EPC公司宣布推出GaN Power Bench?設(shè)計(jì)工具，幫助工程師實(shí)現(xiàn)基于氮化鎵器件的設(shè)計(jì)的最高性能。eGaN® FET和IC具有快速開(kāi)關(guān)、高效和小尺寸等優(yōu)勢(shì)，可滿足當(dāng)今前沿應(yīng)用對(duì)功率密度的嚴(yán)格要求。GaN Power Bench工具可幫助設(shè)計(jì)工程師為各種應(yīng)用選擇最合適的氮化鎵器件、模擬和優(yōu)化設(shè)計(jì)的散熱性能，并提供應(yīng)用實(shí)例和相關(guān)文檔，從而可以快速、輕松地實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的理想性能。

GaN Power Bench工具包括：

用于降壓轉(zhuǎn)換器的GaN FET選型工具

用于降壓轉(zhuǎn)換器的GaN FET選型計(jì)算器是一個(gè)進(jìn)一步改善了的產(chǎn)品選型工具，針對(duì)硬開(kāi)關(guān)降壓轉(zhuǎn)換器的估計(jì)值和計(jì)算值。設(shè)計(jì)師輸入設(shè)計(jì)參數(shù)后，得出以功耗排序的可選器件，從而確定參數(shù)的權(quán)衡。這個(gè)選擇工具旨在找出最合適的GaN FET以滿足特定功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)的要求。這個(gè)工具將進(jìn)一步加入其他拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

GaN FET熱量計(jì)算器

GaN FET熱量計(jì)算器為PCB上的氮化鎵器件的熱性能參數(shù)快速提供估算值。氮化鎵器件既要通過(guò)強(qiáng)制對(duì)流進(jìn)行板面冷卻，也要通過(guò)由散熱器和散熱片組成的熱解決方案進(jìn)行背面冷卻。該熱量計(jì)算器的估算值考慮了PCB的結(jié)構(gòu)(尺寸、堆疊和通孔密度)、芯片尺寸、功耗、TIM材料和散熱器解決方案。

交叉參考搜索

交叉參考搜索提供許多硅基電源管理器件的交叉參考和GaN FET替代產(chǎn)品，便于比較參數(shù)差異而不需數(shù)據(jù)表就可以找出最合適的eGaN FET以提高設(shè)計(jì)效率。只需輸入競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品型號(hào)，就可以找到推薦的替代硅器件的氮化鎵產(chǎn)品。

器件模型

宜普公司開(kāi)發(fā)了三階器件模型列表，讓工程師能夠快速設(shè)計(jì)和構(gòu)建電路。每個(gè)器件的模型包括PSpice、LTSpice、TSpice、Spectre、Altium、3DStep和熱模型。

參考設(shè)計(jì)

宜普公司針對(duì)各種應(yīng)用包括DC/DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、激光雷達(dá)和D類音頻提供不斷擴(kuò)大的參考設(shè)計(jì)。 每個(gè)參考設(shè)計(jì)包括所有的相關(guān)文檔，從而可以快速和容易地復(fù)制最佳設(shè)計(jì)提示，實(shí)現(xiàn)理想的性能。

EPC公司全球現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程總監(jiān)Andrea Gorgerino說(shuō)："相比硅器件，eGaN FET和IC讓采用任何功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)工程師在其設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)顯著的性能提升。GaN Power Bench工具易于使用，使設(shè)計(jì)人員能夠輕松地實(shí)現(xiàn)氮化鎵設(shè)計(jì)的最高性能。"

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN®)的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(LiDAR)、用于電動(dòng)運(yùn)輸、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外，宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。