今年，頻頻爆出摩爾定律將不再是制造工藝界的神話，雖說如此，但新制造工藝的發(fā)展仍然不可忽視。

而在14nm向10nm、7nm發(fā)展的過程中，解決漏電問題就成為了關(guān)鍵。為了解決該問題，Intel在其制造工藝中融合了高介電薄膜和金屬門集成電路以解決漏電問題;IBM開發(fā)出SOI技術(shù)——在在源極和漏極埋下一層強電介質(zhì)膜來解決漏電問題;此外，還有鰭式場效電晶體技術(shù)——借由增加絕緣層的表面積來增加電容值，降低漏電流以達到防止發(fā)生電子躍遷的目的。

10nm登陸戰(zhàn)正當(dāng)酣

處理器工藝的發(fā)展?fàn)縿又謾C行業(yè)的步伐，而iPhone 7搭載的性能強勁的A10處理器依然采用的是臺積電16nm技術(shù)或三星14nm技術(shù)，可以預(yù)見的是10nm技術(shù)將會在明年參與智能手機行業(yè)的發(fā)展。

而這三家在10nm的搶灘戰(zhàn)中戰(zhàn)果幾何?根據(jù)相關(guān)消息，臺積電預(yù)告2017年第二季將會量產(chǎn)10nm芯片。在今年10月份，三星也對外宣布其第三代10nm制程，并將之命名為10LPU。據(jù)稱，新工藝能夠帶來比舊10nm制程更小的10核心尺寸。而作為制造工藝曾經(jīng)的霸主Intel卻在10nm技術(shù)上頻頻跳票，其10nm制程量產(chǎn)時間確定將延后到2017下半年，首個10nm工藝的Cannonlake也是姍姍來遲。但是，從以往的經(jīng)驗來看，與臺積電和三星相比，Intel的制造工藝在成本上還是性能上都略勝一籌。誰將在10nm登陸戰(zhàn)中成為最后的贏家還真是不容易判斷。而至于，AMD方面要跳過10nm而直奔7nm那就是另外一個更遙遠的故事了。

7nm搶灘贏家將成為制霸關(guān)鍵?

臺積電內(nèi)部將7nm視為與英特爾和三星最重要的戰(zhàn)役，臺積電因有10nm制程掌握蘋果、聯(lián)發(fā)科及海思等重要客戶導(dǎo)入的優(yōu)勢，且7nm在電晶體反應(yīng)速度和功能及功能等表現(xiàn)，比10nm更優(yōu)越，讓臺積電一線大客戶，甚至包括原本在三星投片的高通，也將大單轉(zhuǎn)回臺積電，凸顯臺積電在7nm獲國際大廠肯定。但是，英特爾已和ARM簽署授權(quán)協(xié)議，在10nm制程提供代工服務(wù)將采用ARM的架構(gòu)，與臺積電正面交鋒，更讓臺積電不敢稍有懈怠。據(jù)稱，臺積電7nm將于明年第1季進行風(fēng)險性試產(chǎn)，良率在既定進度內(nèi)前進，預(yù)定明年第4季投片，2018年起貢獻營收，7nm制程的量產(chǎn)時間點則將落在2018年上半。

相比之下，三星導(dǎo)入7nm制程進度不如預(yù)期，恐無法如原先規(guī)劃在明年量產(chǎn)。三星在蘋果A10處理器代工訂單全被臺積電吃下之后，決定卷土重來，將重心押在7nm，并且決定提前在7nm導(dǎo)入由ASML開發(fā)最新EUV微影設(shè)備，用在半導(dǎo)體量產(chǎn)制程。三星原預(yù)估，明年上半年裝設(shè)完成并進行7nm量產(chǎn)，不過，半導(dǎo)體設(shè)備商透露，三星7nm研發(fā)進度嚴重落后，明年接單難度甚高。

而Intel方面也表示，7nm制程是決勝關(guān)鍵，7nm的制程技術(shù)與材料將會有重大改變。相較于其10nm產(chǎn)品，7nm工藝可能還要晚一些，恐怕要等到2020年才能量產(chǎn)了。

不得不說三星、臺積電、Intel等公司在7nm、10nm工藝上的搶灘大戰(zhàn)著實是一場好戲。