ST的高壓驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化矢量電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，在高開關(guān)頻率和智能關(guān)機(jī)時(shí)具有優(yōu)異的性能，以保護(hù)最終應(yīng)用。

STDRIVE MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成了一個(gè)比較器保護(hù)，一個(gè)運(yùn)放電流傳感和一個(gè)集成的引導(dǎo)二極管，從而減少了系統(tǒng)級(jí)別所需的外部組件的數(shù)量。

1.A6387是一種高壓器件

A6387是一種高壓器件，使用BCD?“離線”技術(shù)制造。它是一種用于n通道功率mosfet或igbt的單芯片半橋門驅(qū)動(dòng)器。高側(cè)(浮動(dòng))部分的設(shè)計(jì)，以站立電壓軌高達(dá)550 V。邏輯輸入是CMOS/TTL兼容，便于微控制器或DSP接口。

特性

高壓導(dǎo)軌可達(dá)550v

在全溫度范圍內(nèi)，dV/dt免疫力±50 V/nsec

驅(qū)動(dòng)電流的能力

400毫安源

650毫安水槽

切換時(shí)間50/30 nsec上升/下降與1 nF負(fù)載

帶有遲滯和下拉的施密特觸發(fā)器輸入

內(nèi)部自舉二極管

輸出與輸入同步

聯(lián)鎖功能

AECQ100汽車合格

2.L6384E是一種高壓柵極驅(qū)動(dòng)器

L6384E是一種高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，采用BCD?“離線”技術(shù)制造，能夠驅(qū)動(dòng)功率MOSFET或IGBT器件的半橋。高側(cè)(浮動(dòng))部分能夠工作與電壓軌道高達(dá)600伏。這兩個(gè)設(shè)備輸出可以分別接收和源650 mA和400 mA，由于單輸入配置，不能同時(shí)驅(qū)動(dòng)高。進(jìn)一步防止輸出交叉導(dǎo)通由死區(qū)功能保證，用戶可通過連接到DT/SD引腳的外部電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。L6384E器件有一個(gè)輸入引腳、一個(gè)使能引腳(DT/SD)和兩個(gè)輸出引腳，保證了低邊和高邊之間的匹配延遲，從而簡(jiǎn)化了器件的高頻工作。邏輯輸入是CMOS/TTL兼容，以方便與控制設(shè)備的接口。引導(dǎo)二極管集成在設(shè)備內(nèi)部，允許更緊湊和可靠的解決方案。

L6384E具有UVLO保護(hù)和vcc供電電壓上的電壓鉗位。電壓鉗通常在15.6 V左右，在VCCsupply電壓升高過慢或電壓下降的情況下，可以確保設(shè)備正常工作。

該設(shè)備可在DIP-8管和SO-8管和磁帶和卷軸包裝選項(xiàng)。

特性

高壓鋼軌可達(dá)600伏

在全溫度范圍內(nèi)，dV/dt免疫力±50 V/nsec

驅(qū)動(dòng)電流的能力

400毫安源

650毫安水槽

切換時(shí)間50/30 nsec上升/下降與1 nF負(fù)載

CMOS/TTL施密特觸發(fā)器輸入滯后和下拉

關(guān)閉輸入

空載時(shí)間設(shè)置

欠壓鎖定

綜合自舉二極管

夾緊在VCC

可提供DIP-8/SO-8包裝

3.L6386AD是一種高壓柵極驅(qū)動(dòng)器

L6386AD是一種高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，使用BCD?“離線”技術(shù)制造，能夠同時(shí)驅(qū)動(dòng)一個(gè)高側(cè)和一個(gè)低側(cè)功率MOSFET或IGBT器件。高側(cè)(浮動(dòng))部分能夠工作與電壓軌道高達(dá)600伏。這兩個(gè)器件輸出可以分別獨(dú)立地接收和源650 mA和400 mA，并可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)高電平，以驅(qū)動(dòng)非對(duì)稱半橋配置。L6386AD器件提供兩個(gè)輸入引腳、兩個(gè)輸出引腳和一個(gè)使能引腳(SD)，并保證輸出與輸入的相位切換。邏輯輸入是CMOS/TTL兼容，以方便與控制設(shè)備的接口。

L6386AD集成了一個(gè)比較器(內(nèi)部反向輸入引用到0.5 V)，可以用來保護(hù)設(shè)備防止故障事件，如過流。DIAG輸出是一個(gè)診斷引腳，由比較器驅(qū)動(dòng)，用來向控制設(shè)備發(fā)出故障事件的信號(hào)。

引導(dǎo)二極管集成在驅(qū)動(dòng)器中，從而實(shí)現(xiàn)更緊湊和可靠的解決方案。

L6386AD器件在供電電壓(VCC和VBOOT)上都具有UVLO保護(hù)，確保對(duì)供電線路上的電壓下降提供更大的保護(hù)。

該設(shè)備可采用SO-14包裝，管，磁帶和卷軸包裝。

特性

高壓鋼軌可達(dá)600伏

在全溫度范圍內(nèi)，dV/dt免疫力±50 V/nsec

驅(qū)動(dòng)電流的能力

400毫安源

650毫安水槽

切換時(shí)間50/30 nsec上升/下降與1 nF負(fù)載

CMOS/TTL施密特觸發(fā)器輸入滯后和下拉

上、下驅(qū)動(dòng)段欠壓鎖定

綜合自舉二極管

輸出與輸入同步

4.L6391是采用BCD?“OFF-LINE”技術(shù)制造的高壓器件

L6391是采用BCD?“OFF-LINE”技術(shù)制造的高壓器件。它是一種用于n通道功率MOSFET或IGBT的單片半橋門驅(qū)動(dòng)器。高側(cè)(浮動(dòng))部分的設(shè)計(jì)，以站立電壓軌高達(dá)600伏。邏輯輸入是CMOS/TTL兼容到3.3 V，便于微控制器/DSP接口。

集成比較器可用于保護(hù)過流，過溫等。

特性

高壓鋼軌可達(dá)600伏

在全溫度范圍內(nèi)，dV/dt免疫力±50 V/nsec

司機(jī)目前能力:

290毫安源

430毫安水槽

在1 nF負(fù)載下，切換時(shí)間75/35 nsec上升/下降

3.3 V, 5v TTL/CMOS滯后輸入

綜合自舉二極管

故障保護(hù)比較器

智能關(guān)機(jī)功能

可調(diào)停歇時(shí)間

聯(lián)鎖功能

布局緊湊簡(jiǎn)化

材料減量清單

有效的故障保護(hù)

靈活、簡(jiǎn)單、快捷的設(shè)計(jì)