在目前的晶圓制造行業(yè)，技術最先進、市場份額最大的當屬臺積電，已經引領了晶圓行業(yè)很多年，芯片制造技術一直保持領先，市場份額還做到了占據(jù)全球半數(shù)以上。其次就是三星，一直緊跟不舍，想要實現(xiàn)超越。還有老牌芯片巨頭英特爾，如今也在發(fā)力，晶圓行業(yè)競爭開始激烈。因此，臺積電也難以淡定了，于是正式宣布決定。

臺積電能夠成長為全球芯片制造技術最先進、芯片代工市場份額最高的晶圓企業(yè)，肯定也不一般，也是從激烈競爭中沖出來的，并且也一直面臨著其他企業(yè)的追趕。之前臺積電領先的各方面跨度較大，一直以來非常淡定。然而，如今盡管在芯片代工產能上優(yōu)勢很大，但在制造技術上開始面臨激烈挑戰(zhàn)，錯失一步都難以再領先。不過，臺積電也早有準備，已在多方面進行了布局，最大程度的保障領先的地位。

第一，在投資上。臺積電更是底氣十足，去年就決定三年投資1000億美元，今年資本支出預計達到440億美元，明年支出也將超過400億美元，很顯然將遠超計劃。近日，臺積電又決定拿出1萬億新臺幣，用于擴大2nm產能布局，這都是大手筆。第二，在技術上。雖然三星3nm上采用GAA新工藝，但臺積電表示有信心沿用老技術繼續(xù)保持領先。對于美日合作2nm，劉德音表示不擔心，2nm良率數(shù)據(jù)依然領先。第三，在建廠上。臺積電剛在中國臺灣建成四座新晶圓廠，又宣布再建四座晶圓廠，都是為了生產3 nm級高端芯片，8個新晶圓廠每個耗資都在100億美元左右。

當?shù)貢r間6月16日，晶圓代工巨頭臺積電在北美召開了2022年臺積電技術研討會。不僅公布了臺積電下一代的2nm制程技術的部分細節(jié)信息，同時還透露，通過在中國臺灣、中國大陸和日本建設新晶圓廠或擴產，預計到2025年，臺積電的成熟制程的產能將擴大約50%。當?shù)貢r間6月16日，晶圓代工巨頭臺積電在北美召開了2022年臺積電技術研討會。不僅公布了臺積電下一代的2nm制程技術的部分細節(jié)信息，同時還透露，通過在中國臺灣、中國大陸和日本建設新晶圓廠或擴產，預計到2025年，臺積電的成熟制程的產能將擴大約50%。臺積電2nm工藝細節(jié)曝光：功耗降低30%，2025年量產.在此次2022年臺積電技術論壇上，臺積電首度公布了其下一代先進制程N2(即2nm制程)的部分技術指標：相較于其N3E(3nm的低成本版)工藝，在相同功耗下，臺積電2nm工藝的性能將提升10~15%;而在相同性能下，臺積電2nm工藝的功耗將降低23~30%;晶體管密度僅提升了10%。

2021年5月，IBM對外公布全球第一顆2納米芯片。IBM的這顆“重磅炸彈”不僅為自己正名，也讓業(yè)界意識到，先進制程的“兵家必爭之地”已來到2納米工藝節(jié)點。

當前，各大芯片頭部廠商都積極瞄準2納米這一重要工藝節(jié)點，其中當屬公開宣布“IDM 2.0戰(zhàn)略”的英特爾表現(xiàn)得最為活躍。

此前，英特爾大踏步進軍芯片代工業(yè)務，對包括2納米在內的先進工藝制程進行了大手筆投入。2021年7月，英特爾公布了最新的技術路線，還對芯片制程工藝命名進行了修改。比如，英特爾將10納米工藝節(jié)點改名為Intel 7，7納米技術改為Intel 4，5納米技術改成Intel 3，2納米技術改成Intel20A。值得一提的是，在2納米節(jié)點時，英特爾將FinFET工藝轉為了GAAFET工藝。

臺積電在2納米制程的研發(fā)方面也不容小覷。早在2019年，臺積電便宣布啟動了2納米工藝的研發(fā)。在定下目標后，臺積電宣布將在2納米、3納米等先進制程工藝的研發(fā)方面支出大約300億美元。最終，臺積電成功找到了切入GAAFET技術路線的重要路徑，在2納米制程研發(fā)方面取得技術突破。

SEMI表示，中國臺灣地區(qū)預計將在2022年引領各地晶圓廠設備支出，投資額同比增長52%至340億美元;韓國緊隨其后，半導體設備支出為255億美元，同比增長7%;中國大陸為170億美元，同比下降14%。今年歐洲/中東地區(qū)的半導體設備投資將達到創(chuàng)紀錄的93億美元，雖然相對于其他地區(qū)的投資規(guī)模較小，但其投資規(guī)模將實現(xiàn)同比176%的驚人增長。中國臺灣、韓國和東南亞也將在2023年創(chuàng)下半導體設備投資紀錄。