存儲(chǔ)器一直是半導(dǎo)體市場(chǎng)中占比最大的產(chǎn)品之一，且被認(rèn)為是本輪全球半導(dǎo)體市場(chǎng)下滑的主要“罪魁”。然而，近日原本持續(xù)下跌的存儲(chǔ)器價(jià)格卻走出了一輪上漲行情。分析人士認(rèn)為，導(dǎo)致這波漲價(jià)的誘因正是近日爆發(fā)的日韓貿(mào)易戰(zhàn)——日本對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體關(guān)鍵材料限制出口導(dǎo)致三星、SK海力士減產(chǎn)，反而間接有利于改善當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)供大于求的形勢(shì)。那么，這次存儲(chǔ)器的價(jià)格波動(dòng)是少數(shù)企業(yè)借機(jī)炒作抬價(jià)，還是有著現(xiàn)實(shí)支撐？未來存儲(chǔ)器市場(chǎng)能否借此走出一輪長(zhǎng)期的上揚(yáng)之勢(shì)呢？

在經(jīng)歷了接近一年“跌跌不休”的局面后，近日國(guó)際存儲(chǔ)器價(jià)格出現(xiàn)了一輪小幅上漲的行情。根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦咨詢旗下DRAMeXchange數(shù)據(jù)，7月10日8GB DDR4 DRAM均價(jià)較前一天上漲1.2%。這是去年9月以來，現(xiàn)貨價(jià)首次上漲。

此外，部分內(nèi)存模組廠商如威剛等已經(jīng)開始限量供應(yīng)現(xiàn)貨產(chǎn)品。而隨著報(bào)價(jià)的反彈，具備NAND芯片制造能力的旺宏、華邦等廠，以及內(nèi)存模組廠威剛、創(chuàng)見、十銓、群聯(lián)、宇瞻和廣穎等受益明顯，營(yíng)運(yùn)有望大幅提升。

那么，是什么導(dǎo)致了此輪存儲(chǔ)器的漲價(jià)呢？一些市場(chǎng)分析人士將原因指向近日爆發(fā)的日韓貿(mào)易戰(zhàn)。由于韓國(guó)企業(yè)三星、SK海力士占據(jù)全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，DRAM市場(chǎng)，三星占全球份額的43.9%，SK海力士為29.5%；NAND閃存市場(chǎng)，三星為36.5%，SK海力士為10.5%。在日韓貿(mào)易戰(zhàn)影響下，兩家公司均有可能縮減存儲(chǔ)器產(chǎn)能。但是，由于目前國(guó)際市場(chǎng)上DRAM和NAND閃存都存在著供過于求的隱憂。因此，這對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)來說反而是個(gè)好消息。

據(jù)韓國(guó)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星和SK海力士正在考慮從本月開始減少NAND閃存產(chǎn)量?！皩?duì)產(chǎn)量下降的預(yù)期可能會(huì)抬高價(jià)格?！笔谞朌B Financial Investment分析師Kwon Sung-ryul表示。

內(nèi)存廠旺宏董事長(zhǎng)吳敏求也認(rèn)為，在日本政府對(duì)半導(dǎo)體關(guān)鍵材料出口韓國(guó)祭出限令的情況下，短期內(nèi)雖有庫(kù)存可供給需求，長(zhǎng)期來看一定會(huì)造成缺貨，在限令實(shí)行的3個(gè)月后，NAND閃存市場(chǎng)將會(huì)“極度”混亂。在供不應(yīng)求的情況下，其他非韓廠的內(nèi)存廠商，將會(huì)因此受益。

事實(shí)上，這并不是存儲(chǔ)廠商第一次從重大事件中受益。2013年，SK海力士在中國(guó)無錫工廠的火災(zāi)影響了全球DRAM產(chǎn)量的6％，并使這些芯片的價(jià)格一度飆升了約88％。

那么，這輪存儲(chǔ)器漲價(jià)的背后，是否有著借機(jī)炒作抬價(jià)的嫌疑呢？集邦咨詢研究協(xié)理陳玠瑋表示：“以NAND 閃存合約價(jià)來看，目前觀察到報(bào)價(jià)確實(shí)是有所上漲?！币簿褪钦f，雖然市場(chǎng)上免不了存在一定的炒作，不過，本輪價(jià)格上漲也有一定現(xiàn)實(shí)支撐。

事實(shí)上，在日韓貿(mào)易戰(zhàn)發(fā)生之前，NAND閃存市場(chǎng)已經(jīng)有了庫(kù)存快速消化的跡象，并且出現(xiàn)存儲(chǔ)器價(jià)格將結(jié)束長(zhǎng)期跌勢(shì)的呼聲。上個(gè)月，受到日本強(qiáng)震影響，東芝公司NAND閃存工廠產(chǎn)量減少20％以上。

此次事件不僅對(duì)東芝的產(chǎn)量造成影響，而且西部數(shù)據(jù)也在東芝的制造工廠生產(chǎn)NAND閃存，同樣受到重創(chuàng)。由于東芝和西部數(shù)據(jù)的市場(chǎng)份額分別高達(dá)19.3％和15.3％，這已經(jīng)在一定程度上形成減產(chǎn)、降庫(kù)存的效果，對(duì)存儲(chǔ)器價(jià)格形成了支撐。

陳玠瑋甚至認(rèn)為，近期存儲(chǔ)價(jià)格的小幅上漲主要是受到東芝部分工廠停電的影響?！叭枕n貿(mào)易戰(zhàn)目前更多還只是停留在消息面上?！标惈d瑋說。

長(zhǎng)期來看，存儲(chǔ)市場(chǎng)將會(huì)如何發(fā)展？未來存儲(chǔ)器能否借助此次事件的影響，走出一輪長(zhǎng)期的上揚(yáng)之勢(shì)呢？

集邦咨詢認(rèn)為，消息面只能影響短期市場(chǎng)走勢(shì)，長(zhǎng)期變化還需看市場(chǎng)的供需形勢(shì)。DRAM價(jià)格已然歷經(jīng)了連續(xù)三個(gè)季度的快速下滑，下游模組廠的庫(kù)存普遍偏低。因此，在日韓貿(mào)易戰(zhàn)消息的影響下，確實(shí)有部分模組廠開出上揚(yáng)的價(jià)格或表示將停止生產(chǎn)。然而，現(xiàn)貨市場(chǎng)只占整體DRAM市場(chǎng)的10%，中長(zhǎng)期產(chǎn)業(yè)的供需態(tài)勢(shì)仍需關(guān)注占比超過9成的合約市場(chǎng)。

集邦咨詢資深協(xié)理吳雅婷表示：“目前DRAM仍處于買方市場(chǎng)，原廠庫(kù)存只能降價(jià)求售。接下來價(jià)格何時(shí)反轉(zhuǎn)，仍然取決于需求面何時(shí)出現(xiàn)大幅增長(zhǎng)?！?/p>

但從需求面來看，不論是零售端的PC、智能手機(jī)，還是企業(yè)用服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的建設(shè)，目前整體終端需求仍然呈現(xiàn)十分疲弱的態(tài)勢(shì)。因此，DRAM市場(chǎng)短期可能會(huì)受到日韓貿(mào)易戰(zhàn)消息的影響，但卻很難就因此得出市場(chǎng)將出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的結(jié)論。

吳雅婷預(yù)估，DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)反轉(zhuǎn)的時(shí)間點(diǎn)有可能落在2020年第二季度末至第三季度以內(nèi)。屆時(shí)有可能出現(xiàn)終端的旺季需求，帶動(dòng)存儲(chǔ)器的庫(kù)存消化，進(jìn)而推升價(jià)格。

至于NAND閃存市場(chǎng)，由于NAND閃存晶圓的市場(chǎng)報(bào)價(jià)已經(jīng)偏低，預(yù)計(jì)7月起各供應(yīng)商報(bào)價(jià)將出現(xiàn)漲勢(shì)。集邦咨詢認(rèn)為，由于供應(yīng)商普遍備有2至3個(gè)月的庫(kù)存，多數(shù)模組廠不會(huì)第一時(shí)間接受漲價(jià)，后續(xù)則需視市場(chǎng)及供應(yīng)端庫(kù)存狀況決定交易價(jià)是否上漲。雖然NAND閃存價(jià)格短期將出現(xiàn)上揚(yáng)，但長(zhǎng)期仍有跌價(jià)的壓力。