1、大突破!國產6英寸碳化硅晶片打破國外壟斷

不久前，中國科學院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達藍光半導體有限公司(以下簡稱天科合達)合作，解決了6英寸擴徑技術和晶片加工技術，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。

2013年，陳小龍團隊開始進行6英寸碳化硅晶體的研發(fā)工作，用了近一年的時間，團隊研發(fā)的國產6英寸碳化硅單晶襯底問世。測試證明，國產6英寸碳化硅晶體的結晶質量很好，該成果標志著物理所碳化硅單晶生長研發(fā)工作已達到國際先進水平，可以為高性能碳化硅基電子器件的國產化提供材料基礎。

“雖然起步有點晚，但通過10多年的自主研發(fā)，我們與國外的技術差距在逐步縮小。”陳小龍說。作為國內碳化硅晶片生產制造的先行者，天科合達打破了國外壟斷，填補了國內空白，生產的碳化硅晶片不僅技術成熟，還低于國際同類產品價格。

陳小龍指出，當前碳化硅主要應用于三大領域：高亮度LED、電力電子以及先進雷達，以后還可能走進家用市場，這意味著陳小龍團隊的自主創(chuàng)新和產業(yè)化之路還將延續(xù)。

編輯點評：碳化硅曾長期被美國科銳公司壟斷，并且價格十分昂貴，但仍供不應求。高昂的原材料成本占碳化硅半導體器件價格的10%以上，碳化硅晶片價格已成為第三代半導體產業(yè)發(fā)展的瓶頸。陳小龍團隊6英寸碳化硅晶片的成功研制，我國半導體產業(yè)將迎來新征程。

2、傳高通810芯片過熱 臺積電產能遭沖擊

市場傳出，韓國三星的14納米FinFET制程良率近期已有明顯改善，引發(fā)臺積電大客戶手機芯片龍頭廠高通(Qualcomm)在臺積電試產16納米FinFET制程喊卡，加上高通高端S810芯片傳聞有過熱問題，3月上市時間延宕，市場預期將沖擊臺積電南科廠先進制程產能利用率與整體營運。

去年7月中旬，臺積電因先量產20納米制程，16納米FinFET制程量產時程較競爭對手三星晚，導致大客戶高通轉向三星投產，臺積電也坦承今年在此一制程市占率會較低，預期隨著今年下半年產能開出后，明年將搶回市占率。

不過，市場傳出，韓國三星的14納米FinFET制程良率近期明顯改善，加上價格策略搶單搶得兇，吸引高通全面轉向三星投產，原在臺積電試產16納米FinFET制程則喊卡;高通高端S810芯片傳聞有過熱問題，3月上市時間延宕，蘋果iPhone 6拉貨旺季又已過，臺積電先進制程主力廠南科14廠產能利用率恐受沖擊，傳出決定先行暫時停產20納米2成產能，這可能影響臺積電第一季營運下滑幅度比預期高。

編輯點評：臺積電產能問題在業(yè)界一直遭詬病，加上臺積電有蘋果大單，此消彼長其他產能就......另外，業(yè)界14納米日漸成熟，市場競爭必然日趨激烈。

3、USB 3.1正反隨便插速度很彪悍?其實好脆弱

USB3.1接口無疑是本屆CES上的一個亮點技術，新增加的Type-C型接口更是因為不區(qū)分正反面而廣為看好。我們通過微星的兩個展示平臺，仔細分析新接口。

首先Type-C只是伴隨著USB3.1標準而來的一個可選接口類型，并不是說USB3.1接口就一定是Type-C，Type-C也不一定都是USB3.1，事實上接口標準版本、類型是可以隨便混搭的：USB3.1Type-C、USB3.1Type-A、USB3.0/2.0Type-C、USB3.0/2.0Type-A這些都是可以的，就看廠商需要什么了。

關于這個Type-C，隨便插拔看起來很美，但大家似乎都忘了還有個壽命問題。理論上，這種接口可以經受10萬次插拔，工藝控制得當還可以更多，但最大的弱點是公口、母口所用的金屬接片的末尾。

Type-C接口體積小巧，不像Type-A那樣周圍有著充分的保護，因此在反復插拔中如果數據線彎來彎去，很容易導致主板或者數據線某一端的接口出現變形、損壞。

編輯點評：我們都知道USB3.1是一種新型USB接口，正反兩面均能使用，最高通訊速率可以達到10Gbps，是目前USB 3.0接口速率的2倍。不過，可能大家都忽略了上面這個問題，這是接口本身的不足，估計廠商也不會在意，以后說不定是個麻煩。

4、谷歌對舊版安卓漏洞甩手不管

據美國科技新聞網站ZDNET報道，最近有安全人士爆料，谷歌曾公開表示，對于安卓4.4之前系統(tǒng)中的一個組件漏洞，不再負責，希望民間高手能夠自行開發(fā)補丁。據安全專家TodBeardsley爆料，去年十月份，谷歌官方收到了一個安全漏洞報告，有人發(fā)現在安卓4.3版本中，WebView組件中存在漏洞，威脅系統(tǒng)安全。按照統(tǒng)計，這一漏洞將影響到全球9.3億人的安卓用戶。然而谷歌的反應令外界吃驚，谷歌工作人員表示，目前無暇顧及，請外界自行開發(fā)補丁解決問題。據報道，谷歌方面表示，因為受影響的安卓系統(tǒng)早于4.4版本，因此谷歌團隊一般不會再自行開發(fā)補丁，“但是歡迎外界開發(fā)的補丁”。

目前還不清楚谷歌這樣置之不理的政策，是針對WebView這一安卓系統(tǒng)組件，還是涉及整個安卓4.4之前的系統(tǒng)。按照谷歌的解釋，如果安全業(yè)界未來發(fā)現相關漏洞時，如果提交了補丁程序，谷歌將會把補丁整合到開源的安卓系統(tǒng)代碼中。

眾所周知的是，安卓最大特色是碎片化，全球用戶運行著花樣繁多的安卓版本。根據谷歌官方統(tǒng)計，46%的安卓用戶運行安卓4.3，該版本排名第一，安卓4.4占到了39.1%，排名第二。其余的用戶，則分布在安卓2.3，安卓4.0，安卓2.2等舊版本。

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編輯點評：極度碎片化的安卓生態(tài)，不僅讓第三方軟件開發(fā)者頭疼，也讓谷歌官方難以駕馭。‍

5、研究人員開發(fā)出一種三維成型技術 可制備微納米半導體器件

據新華社華盛頓1月11日電 見過一打開便有小房子或城堡立起來的那種立體書吧。受這種兒童玩具書的啟發(fā)，中國、美國、韓國研究人員開發(fā)出一種特別簡單的“彈出式”三維成型技術，可制備現有3D打印技術無法實現的微納米半導體器件。這項成果發(fā)表在新一期美國《科學》雜志上。研究負責人之一、美國西北大學研究助理教授張一慧對新華社記者說，這種技術被稱為“屈曲引導的三維成型技術”，相比現有3D打印技術有多種優(yōu)勢，“它不能完全取代現有3D打印技術，但可作為一個非常重要的補充”。

這種技術的基本步驟是：先形成具有一定構型的平面結構，將其轉移至一張已經拉伸的彈性基底上，通過表面化學處理把平面結構選擇性地粘接于彈性基底，之后釋放彈性基底的預拉伸，即可將未粘接于基底的平面結構彈出，形成三維結構。

張一慧說，這種技術的優(yōu)勢一是快速成型;二是適用于各種類型的材料，包括半導體、金屬、聚合物等;三是與現代化半導體產業(yè)的二維制備技術兼容，可成型非常復雜的三維結構，他們已實現40多種三維結構，包括孔雀、花朵、桌子、籃子、帳篷和海星等;四是尺寸上沒有明顯的限制，目前已實現的最小厚度約為100納米，最大厚度約1毫米。這種技術的主要不足在于所能成型的三維結構仍具有一定的局限性，并不能形成所有給定的三維結構。

編輯點評：傳統(tǒng)3D打印技術一層層疊加打印，不僅速度慢，適用的材料類型有限，如無法適用于高性能半導體結構，適用的三維結構也有限。而這種快速成型、材料及尺寸不受限制的新型技術正能彌補3D打印的不足，相信對半導體器件制造來說更有益處。

6、存儲信息時間可達6小時的量子硬盤正式研制成功

澳大利亞和新西蘭物理學家合作研制出一個量子硬盤原型，將信息存儲時間延長了100多倍，達到了創(chuàng)紀錄的6個小時。這樣的網絡可用于銀行交易和個人電子郵件。“我們相信，在全球任意兩點之間分發(fā)量子信息很快就將成為可能。”論文主要作者、澳大利亞國立大學物理與工程研究院的鐘曼錦說，“量子態(tài)非常脆弱，通常只能保持幾毫秒，然后就會崩潰。我們的長時存儲能力有望給量子信息領域帶來革新。”

該研究團隊采用了嵌入晶體中的稀有稀土元素銪原子來存儲信息。這種固態(tài)存儲技術非常有前景，有望替代在光纖中使用激光的技術，目前利用后者創(chuàng)建的量子網絡長度大約為100公里。“現在我們的存儲時長可以達到這么久，這意味著人們需要重新思考哪種才是分發(fā)量子數據的最佳方式。”鐘曼錦說，“如果給定一段距離，即使以步行的速度傳送我們的晶體，信息丟失也會比激光系統(tǒng)少。”她說：“我們現在可以想像將糾纏光存儲在不同的晶體中，然后將它們傳送數千公里之外不同的網絡接收點的情景。因此，我們正在考慮將我們的晶體作為便攜式量子光學硬盤。”

研究團隊利用激光將一個量子態(tài)寫入銪原子核自旋上，然后將晶體置于固定磁場和振蕩磁場的組合中，以保護脆弱的量子信息。“這兩個磁場將銪原子自旋隔絕起來，防止量子信息的泄露。”奧塔哥大學的杰文·朗德爾說。

編輯點評：硬盤市場在最近幾年的發(fā)展速度非常迅速，這項突破是朝著基于量子信息構建一個安全的全球數據加密網絡邁出的重要一步。