USB
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如何在Linux系統(tǒng)下使用USB存儲器
如何在Linux系統(tǒng)下使用USB存儲器
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如何在Linux系統(tǒng)下使用USB存儲器
如何在Linux系統(tǒng)下使用USB存儲器
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Switch 8太陽能充電器問世 支持各種USB設備
對當代重度移動設備用戶而言，如果你正在外面逛街、旅游或是吃飯，周圍沒有電源插座，手機又快沒電了，那么一款合適的外置電池產(chǎn)品應該可以幫你不少忙。不 過外置電池本身也需要充電，如果外置電池也沒電了也很麻煩。
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教你為Surface RT創(chuàng)建一個USB恢復盤
微軟的Surface RT是一個很棒的設備，但是有一個問題。如果操作系統(tǒng)崩掉了，而Surface RT沒有DVD或CD驅動器，又沒有安裝介質，我們該怎么將操作系統(tǒng)從錯誤中恢復呢?值得慶幸的是，本指南將幫助那些有小型存儲器(最低容
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USB電能損耗推動超低功耗電源控制器普及
用戶在給移動設備充完電之后，有時會忘記拔下充電器，空載時充電器依舊消耗著電能，造成電能的損耗。雖然對單個充電器來說其空載時消耗的電能不算大，但移動設備充電器數(shù)量非常龐大，數(shù)以十幾億計，并且充電器不拔出
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位填充導致USB數(shù)據(jù)傳輸紊亂的一種解決方案
摘要：通用串行總線(USB)數(shù)據(jù)傳輸中要對數(shù)據(jù)進行非歸零翻轉(NRZI)編解碼、添加／去除位填充和串并／并串轉換。添加／去除位填充使每字節(jié)數(shù)據(jù)傳輸所需的時間發(fā)生變化，再加上收發(fā)器與協(xié)議層的時鐘頻率不同，從而可能導
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電子白板的日常使用注意事項
現(xiàn)在電子白板日漸普及，那哪些事項是使用時應注意的呢?首先要注意板面的清潔和保護;固定式交互白板的板面經(jīng)久耐用，具有：抗腐蝕、抗劃傷、抗氧化等特性，但是也要避免硬物敲擊、劃傷互動白板 ，板面需要清洗時，可以
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自制USB口ISP(2313模擬USB)
很多手提電腦已經(jīng)沒有串口或并口。這種情況下，只能使用USB口的ISP。本制作并不是使用真正的USB芯片，而是用2313模擬USB的時序。
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解決usb傳輸速度慢方法
最近使用移動硬盤給朋友電腦傳輸幾部電影，發(fā)現(xiàn)400M電影文件傳輸時間竟然需要將近20多分鐘，但以前筆者使用其電腦傳輸系統(tǒng)文件1G多也不要5分鐘即可傳輸完成。朋友介紹了最近重新安裝過系統(tǒng)，于是懷疑是USB驅動沒裝好
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解決usb傳輸速度慢方法
解決usb傳輸速度慢方法
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為性能而生 強悍32-bit Cortex-M3架構Arduino Due
目前市場上開發(fā)主板已經(jīng)很多，比較流行的有Arduino和Raspberry Pi，甚至都已經(jīng)進入校園成為教導學生學習電子和編程的最佳實踐教學工具。不過相對來說這些主板在配置方面并不是相當?shù)膹姾?，而Arduino Due就是因此而設
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臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET
【摘要】臺積電在10月16日的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nmFinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。臺積電與其合作伙伴們
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臺積電16納米FinFET制程明年到來
臺積電在10月16日的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nmFinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。臺積電與其合作伙伴們表示，用
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臺積電16納米FinFET制程明年到來
臺積電在10月16日的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nmFinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。臺積電與其合作伙伴們表示，用
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驚，Atom都要八核心了！
Atom將在今年第四季度正式進軍微型服務器領域，而且準備打一場“持久戰(zhàn)”，未來第二代產(chǎn)品都已經(jīng)在籌劃之中了，規(guī)格相當強大。 Bordenville平臺的Centerton Atom采用32nm工藝制造，雙核心(架構代號Salt
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來自韓國的 Maytel uCharger 動手玩，同場也有 USB 藍牙電腦安全裝置
在香港秋季電子展中，我們可以找到來自香港、中國大陸、臺灣，甚至是韓國的廠商，而會場中除了有技術和零組件的展示以外，也不乏試作產(chǎn)品和制成品。這次我們就介紹這個來自韓國 Maytel 的 uCharger，它是一個聲稱可
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臺積電制定20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍圖
臺積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nmFinFET的雙重圖形技術對晶片設計人員帶來了極大挑戰(zhàn)。臺積電的發(fā)展藍圖大致與競爭對手Globalfoundries類似，都希望能在明年啟動20nm制程，2014開始14nmFinFET制程。
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臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET
臺積電在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nmFinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。臺積電與其合作伙伴們
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新唐科技開發(fā)出多款新系列32-bit MCU
21ic訊 新唐科技(Nuvoton)(原華邦電子邏輯事業(yè)群) 在2012年開發(fā)出多款新系列32-bit MCU，包括：帶有 USB 2.0全速設備的低功耗NUC123系列、內(nèi)嵌2.0 B標準的雙CAN (Controller Area Network) 控制器局域網(wǎng)絡NUC200 系
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臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET
臺積電在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。臺積電與其合作伙伴
