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[導讀]在功率逆變器系統(tǒng)架構和配置,需要用到 MOSFET 和高側/低側柵極驅動器,并且要評估將所有這些部分集成到一個健壯的系統(tǒng)中并有效地實施它需要徹底了解系統(tǒng)的損失機制,以及如何平衡權衡。在這篇文章中,我將討論 48V 系統(tǒng)中的損耗機制、高側和低側柵極驅動器的設計權衡、寄生電感/電容以及印刷電路板 (PCB) 布局注意事項。

在功率逆變器系統(tǒng)架構和配置,需要用到 MOSFET 和高側/低側柵極驅動器,并且要評估將所有這些部分集成到一個健壯的系統(tǒng)中并有效地實施它需要徹底了解系統(tǒng)的損失機制,以及如何平衡權衡。在這篇文章中,我將討論 48V 系統(tǒng)中的損耗機制、高側和低側柵極驅動器的設計權衡、寄生電感/電容以及印刷電路板 (PCB) 布局注意事項。

看看圖 1 所示的 48V 逆變器系統(tǒng)的功率級。它包括三個 MOSFET 半橋和相應的高側和低側柵極驅動器。

48V 系統(tǒng):高效、穩(wěn)健地驅動功率 MOSFET 

1:48V 系統(tǒng)逆變器的功率級

2 顯示了一個簡化的電路,該電路具有圖 1 中高側和低側柵極驅動器和 MOSFET 半橋的配置。該功率級的損耗在整個 48V 逆變器系統(tǒng)的功率損耗中占主導地位,它包括開關損耗和傳導損耗。Peter 的帖子討論了傳導損耗和開關損耗之間的權衡。給定選定的功率 MOSFET 和系統(tǒng)額定功率,傳導損耗是預先確定的,因為與電流紋波相關的均方根 (RMS) 電流是由電機預先確定的。然而,開關損耗取決于柵極驅動器設計。

48V 系統(tǒng):高效、穩(wěn)健地驅動功率 MOSFET 

2:一個相腳的簡化電路

48V 系統(tǒng):高效、穩(wěn)健地驅動功率 MOSFET(1)            

3 顯示了具有開啟、關閉和開啟反向恢復功能的 MOSFET 的簡化分段線性開關損耗機制。圖 3 中重疊的 V DS I D,t 1 ~t 3產(chǎn)生開關能量,由 V DS I D的乘積的積分表示,表示為公式 1:

48V 系統(tǒng):高效、穩(wěn)健地驅動功率 MOSFET 

3:簡化的分段線性開關損耗機制

給定一定的開關電壓和電流,開關能量由 決定。驅動器的輸出峰值源/灌電流 I PK_Source/Sink和一個 MOSFET 的寄生電容決定了開關周期。等式 2 估計從 t 2(b) t 3的區(qū)間:

48V 系統(tǒng):高效、穩(wěn)健地驅動功率 MOSFET                                (2)

因此,柵極峰值電流驅動能力對開關損耗非常關鍵。理想情況下,柵極驅動器的電流能力越高,損耗越小。但遺憾的是,較高的驅動電流會帶來較高的 dv/dt 和 di/dt,并通過寄生效應對系統(tǒng)運行產(chǎn)生不利影響。圖 4 顯示了考慮寄生效應的自舉高端和低端驅動器應用電路設計。如圖所示,在開關節(jié)點 SW 上的 dv/dt 較高時,更多噪聲將通過自舉電平轉換器中的寄生電容 CIO 和自舉二極管的結電容耦合到初級側(見紅色陰影部分)帶箭頭的路徑)。

此外,器件上較高的 di/dt 會通過共源電感 L SS在柵極驅動器環(huán)路上產(chǎn)生更多噪聲。通過減慢驅動能力,電壓降 將始終與柵極驅動信號相矛盾。電壓降還會在 MOSFET 的柵極-源極引腳上引起明顯的振鈴,或在 MOSFET 和柵極驅動器輸出引腳上產(chǎn)生過沖/下沖,從而導致可靠性問題,甚至損壞被測器件 (DUT)。

48V 系統(tǒng):高效、穩(wěn)健地驅動功率 MOSFET 

4:考慮寄生效應的柵極驅動電路

考慮到 48V 系統(tǒng)的每個相腳有兩個有源 MOSFET,硬開關和反向恢復損耗會顯著增加開關損耗;主要原因是因為 MOSFET 的寄生體二極管很差。重要的是,di/dt 對反向恢復電荷和性能有很大的影響。較高的 di/dt 會導致較高的反向恢復電荷和電流,可能是額定開關電流的 5 到 10 倍。

3(c) 顯示了考慮反向恢復的分段線性導通波形。圖 5 顯示了一個示例開啟/關閉實驗波形。從圖 5(b) 可以看出,當開關通過寄生體二極管硬導通時,會出現(xiàn)很大的反向恢復電流,這不僅會導致柵極驅動電壓出現(xiàn)明顯的電流應力和較大的振蕩。開關,也顯著增加了開關損耗。其他不利影響包括電磁干擾 (EMI)、控制接地噪聲、設備/驅動器損壞和低可靠性。

48V 系統(tǒng):高效、穩(wěn)健地驅動功率 MOSFET 

5:硬開關開啟/關閉波形

因此,應考慮最小化開關損耗以及保持可接受的 dv/dt、di/dt 和反向恢復性能來確定適當?shù)臇艠O電阻大小。這種權衡的一種解決方案是在柵極驅動器設計上拆分開啟/關閉(參見圖 4,它具有不同的 R ON R OFF)。較小的 R OFF會降低關斷損耗(確保 dv/dt 不超過驅動器的規(guī)格),并且 R ON可以將反向恢復性能控制在可接受的水平。

6 提供了有關柵極驅動電阻及其對反向恢復電流 I rr影響的線索。要在柵極驅動器上實現(xiàn)清晰且銳利的波形并最大限度地減少 MOSFET 上的 V DS電壓尖峰,需要仔細布局。我建議盡量減少柵極驅動器環(huán)路的環(huán)路電感,并盡量減少耦合共源電感 L SS。

48V 系統(tǒng):高效、穩(wěn)健地驅動功率 MOSFET 

6:峰值反向恢復電流與開啟電阻和 Id


對于 48V 系統(tǒng)應用,TI 的 UCC27282-Q1 可提供 120V、±3A 的驅動能力,從而為您提供更大的靈活性以最大限度地降低開關損耗。更重要的是,其 HS 引腳上最先進的電壓轉換速率為 50V/ns,與 HS 引腳上的最大負電壓 -14V(重復脈沖)相結合,使您能夠進一步推動驅動器的峰值-電流能力,同時仍保持穩(wěn)健性。UCC27282  -Q1 還集成了一個具有 0.55V 正向壓降和 1.5Ω 動態(tài)電阻的 120V 自舉二極管,可將電荷可靠地傳輸?shù)阶耘e電容器。  



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