Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日推出BZPACK mSiC®功率模塊，專為滿足嚴(yán)苛的高濕、高電壓、高溫反偏(HVH3TRB)標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)。BZPACK模塊可提供卓越可靠性、簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程，并為zui嚴(yán)苛的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供豐富的系統(tǒng)集成方案。該模塊支持多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括半橋、全橋、三相及 PIM/CIB 配置，為設(shè)計(jì)人員提供優(yōu)化性能、成本與系統(tǒng)架構(gòu)的靈活空間。

BZPACK mSiC功率模塊通過(guò)測(cè)試并滿足超過(guò)1000小時(shí)標(biāo)準(zhǔn)的HV-H3TRB標(biāo)準(zhǔn)，為工業(yè)及可再生能源應(yīng)用部署提供可靠保障。該模塊采用相比漏電起痕指數(shù)(CTI)達(dá)600V的封裝外殼，在全溫度范圍內(nèi)具備穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻Rds(on)，并可選用氧化鋁(Al?O?)或氮化鋁(AlN)基板，提供出色的絕緣性能、熱管理能力與長(zhǎng)期耐用性。

Microchip負(fù)責(zé)大功率解決方案業(yè)務(wù)部的副總裁Clayton Pillion表示：“BZPACK mSiC功率模塊的推出，進(jìn)一步彰顯Microchip致力于為zui嚴(yán)苛功率轉(zhuǎn)換環(huán)境提供高可靠性和高性能解決方案的承諾。依托先進(jìn)的mSiC技術(shù)，我們能夠?yàn)榭蛻籼峁┮粭l更簡(jiǎn)便的路徑，幫助其在工業(yè)和可持續(xù)發(fā)展市場(chǎng)構(gòu)建高效且持久的系統(tǒng)?！?

為簡(jiǎn)化生產(chǎn)并降低系統(tǒng)復(fù)雜性，BZPACK模塊采用緊湊無(wú)基板設(shè)計(jì)，配備壓接式無(wú)焊端子，并可選配預(yù)涂覆導(dǎo)熱界面材料(TIM)。這些靈活的配置選項(xiàng)可實(shí)現(xiàn)更快的裝配速度、更高的一致性制造品質(zhì)，并通過(guò)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸實(shí)現(xiàn)更便捷的多貨源采購(gòu)。此外，該模塊采用引腳兼容設(shè)計(jì)，使用更加簡(jiǎn)便。

Microchip的MB與MC系列mSiC MOSFET旨在為工業(yè)和汽車應(yīng)用提供高可靠性解決方案，其中部分產(chǎn)品通過(guò)AEC Q101車規(guī)認(rèn)證。這些器件支持通用柵源電壓(VGS ≥ 15V)，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，易于集成。經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的HV-H3TRB能力有助于降低因潮濕引發(fā)漏電或擊穿導(dǎo)致的現(xiàn)場(chǎng)故障風(fēng)險(xiǎn)，保障長(zhǎng)期可靠性。此外，MC 系列集成柵極電阻，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的開(kāi)關(guān)控制，保持低開(kāi)關(guān)損耗，并增強(qiáng)多芯片模塊配置穩(wěn)定性?，F(xiàn)有產(chǎn)品提供TO-247-4 Notch封裝及裸片(華夫盤)形式。

Microchip在碳化硅器件及功率解決方案的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造與支持方面擁有逾20年經(jīng)驗(yàn)，致力于幫助客戶輕松、快速且放心地采用碳化硅技術(shù)。公司mSiC系列產(chǎn)品與解決方案旨在降低系統(tǒng)成本、加快產(chǎn)品上市并降低開(kāi)發(fā)風(fēng)險(xiǎn)。Microchip提供豐富且靈活的碳化硅二極管、MOSFET及柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品。