先說一下存儲芯片的概念，存儲芯片又稱為存儲器，是指利用電能方式存儲信息的半導體介質(zhì)設(shè)備，其存儲與讀取過程體現(xiàn)為電子的存儲或釋放。應(yīng)用領(lǐng)域如內(nèi)存、U 盤、消費電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等。目前有取代磁盤的趨勢。存儲芯片是全球芯片市場比重最大的產(chǎn)品之一。

存儲器芯片屬于通用集成電路，是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應(yīng)用。其原理是通過在單一芯片中嵌入軟件，實現(xiàn)多功能和高性能，以及對多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持。那么存儲器芯片有哪些常見的種類呢?國內(nèi)又有哪些知名存儲器芯片廠商呢?

存儲器分為內(nèi)存儲器(簡稱主存或內(nèi)存)和外存儲器(簡稱輔存或外存)。

內(nèi)存儲器在程序執(zhí)行期間被計算機頻繁地使用，并且在一個指令周期期間是可直接訪問的。外存儲器要求計算機從一個外貯藏裝置例如磁帶或磁盤中讀取信息。這與學生在課堂上做筆記相類似。如果學生沒有看筆記就知道內(nèi)容，信息就被存儲在“內(nèi)存儲器”中。如果學生必須查閱筆記，那么信息就在“外存儲器”中。

主存儲器介紹

主存儲器是指中央處理器 (CPU)可以直接訪問的、存放當前正在使用的(即執(zhí)行中)程序和數(shù)據(jù)的存儲器，簡稱主存。它的物理實質(zhì)就是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲功能的集成電路，內(nèi)存只用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，一旦關(guān)閉電源或發(fā)生斷電，其中的程序和數(shù)據(jù)就會丟失。

主存儲器從70年代起，已逐步采用大規(guī)模集成電路構(gòu)成。用得最普遍的也是最經(jīng)濟的動態(tài)隨機存儲器芯片(DRAM)。

結(jié)構(gòu)構(gòu)成

通常，主存儲器由只讀存儲器(ROM)和隨機存 取存儲器(RAM)兩部分組成。

只讀存儲器(ROM)是指一次寫入信息后能長期存儲，此后只可讀取的一種存儲器。在一般情況下，ROM所存的內(nèi)容在較長時間內(nèi)是相對固定的，即使在斷電的情況下，所存信息仍不會消失，因此ROM是非易性存儲器。

隨機存取存儲器(RAM)又稱作“隨機存儲器”，可以隨機地按指定地址從存儲單元存取數(shù)據(jù)，在半導體存儲器出現(xiàn)以前，主要是以記憶磁心為存儲單元的磁心存儲器。

存儲器分類

根據(jù)存儲材料的性能及使用方法的不同，存儲器有幾種不同的分類方法。

如果按照關(guān)掉電源后是否可以保存數(shù)據(jù)這一標準來區(qū)分的話，可以將存儲器芯片分為易失性存儲和非易失性存儲。易失性存儲主要以隨機存取器 RAM 為主，使用量最大的為動態(tài)隨機存儲 DRAM，其實在我們生活中電子產(chǎn)品的內(nèi)存條大多就是使用的這類芯片。

Flash存儲器，又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢)，應(yīng)用領(lǐng)域也非常廣泛。目前Flash主要有兩種NOR Flash和NANDFlash。

非易失性存儲較為常見的就是NOR Flash 與 NAND Flash。NOR Flash的讀取速度較快，被廣泛用于代碼存儲的主要器件，在生活中我們常用的數(shù)字機頂盒、家庭網(wǎng)關(guān)、汽車電子、安防監(jiān)控、路由器、穿戴式設(shè)備等等里面都能夠找到NOR Flash的“身影”。而NAND Flash在高容量時則具有成本優(yōu)勢，讀寫速度要比傳統(tǒng)的磁性、光學存儲器快一些，是如今主流的大容器數(shù)據(jù)存儲器件。

NAND Flash 又可分為 SLC、MLC、TLC 和 3D Nand 幾類。其中 SLC 可用于網(wǎng)絡(luò)通訊、語音存儲、打印機、工業(yè)控制、企業(yè)級存儲。MLC、TLC 和 3D Nand 主要用于手機、電腦、SSD(固態(tài)硬盤)、AR/VR、數(shù)據(jù)中心、Cloud、服務(wù)器。