2022年2月17日，Transphorm宣布其普通股已獲準(zhǔn)在納斯達(dá)克資本市場(chǎng)(Nasdaq Capital Market，簡(jiǎn)稱“納斯達(dá)克”)上市。

Transphorm股票在納斯達(dá)克市場(chǎng)的交易預(yù)計(jì)將于2022年2月22日開市時(shí)開始，并將繼續(xù)使用股票代碼“TGAN”。在轉(zhuǎn)入納斯達(dá)克市場(chǎng)前，Transphorm的股票將繼續(xù)在OTCQX上交易。公司股東無需因轉(zhuǎn)板納斯達(dá)克而采取任何行動(dòng)。Transphorm總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人Primit Parikh對(duì)此公告評(píng)論道：“轉(zhuǎn)板納斯達(dá)克是Transphorm發(fā)展歷程中的一個(gè)重要里程碑，既證明了Transphorm團(tuán)隊(duì)的全心投入和辛勤工作，也證明了我們?cè)诖蛟烊蝾I(lǐng)先的氮化鎵公司的過程中與寶貴客戶和合作伙伴之間的密切協(xié)作?！?

Transphorm的專利氮化鎵平臺(tái)在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用性能要求的關(guān)鍵方面不同于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的解決方案——從45W快速充電器/電源適配器到4kW游戲、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、加密貨幣挖礦和工業(yè)電源供應(yīng)，再到可再生能源/能源及幾十千瓦的更高功率汽車轉(zhuǎn)換器和逆變器應(yīng)用。Transphorm是少數(shù)幾家垂直整合的高壓氮化鎵制造商之一，通過創(chuàng)新、外延晶片(核心原始材料)和制造工藝控制其氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)設(shè)計(jì)。Transphorm Inc (股票編號(hào)：OTCB TGAN)成立于2007年，總部位于加利福尼亞州戈萊塔，是氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件的先驅(qū)和領(lǐng)先供應(yīng)商，同時(shí)也是少數(shù)擁有自主研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用能力的生產(chǎn)廠家。目前擁有員工100多人，其中博士18人，在氮化鎵領(lǐng)域工作經(jīng)驗(yàn)總和超過300年。擁有關(guān)于氮化鎵研發(fā)和應(yīng)用的專利超過1000項(xiàng)。在美國(guó)加州和日本都設(shè)有工廠，年產(chǎn)能達(dá)三萬片。

幾十年來，硅基功率晶體管(MOSFET、場(chǎng)效應(yīng)晶體管)構(gòu)成了功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的支柱，可將交流電 (AC) 轉(zhuǎn)換為直流電 (DC)，反之亦然，或?qū)⒅绷麟姀牡蛪恨D(zhuǎn)換為高壓。在尋求可以提高開關(guān)速度的替代品時(shí)，氮化鎵 (GaN) 迅速成為領(lǐng)先的候選材料之一。GaN/AlGaN 材料體系表現(xiàn)出更高的電子遷移率和更高的擊穿臨界電場(chǎng)。結(jié)合高電子遷移率晶體管 (HEMT) 架構(gòu)，與同類硅解決方案相比，它使器件和 IC 具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更低的電導(dǎo)損耗和更小的占位面積。GaN 是高功率應(yīng)用的首選材料，因?yàn)閷?dǎo)致晶體管擊穿的臨界電壓(擊穿電壓)比硅高 10 倍。但對(duì)于低功率應(yīng)用，GaN 仍然具有優(yōu)于硅的優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樗哂谐錾拈_關(guān)速度?！拔覀儎?chuàng)建的基于 GaN 的 IC 為更小、更高效的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和負(fù)載點(diǎn) (PoL) 轉(zhuǎn)換器開辟了道路。例如，智能手機(jī)、平板電腦或筆記本電腦包含可在不同電壓下工作的芯片，因此它們需要 AC/DC 轉(zhuǎn)換器來為電池充電，并需要設(shè)備內(nèi)部的 PoL 轉(zhuǎn)換器來產(chǎn)生不同的電壓。這些組件不僅包括開關(guān)，還包括變壓器、電容器和電感器。晶體管開關(guān)速度越快，這些組件就越小。

目前氮化鎵可是有相當(dāng)前景的，近日有投資者提問：“氮化鎵能突破激光雷達(dá)發(fā)光和遠(yuǎn)度的瓶頸和探測(cè)高頻使用場(chǎng)景關(guān)鍵需求。激光雷達(dá)這個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景，硅和碳化硅都沒有辦法解決快速開關(guān)的要求，是對(duì)氮化鎵的剛需市場(chǎng)，也是氮化鎵進(jìn)入汽車領(lǐng)域的第一個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景。公司哪個(gè)子公司現(xiàn)在在這方面有投入?”。賽微電子于3月22日在投資者互動(dòng)平臺(tái)回應(yīng)稱，公司瑞典及北京產(chǎn)線均在開展激光雷達(dá)MEMS振鏡的工藝開發(fā)業(yè)務(wù);公司控股子公司聚能創(chuàng)芯具備成熟的氮化鎵(GaN)外延材料生長(zhǎng)及芯片設(shè)計(jì)工藝技術(shù);公司子公司之間有開展相關(guān)研發(fā)合作。但由于車規(guī)產(chǎn)品的可靠性驗(yàn)證及認(rèn)證周期較長(zhǎng)，相關(guān)業(yè)務(wù)的成熟與發(fā)展尚需時(shí)日。

氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。