耐威科技從投建8英寸氮化鎵（GaN）外延材料項目到正式投產(chǎn)，僅用了15個月，進展之快，讓業(yè)界對這家新晉半導(dǎo)體公司的實力有了新的認(rèn)識。

9月10日，聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司“8英寸GaN外延材料項目投產(chǎn)暨產(chǎn)品發(fā)布儀式”在青島市即墨區(qū)舉行，意味著國內(nèi)8英寸GaN外延材料再添新兵。而聚能晶源正是耐威科技發(fā)起成立的控股公司。

耐威科技董事長楊云春表示，耐威科技自上市以來，積極在物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域進行布局，重點發(fā)展MEMS和GaN業(yè)務(wù)；其中在GaN領(lǐng)域，耐威科技在即墨投資設(shè)立了聚能晶源公司，專注GaN外延材料的研發(fā)生長；在嶗山投資設(shè)立了聚能創(chuàng)芯公司，專注GaN器件的開發(fā)設(shè)計。從入駐到項目建成投產(chǎn)，聚能晶源僅僅用了一年多的時間。

規(guī)模與體量上再造一個耐威

隨著5G通訊、云計算、新型消費電子、智能白電、新能源汽車的應(yīng)用興起，對功率器件的性能提出了新的需求；但傳統(tǒng)硅器件受材料特性所限，在性能方面滿足不了新興的需求，這就促使產(chǎn)業(yè)界尋找新的材料代替，以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體就是一個很好的方向；同時，根據(jù)第三方機構(gòu)預(yù)測，到2023年，功率氮化鎵市場規(guī)模將達到4.23億美元，復(fù)合增長率為93%。

在這一背景下，國內(nèi)不少半導(dǎo)體廠商紛紛加碼功率氮化鎵市場。去年5月份，耐威科技宣布與袁理先生、青島海絲民和半導(dǎo)體投資中心（有限合伙）、青島民芯投資中心（有限合伙）共同投資設(shè)立兩家控股子公司——聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司與青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司。

耐威科技兩家控股子公司業(yè)務(wù)均與氮化鎵相關(guān)：聚能創(chuàng)芯主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵功率與微波器件的設(shè)計、開發(fā)；聚能晶源主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵外延材料的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)。

如今，聚能晶源的8英寸GaN外延材料項目正式投產(chǎn)，將可以為聚能創(chuàng)芯的氮化鎵功率提供材料，其氮化鎵功率產(chǎn)品也將快速出貨，兩者相互推進，為耐威科技再上一個臺階提供很好的基礎(chǔ)。

楊云春也表示，聚能晶源的8英寸GaN外延材料項目正式投產(chǎn)，耐威科技希望能以此為契機，積極把握第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)替代機遇，在青島繼續(xù)建設(shè)第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地及器件設(shè)計中心，在規(guī)模與體量上再造一個耐威。

在本次投產(chǎn)儀式上，盛世投資管理合伙人劉新玉致辭稱，第三代半導(dǎo)體材料具備獨特性能，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)替代進程中具有重要的戰(zhàn)略意義，作為股東與戰(zhàn)略合作伙伴，今天很高興見到耐威科技在青島即墨投資落地的聚能晶源8英寸GaN外延材料項目能夠迅速建成投產(chǎn)，希望該項目今后能夠為產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出貢獻。

耐威科技也曾表示，氮化鎵外延材料的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)，有利于公司把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇，盡快拓展相關(guān)材料在重點裝備、航空電子、5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的推廣應(yīng)用；有利于公司以傳感為核心所進行的“材料-芯片-器件-系統(tǒng)-應(yīng)用”的全面布局。

助力客戶搶占GaN市場先機

聚能晶源自成立以來，先后攻克了GaN與Si材料之間晶格失配、大尺寸外延應(yīng)力控制、高耐壓GaN外延生長等技術(shù)難關(guān)，成功研制了達到全球業(yè)界領(lǐng)先水平的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。據(jù)了解，該型外延晶圓在實現(xiàn)了650V/700V高耐壓能力的同時，保持了外延材料的高晶體質(zhì)量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產(chǎn)業(yè)界中高壓功率電子器件的應(yīng)用需求。

耐威科技曾表示，在采用國際業(yè)界嚴(yán)苛判據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的情況下，聚能晶源研制的外延晶圓在材料、機械、電學(xué)、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優(yōu)勢，能夠保障相關(guān)材料與技術(shù)在5G通訊、云計算、快充電源、無線充電等領(lǐng)域得到安全可靠的應(yīng)用。

此次，聚能晶源8英寸GaN外延材料項目正式量產(chǎn)，但其產(chǎn)品并不僅限于8英寸硅基氮化鎵外延晶圓。據(jù)介紹，聚能晶源本次發(fā)布的相關(guān)產(chǎn)品包括8英寸硅基氮化鎵外延晶圓與6英寸碳化硅基外延晶圓，可滿足下一代功率與微波電子器件對于大尺寸、高質(zhì)量、高一致性、高可靠性氮化鎵外延材料的需求，為5G通訊、云計算、新型消費電子、智能白電、新能源汽車等領(lǐng)域提供核心元器件的材料保障。

除此之外，聚能晶源項目還掌握全球領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵外延與6英寸碳化硅基外延生長技術(shù)。在功率器件應(yīng)用領(lǐng)域，產(chǎn)品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓與8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓。同時，聚能晶源將自有先進8英寸GaN外延技術(shù)創(chuàng)新性地應(yīng)用在微波領(lǐng)域，開發(fā)出了兼具高性能與大尺寸、低成本、可兼容標(biāo)準(zhǔn)8英寸器件加工工藝的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圓。在硅基氮化鎵之外，聚能晶源也擁有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圓產(chǎn)品線，滿足客戶在碳化硅基氮化鎵外延材料方面的需求。

以聚能晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓產(chǎn)品為例。該型GaN外延晶圓具有高晶體質(zhì)量、低表面粗糙度、高一致性的材料特點。同時具有低導(dǎo)通電阻、高耐壓、低漏電、耐高溫的電學(xué)特性。值得一提的是，聚能晶源GaN外延晶圓具有優(yōu)秀的材料可靠性，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)TDDB測試方法，其在標(biāo)稱耐壓值下的長時有效壽命達到了10的9次方小時，處于國際業(yè)界領(lǐng)先水平。采用聚能晶源的GaN外延晶圓，客戶在開發(fā)GaN器件時可實現(xiàn)高性能、高一致性、高良率、高可靠性等優(yōu)勢，幫助客戶搶占第三代半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的競爭先機。

據(jù)悉，聚能晶源8英寸GaN外延材料項目一期建成產(chǎn)能為年產(chǎn)1萬片6-8英寸GaN外延晶圓，在規(guī)劃的二期項目中，產(chǎn)能將達到年產(chǎn)20萬片6-8英寸GaN外延晶圓。在聚能晶源項目的建設(shè)過程中，該項目得到了耐威科技股東國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、青島市與即墨區(qū)各級政府、青島城市建設(shè)投資集團的支持，聚能晶源項目也被評為青島市重點項目。

或許，正如董事長楊云春所說，隨著布局的落地，公司在青島繼續(xù)建設(shè)第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地及器件設(shè)計中心，在規(guī)模與體量上再造一個耐威。