在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域，美方始終掌握著主導(dǎo)權(quán)，包括EDA軟件、芯片架構(gòu)、光刻機核心器件的供應(yīng)等，所以任何國家或企業(yè)想發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，都繞不過美企這關(guān)，華為如此，俄羅斯也是如此。

在俄烏沖突發(fā)生后，美方一聲令下，全球半導(dǎo)體企業(yè)巨頭紛紛斷供，包括Intel、AMD、高通、臺積電、三星等幾乎所有主流廠商，都停止了在俄羅斯的業(yè)務(wù)運營。

不過正如華為選擇不妥協(xié)一樣，俄羅斯也絲毫沒有擔(dān)憂的意思，甚至在以舉國之力發(fā)展本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

一方面是俄羅斯莫斯科電子技術(shù)學(xué)院此前宣布，已經(jīng)接到了貿(mào)工部首批6.7億盧布資金，將用于研發(fā)無掩模X射線光刻機，與ASLM的路線完全不同，但號稱要達(dá)到EUV級別。

在俄烏沖突發(fā)生后，美方一聲令下，全球半導(dǎo)體企業(yè)巨頭紛紛斷供，包括Intel、AMD、高通、臺積電、三星等幾乎所有主流廠商，都停止了在俄羅斯的業(yè)務(wù)運營。

不過正如華為選擇不妥協(xié)一樣，俄羅斯也絲毫沒有擔(dān)憂的意思，甚至在以舉國之力發(fā)展本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

一方面是俄羅斯莫斯科電子技術(shù)學(xué)院此前宣布，已經(jīng)接到了貿(mào)工部首批6.7億盧布資金，將用于研發(fā)無掩模X射線光刻機，與ASLM的路線完全不同，但號稱要達(dá)到EUV級別。

前段時間，美國對俄羅斯進(jìn)行了全方位的芯片制裁，讓俄羅斯意識到，自己此前偏重于對企業(yè)的扶持，對設(shè)備、材料和制造能力方面投入和研發(fā)不足，這樣會很容易出現(xiàn)卡脖子問題。所以決定牽頭集中國內(nèi)產(chǎn)學(xué)研力量，制定計劃并嚴(yán)格執(zhí)行，去逐個填補空白。

但不管是設(shè)備研發(fā)，還是材料開發(fā)，還是離不開企業(yè)，俄羅斯國內(nèi)哪家企業(yè)能擔(dān)當(dāng)重任呢?

目前俄羅斯最大的芯片設(shè)計公司——貝加爾電子是最有希望帶頭的。

在設(shè)備與資金輸入被大部切斷、自身的經(jīng)濟(jì)技術(shù)實況也越發(fā)露底的當(dāng)下，俄羅斯官方在計劃上馬新的國產(chǎn)替代來源項目。最近，俄羅斯貿(mào)易和工業(yè)部的22個工作組共同參與起草了一份，目標(biāo)雄心勃勃，但資金十分有限的半導(dǎo)體發(fā)展計劃。該文件將于2022年4月22日送交俄羅斯總理審查和批準(zhǔn)。根據(jù)擬定的初步方案，政府預(yù)計會投入共計3.19萬億盧布(約2443億人民幣)來發(fā)展國產(chǎn)半導(dǎo)體的生產(chǎn)技術(shù)、芯片開發(fā)、數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施、培養(yǎng)人才，以及解決方案的營銷。其中最為矚目的就是，2022年底實現(xiàn)90nm(英特爾2003年水準(zhǔn))的國產(chǎn)化，并在8年后的2030年建立起28nm(臺積電2011年水準(zhǔn))的生產(chǎn)線。在半導(dǎo)體制造方面，計劃可分為產(chǎn)品、基礎(chǔ)設(shè)施、需求和人才這四個部分，預(yù)計花費4200億盧布(約321億人民幣)。

‘產(chǎn)品’,目前來說最為緊迫的可能就是之前提到的90nm和28nm的量產(chǎn)了。不過，首先還是需要通過逆向工程破解所有相關(guān)‘境外產(chǎn)品解決方案’。之后的計劃是2024年前盡可能讓所有數(shù)碼軟硬件產(chǎn)品都轉(zhuǎn)為俄羅斯國產(chǎn)，并在2030年讓整個電子產(chǎn)品生態(tài)都用上本國的技術(shù)。根據(jù)該計劃，國家將為項目的這一部分撥款1.14萬億盧布(約872億人民幣)。

對此，政府將投入4600億盧布(約352億人民幣)，讓本地的數(shù)據(jù)中心從現(xiàn)在的70個增加到2030年的300個?！枨蟆?政府將刺激國內(nèi)最大的公司和企業(yè)購買國產(chǎn)電子產(chǎn)品，并從官方預(yù)算中補貼高達(dá)50%的合同金額。此項目的金額為1.28萬億盧布(約980億人民幣)。

預(yù)計到2030年，俄羅斯30%的家庭將改用國產(chǎn)電子產(chǎn)品;而政府采購的產(chǎn)品則為100%。

據(jù)稱到2030年，此子項目資金投入的數(shù)額將達(dá)到3090億盧布(約236億人民幣)。在這個子項目中，據(jù)說要開發(fā)不少于400個新型電子產(chǎn)品的原型，并開展不少于2000個研究和開發(fā)項目。與此同時，該文件的作者希望將國內(nèi)高等教育機構(gòu)畢業(yè)生的所謂 ‘人才轉(zhuǎn)換’，也就是從目前的5%提高到35%。此外，該計劃還包括在現(xiàn)有和新的高校內(nèi)設(shè)計中心基礎(chǔ)上創(chuàng)建至少1000個設(shè)計團(tuán)隊。想搞國產(chǎn)光刻機，但只有5千萬人民幣,2022年3月底，俄國本地信源宣布：貿(mào)易與工業(yè)部撥款6.7億盧布(約5100萬人民幣)，讓莫斯科國立電子技術(shù)學(xué)院(MIET)進(jìn)行X射線光刻機的相關(guān)研究，以期盡早開發(fā)出基于X射線同步輻射和/或等離子電漿技術(shù)的無掩膜光刻機。

據(jù)科技媒體tomshardware源引據(jù)俄羅斯媒體cnews報道，由于俄烏沖突，俄羅斯正受到美西方的制裁，無法獲得臺積電、三星等為其代工芯片。因此，俄羅斯正在制定計劃以重振其陷入困境的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)。

該國的新芯片計劃涉及未來八年的巨額投資，不過目標(biāo)聽起來并不雄心勃勃。因為臺積電都已經(jīng)宣布到2026年生產(chǎn)2nm的芯片了，但俄羅斯的計劃顯示到 2030 年才能實現(xiàn) 28nm的本地芯片制造。

俄羅斯政府已經(jīng)制定了新的微電子發(fā)展計劃的初步版本，到 2030 年需要投資約 3.19 萬億盧布(約384.3 億美元)。這筆資金將用于開發(fā)當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)、國內(nèi)芯片開發(fā)、數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施、本地人才培養(yǎng)以及自制芯片和解決方案的營銷 。

在半導(dǎo)體制造方面，該國計劃花費 4200 億盧布(50 億美元)用于新的制造技術(shù)及其提升。短期目標(biāo)之一是在年底前使用 90nm 制造技術(shù)提高本地芯片產(chǎn)量。一個更長期的目標(biāo)是到 2030 年建立使用 28nm 節(jié)點的制造，相比之下臺積電在 2011 年做到了這一點，俄羅斯落后了將近20年。

俄羅斯在軟件和高科技服務(wù)方面歷來相當(dāng)成功，但在芯片設(shè)計和制造方面卻相對薄弱。雖然計劃在國內(nèi)培養(yǎng)本地人才和開發(fā)芯片，但該國計劃在今年年底前做的一件事是建立一個“外國解決方案”的逆向工程計劃，將其制造轉(zhuǎn)移到俄羅斯。到 2024 年，所有數(shù)字產(chǎn)品都應(yīng)在國內(nèi)生產(chǎn)。該國無法在國內(nèi)生產(chǎn)的東西預(yù)計將來自中國。

雖然俄羅斯的計劃似乎包含很多項目并設(shè)定了一些目標(biāo)，但應(yīng)該注意的是，到目前為止，即使是中國也沒有將相當(dāng)一部分至關(guān)重要的芯片制造本地化。無法使用美國、英國或歐洲開發(fā)的技術(shù)的俄羅斯能否在 2024 年或 2030 年之前實現(xiàn)其目標(biāo)仍是未知數(shù)，但這并不意味著沒有可能。