在目前的晶圓制造行業(yè)，技術(shù)最先進(jìn)、市場(chǎng)份額最大的當(dāng)屬臺(tái)積電，已經(jīng)引領(lǐng)了晶圓行業(yè)很多年，芯片制造技術(shù)一直保持領(lǐng)先，市場(chǎng)份額還做到了占據(jù)全球半數(shù)以上。其次就是三星，一直緊跟不舍，想要實(shí)現(xiàn)超越。還有老牌芯片巨頭英特爾，如今也在發(fā)力，晶圓行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)開(kāi)始激烈。因此，臺(tái)積電也難以淡定了，于是正式宣布決定。

臺(tái)積電能夠成長(zhǎng)為全球芯片制造技術(shù)最先進(jìn)、芯片代工市場(chǎng)份額最高的晶圓企業(yè)，肯定也不一般，也是從激烈競(jìng)爭(zhēng)中沖出來(lái)的，并且也一直面臨著其他企業(yè)的追趕。之前臺(tái)積電領(lǐng)先的各方面跨度較大，一直以來(lái)非常淡定。然而，如今盡管在芯片代工產(chǎn)能上優(yōu)勢(shì)很大，但在制造技術(shù)上開(kāi)始面臨激烈挑戰(zhàn)，錯(cuò)失一步都難以再領(lǐng)先。不過(guò)，臺(tái)積電也早有準(zhǔn)備，已在多方面進(jìn)行了布局，最大程度的保障領(lǐng)先的地位。

第一，在投資上。臺(tái)積電更是底氣十足，去年就決定三年投資1000億美元，今年資本支出預(yù)計(jì)達(dá)到440億美元，明年支出也將超過(guò)400億美元，很顯然將遠(yuǎn)超計(jì)劃。近日，臺(tái)積電又決定拿出1萬(wàn)億新臺(tái)幣，用于擴(kuò)大2nm產(chǎn)能布局，這都是大手筆。第二，在技術(shù)上。雖然三星3nm上采用GAA新工藝，但臺(tái)積電表示有信心沿用老技術(shù)繼續(xù)保持領(lǐng)先。對(duì)于美日合作2nm，劉德音表示不擔(dān)心，2nm良率數(shù)據(jù)依然領(lǐng)先。第三，在建廠(chǎng)上。臺(tái)積電剛在中國(guó)臺(tái)灣建成四座新晶圓廠(chǎng)，又宣布再建四座晶圓廠(chǎng)，都是為了生產(chǎn)3 nm級(jí)高端芯片，8個(gè)新晶圓廠(chǎng)每個(gè)耗資都在100億美元左右。

當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月16日，晶圓代工巨頭臺(tái)積電在北美召開(kāi)了2022年臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)。不僅公布了臺(tái)積電下一代的2nm制程技術(shù)的部分細(xì)節(jié)信息，同時(shí)還透露，通過(guò)在中國(guó)臺(tái)灣、中國(guó)大陸和日本建設(shè)新晶圓廠(chǎng)或擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2025年，臺(tái)積電的成熟制程的產(chǎn)能將擴(kuò)大約50%。當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月16日，晶圓代工巨頭臺(tái)積電在北美召開(kāi)了2022年臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)。不僅公布了臺(tái)積電下一代的2nm制程技術(shù)的部分細(xì)節(jié)信息，同時(shí)還透露，通過(guò)在中國(guó)臺(tái)灣、中國(guó)大陸和日本建設(shè)新晶圓廠(chǎng)或擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2025年，臺(tái)積電的成熟制程的產(chǎn)能將擴(kuò)大約50%。臺(tái)積電2nm工藝細(xì)節(jié)曝光：功耗降低30%，2025年量產(chǎn).在此次2022年臺(tái)積電技術(shù)論壇上，臺(tái)積電首度公布了其下一代先進(jìn)制程N(yùn)2(即2nm制程)的部分技術(shù)指標(biāo)：相較于其N(xiāo)3E(3nm的低成本版)工藝，在相同功耗下，臺(tái)積電2nm工藝的性能將提升10~15%;而在相同性能下，臺(tái)積電2nm工藝的功耗將降低23~30%;晶體管密度僅提升了10%。

2021年5月，IBM對(duì)外公布全球第一顆2納米芯片。IBM的這顆“重磅炸彈”不僅為自己正名，也讓業(yè)界意識(shí)到，先進(jìn)制程的“兵家必爭(zhēng)之地”已來(lái)到2納米工藝節(jié)點(diǎn)。

當(dāng)前，各大芯片頭部廠(chǎng)商都積極瞄準(zhǔn)2納米這一重要工藝節(jié)點(diǎn)，其中當(dāng)屬公開(kāi)宣布“IDM 2.0戰(zhàn)略”的英特爾表現(xiàn)得最為活躍。

此前，英特爾大踏步進(jìn)軍芯片代工業(yè)務(wù)，對(duì)包括2納米在內(nèi)的先進(jìn)工藝制程進(jìn)行了大手筆投入。2021年7月，英特爾公布了最新的技術(shù)路線(xiàn)，還對(duì)芯片制程工藝命名進(jìn)行了修改。比如，英特爾將10納米工藝節(jié)點(diǎn)改名為Intel 7，7納米技術(shù)改為Intel 4，5納米技術(shù)改成Intel 3，2納米技術(shù)改成Intel20A。值得一提的是，在2納米節(jié)點(diǎn)時(shí)，英特爾將FinFET工藝轉(zhuǎn)為了GAAFET工藝。

臺(tái)積電在2納米制程的研發(fā)方面也不容小覷。早在2019年，臺(tái)積電便宣布啟動(dòng)了2納米工藝的研發(fā)。在定下目標(biāo)后，臺(tái)積電宣布將在2納米、3納米等先進(jìn)制程工藝的研發(fā)方面支出大約300億美元。最終，臺(tái)積電成功找到了切入GAAFET技術(shù)路線(xiàn)的重要路徑，在2納米制程研發(fā)方面取得技術(shù)突破。

SEMI表示，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)預(yù)計(jì)將在2022年引領(lǐng)各地晶圓廠(chǎng)設(shè)備支出，投資額同比增長(zhǎng)52%至340億美元;韓國(guó)緊隨其后，半導(dǎo)體設(shè)備支出為255億美元，同比增長(zhǎng)7%;中國(guó)大陸為170億美元，同比下降14%。今年歐洲/中東地區(qū)的半導(dǎo)體設(shè)備投資將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的93億美元，雖然相對(duì)于其他地區(qū)的投資規(guī)模較小，但其投資規(guī)模將實(shí)現(xiàn)同比176%的驚人增長(zhǎng)。中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)和東南亞也將在2023年創(chuàng)下半導(dǎo)體設(shè)備投資紀(jì)錄。