芯片的發(fā)展越來越迅速，先進(jìn)制程芯片量產(chǎn)的速度也是越來越快，從28納米，就這么幾年的時(shí)間，如今已經(jīng)成功挺進(jìn)到4納米。這意味著什么?意味著芯片先進(jìn)制程已經(jīng)即將就要接觸到摩爾定律的極限了。

當(dāng)然，如今全球企業(yè)在芯片先進(jìn)制程上依舊還在不斷努力中，三星，這個(gè)國際性的全能企業(yè)，在3納米芯片方面也傳來了新進(jìn)展，據(jù)說三星準(zhǔn)備在3納米方面采用新工藝。那么，這次三星是否真能實(shí)現(xiàn)3納米的量產(chǎn)嗎?畢竟三星叫嚷3納米也已經(jīng)有很多年了，但是連影子都沒見到。

三星如今研發(fā)出這樣一個(gè)更加先進(jìn)的3納米制程工藝，那么究竟有沒有希望能挽回有點(diǎn)要跑掉的高通呢?

根據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星今年準(zhǔn)備在韓國平澤市開工建設(shè)3納米晶圓廠，目前預(yù)計(jì)可能會(huì)在6月份還7月份動(dòng)工，并且還準(zhǔn)備一并將相應(yīng)的設(shè)備落實(shí)到位。在3納米芯片的制程工藝上，三星大有破釜沉舟的樣子。

我國的臺(tái)積電也確實(shí)有向3納米芯片進(jìn)軍，但是，目前臺(tái)積電使用的可是比較傳統(tǒng)的FinFET工藝。而三星偏不，三星這次準(zhǔn)備用什么呢?準(zhǔn)備使用新工藝，準(zhǔn)備成為第一個(gè)吃螃蟹的人。這個(gè)新工藝就是GAA晶體管工藝。

三星的晶圓代工部門最近負(fù)面不斷，此前有消息稱部分員工涉嫌偽造和虛報(bào)5nm、4nm、3nm工藝制程的良品率，以致于高通這樣的VIP客戶都要出走，重新使用臺(tái)積電生產(chǎn)驍龍8處理器。

不過從技術(shù)上來說，三星現(xiàn)在依然是唯一能緊追臺(tái)積電的晶圓代工廠，雖然在7nm、5nm及4nm節(jié)點(diǎn)上落后了一些，但在接下來的3nm節(jié)點(diǎn)三星更激進(jìn)，要全球首發(fā)GAA晶體管工藝，放棄FinFET晶體管技術(shù)，而臺(tái)積電的3nm工藝依然會(huì)基于FinFET工藝。

三星之前表示，GAA是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應(yīng)管)，該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

根據(jù)三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺(tái)積電3nm FinFET工藝。

當(dāng)然，這些還是紙面上的，三星的3nm工藝挑戰(zhàn)也不少，光是量產(chǎn)就是個(gè)問題，之前三星宣傳2021年就量產(chǎn)，實(shí)際上并沒有，最快也是今年，而且首發(fā)的是3GAE低功耗工藝，高性能的3GAP工藝至少要2023年了。

據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星已經(jīng)準(zhǔn)備在韓國平澤市的P3工廠開工建設(shè)3nm晶圓廠了，6、7月份動(dòng)工，并及時(shí)導(dǎo)入設(shè)備。

按照這個(gè)進(jìn)度，今年的3GAE工藝應(yīng)該也只會(huì)是小規(guī)模試產(chǎn)，大規(guī)模量產(chǎn)也要到明年了，跟臺(tái)積電的3nm工藝差不多，兩家都因?yàn)榉N種問題延期量產(chǎn)3nm工藝了。

3月9日消息，此前三星就曾宣布，其3nm工藝已經(jīng)研發(fā)完成，預(yù)計(jì)會(huì)在今年第二季度開始試產(chǎn)，比臺(tái)積電的進(jìn)度更快。近日，韓國媒體報(bào)道稱，三星已經(jīng)準(zhǔn)備在韓國平澤市的P3工廠開工建設(shè)3nm晶圓廠，預(yù)計(jì)6月份前后動(dòng)工，屆時(shí)就能導(dǎo)入設(shè)備并開始試產(chǎn)調(diào)試了。

顯然，這個(gè)進(jìn)度比三星公布的時(shí)間要慢不少，預(yù)計(jì)到年底也只能進(jìn)行小規(guī)模的量產(chǎn)。而臺(tái)積電的3nm工藝應(yīng)該也能在今年第四季度之前開始量產(chǎn)，這樣一來兩家的時(shí)間就相差不多了，大規(guī)模量產(chǎn)都要拖到明年了。

不過，按照三星公布的消息，其3nm工藝采用的是更為先進(jìn)的GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，相比與臺(tái)積電的FinFET晶體管技術(shù)會(huì)更為先進(jìn)。在性能、功耗、芯片面積等各個(gè)方面，紙面參數(shù)都是要比臺(tái)積電3nm工藝更優(yōu)秀的。

相比與7nm工藝，三星3nm GAA工藝的芯片邏輯面積提高45%以上，功耗降低50%，性能提高約35%。如果真的能達(dá)到這樣的水準(zhǔn)，那確實(shí)有機(jī)會(huì)在3nm技術(shù)上實(shí)現(xiàn)彎道超車，一舉追上臺(tái)積電。之前，三星的7nm、5nm工藝表現(xiàn)都不如臺(tái)積電，三星也是把寶都?jí)涸诹?nm工藝上，并且在技術(shù)上還領(lǐng)先了一步，希望這一次能有大幅提升

之前有傳言稱，臺(tái)積電的3nm工藝產(chǎn)能已經(jīng)被蘋果、英特爾提前預(yù)定，高通、AMD等其他廠商分不到多少，所以準(zhǔn)備轉(zhuǎn)頭三星3nm。高通這邊想要第一時(shí)間用上先進(jìn)工藝，也就只能找三星了。如果三星3nm工藝能達(dá)到理論性能，那高通旗艦芯片也有機(jī)會(huì)迎來一波大的性能提升。