芯片的發(fā)展越來越迅速，先進制程芯片量產的速度也是越來越快，從28納米，就這么幾年的時間，如今已經成功挺進到4納米。這意味著什么?意味著芯片先進制程已經即將就要接觸到摩爾定律的極限了。

當然，如今全球企業(yè)在芯片先進制程上依舊還在不斷努力中，三星，這個國際性的全能企業(yè)，在3納米芯片方面也傳來了新進展，據(jù)說三星準備在3納米方面采用新工藝。那么，這次三星是否真能實現(xiàn)3納米的量產嗎?畢竟三星叫嚷3納米也已經有很多年了，但是連影子都沒見到。

三星如今研發(fā)出這樣一個更加先進的3納米制程工藝，那么究竟有沒有希望能挽回有點要跑掉的高通呢?

根據(jù)韓國媒體報道，三星今年準備在韓國平澤市開工建設3納米晶圓廠，目前預計可能會在6月份還7月份動工，并且還準備一并將相應的設備落實到位。在3納米芯片的制程工藝上，三星大有破釜沉舟的樣子。

我國的臺積電也確實有向3納米芯片進軍，但是，目前臺積電使用的可是比較傳統(tǒng)的FinFET工藝。而三星偏不，三星這次準備用什么呢?準備使用新工藝，準備成為第一個吃螃蟹的人。這個新工藝就是GAA晶體管工藝。

三星的晶圓代工部門最近負面不斷，此前有消息稱部分員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm工藝制程的良品率，以致于高通這樣的VIP客戶都要出走，重新使用臺積電生產驍龍8處理器。

不過從技術上來說，三星現(xiàn)在依然是唯一能緊追臺積電的晶圓代工廠，雖然在7nm、5nm及4nm節(jié)點上落后了一些，但在接下來的3nm節(jié)點三星更激進，要全球首發(fā)GAA晶體管工藝，放棄FinFET晶體管技術，而臺積電的3nm工藝依然會基于FinFET工藝。

三星之前表示，GAA是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管)，該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

根據(jù)三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺積電3nm FinFET工藝。

當然，這些還是紙面上的，三星的3nm工藝挑戰(zhàn)也不少，光是量產就是個問題，之前三星宣傳2021年就量產，實際上并沒有，最快也是今年，而且首發(fā)的是3GAE低功耗工藝，高性能的3GAP工藝至少要2023年了。

據(jù)韓國媒體報道，三星已經準備在韓國平澤市的P3工廠開工建設3nm晶圓廠了，6、7月份動工，并及時導入設備。

按照這個進度，今年的3GAE工藝應該也只會是小規(guī)模試產，大規(guī)模量產也要到明年了，跟臺積電的3nm工藝差不多，兩家都因為種種問題延期量產3nm工藝了。

3月9日消息，此前三星就曾宣布，其3nm工藝已經研發(fā)完成，預計會在今年第二季度開始試產，比臺積電的進度更快。近日，韓國媒體報道稱，三星已經準備在韓國平澤市的P3工廠開工建設3nm晶圓廠，預計6月份前后動工，屆時就能導入設備并開始試產調試了。

顯然，這個進度比三星公布的時間要慢不少，預計到年底也只能進行小規(guī)模的量產。而臺積電的3nm工藝應該也能在今年第四季度之前開始量產，這樣一來兩家的時間就相差不多了，大規(guī)模量產都要拖到明年了。

不過，按照三星公布的消息，其3nm工藝采用的是更為先進的GAA環(huán)繞柵極晶體管技術，相比與臺積電的FinFET晶體管技術會更為先進。在性能、功耗、芯片面積等各個方面，紙面參數(shù)都是要比臺積電3nm工藝更優(yōu)秀的。

相比與7nm工藝，三星3nm GAA工藝的芯片邏輯面積提高45%以上，功耗降低50%，性能提高約35%。如果真的能達到這樣的水準，那確實有機會在3nm技術上實現(xiàn)彎道超車，一舉追上臺積電。之前，三星的7nm、5nm工藝表現(xiàn)都不如臺積電，三星也是把寶都壓在了3nm工藝上，并且在技術上還領先了一步，希望這一次能有大幅提升

之前有傳言稱，臺積電的3nm工藝產能已經被蘋果、英特爾提前預定，高通、AMD等其他廠商分不到多少，所以準備轉頭三星3nm。高通這邊想要第一時間用上先進工藝，也就只能找三星了。如果三星3nm工藝能達到理論性能，那高通旗艦芯片也有機會迎來一波大的性能提升。