb后,不少同行科技人員表示,這不過是三星的QLC閃存,只不過換了說辭,它比TLC的存儲密度更大,但相應(yīng)的犧牲壽命和讀寫。
據(jù)外媒消息,三星電子 NAND Flash 技術(shù)再升級,9 日宣布研發(fā)出容量達(dá) 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片,預(yù)計明年問世。三星宣稱,這一技術(shù)是過去 10 年來存儲器的最大進(jìn)展之一,本次發(fā)布的1Tb V-NAND將很快運用于SSD(固態(tài)硬盤)上,計劃2018年推出最大容量的SSD產(chǎn)品。
做SSD比較厲害的廠商都有誰,英特爾恐怕要數(shù)其中的佼佼者。英特爾的SSD產(chǎn)品主要集中在企業(yè)級,足見其產(chǎn)品性能優(yōu)異和可靠安全。如今,英特爾再次公布了SSD新產(chǎn)品,最大的改變恐怕是在外觀形態(tài)上已經(jīng)脫離了傳統(tǒng)SATA3或
東芝對于64層堆疊設(shè)計的3D TLC閃存真是愛的太深,產(chǎn)品布局之神速令人驚嘆:主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA、單芯片的BG3之后,又把它帶到了企業(yè)級領(lǐng)域,這在全球也是第一次。新硬盤有兩個系列,均為2.5寸規(guī)格,其中“PM5”最大容量達(dá)驚人的30.72TB(最小400GB),采用SAS 12Gbps接口,并業(yè)界首創(chuàng)MultiLink SAS架構(gòu),性能異常彪悍:持續(xù)讀寫可以高達(dá)3350MB/s、2720MB/s,隨機讀取也能達(dá)到400000 IOPS,絲毫不遜色于PCI-E SSD。
東芝的64層堆疊3D閃存技術(shù)正在迅速實用化,繼主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA之后,東芝又發(fā)布了第三款基于新閃存的SSD,也是第三代BGA單芯片封裝SSD,命名為“BG3”系列。東芝BG系列BGA SSD誕生于201
據(jù)報道,矽力杰今年下半年營運將可望逐季增長,本季受到非蘋智能手機陣營下單偏向保守,以及工業(yè)用SSD因缺貨讓出貨受到壓抑,不過今年第四季可望因為各項產(chǎn)品出貨表現(xiàn)開始放量出貨,全年合并營收將沖上年成長2成的高水平表現(xiàn)。
據(jù)外媒報道,從去年下半年至今,SSD/內(nèi)存的價格就坐上了火箭,而且一點降價的跡象都沒有,反而是SSD廠商不斷傳出不利因素,致使很多用戶每天都在提心吊膽。不過現(xiàn)在總算有好消息了,首先是三星即將量產(chǎn)第四代堆疊閃存,還有是SK海力士也在進(jìn)一步提高產(chǎn)能。
閃存、內(nèi)存的瘋狂漲價,讓三星今年大賺特賺,當(dāng)然他們在新技術(shù)上的投入也沒有手軟,今天官方公布的消息顯示,三星將在韓國投資186.3億美元,以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。之前我們曾報道了三
東芝(Toshiba)和Western Digital(WD)領(lǐng)先業(yè)界,宣布搶在存儲龍頭三星電子之前,研發(fā)出96層3DNANDflash存儲。韓國方面質(zhì)疑此一新聞的真實性,指稱東芝可能為了出售存儲部門,蓄意放出消息、操弄媒體。
英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤,它是主流的SATA驅(qū)動器,使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。英特爾說,545s是世界上第一款使用該閃存技術(shù)的驅(qū)動器。此外,在美國,SSD 545在Newegg網(wǎng)站獨家發(fā)售。
今年 5 月底,微軟為了表示對中國客戶的誠意,特別在上海召開了一場新品發(fā)布會。在這波新品當(dāng)中,最受矚目的自然是全新 Surface Pro。這是微軟全新一代 Surface Pro 產(chǎn)品,
閃存產(chǎn)品的長期供不應(yīng)求讓內(nèi)存及SSD的價格一路看漲,這讓不少PC廠商開始有點吃不消了。面對內(nèi)存及SSD漲價所帶來的成本壓力,聯(lián)想和戴爾已經(jīng)陸續(xù)提升相關(guān)產(chǎn)品售價。戴爾財務(wù)
三星為筆記本電腦和平板電腦制造各種SSD產(chǎn)品,包括便攜款式,不僅外形出色,而且性能也不差。繼T1和T3之后,韓媒報道,三星將推出一款比T3更小更快的T5便攜式SSD。 ▲T3據(jù)悉
2017年4~6月的主要電子零組件與材料交易價,以存儲器為中心,包括DRAM等揮發(fā)性存儲器以及NAND Flash與硬盤等非揮發(fā)性存儲器,呈現(xiàn)持續(xù)走揚,除了智能型手機與個人電腦(PC)需求外,4K電視與數(shù)據(jù)中心需求也帶動相關(guān)市場。
相比于機械硬盤在技術(shù)層面進(jìn)步緩慢甚至原地踏步,越來越成為PC明星產(chǎn)品的SSD的發(fā)展卻步履輕盈、邁向黃金期。據(jù)AnandTech報道,東芝在戴爾EMC世界大會上,首次對外展示了采用