據(jù)外媒報(bào)道，三星現(xiàn)在正向晶圓代工先進(jìn)制程發(fā)起沖鋒，繼在6月底宣布3nm領(lǐng)先業(yè)界量產(chǎn)后，其4nm的良品率也已經(jīng)有了顯著提升。

并且正在準(zhǔn)備擴(kuò)大其產(chǎn)能，預(yù)計(jì)到今年第四季度每月將會(huì)新增2萬(wàn)片產(chǎn)能，準(zhǔn)備在4nm制程上豪擲約50000億韓元(約258億元人民幣)的投資，以此希望能夠從臺(tái)積電手上搶下更多高通、AMD、英偉達(dá)等大廠的晶圓代工訂單。

業(yè)界指出，三星晶圓代工產(chǎn)能過(guò)往約六成提供自家芯片生產(chǎn)，其余承接委外訂單，今年積極擴(kuò)產(chǎn)，并擴(kuò)大承接晶圓代工訂單，將自家芯片產(chǎn)能占比降至五成。研究機(jī)構(gòu)估計(jì)，三星在先進(jìn)制程產(chǎn)能規(guī)模上仍?xún)H約臺(tái)積電五分之一。

早在6月份，三星電子就已經(jīng)正式官宣，已于韓國(guó)的華城工廠大規(guī)模開(kāi)始量產(chǎn)3nm芯片，與前幾代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶體管架構(gòu)，能極大改善芯片的功率以及效率。

與之前的5nm相比，新一代的3nm制程工藝降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同時(shí)減少16%的面積。

三星還宣稱(chēng)，第二代的3nmGAA制造工藝也尚在研發(fā)中，下一代工藝將使芯片的功耗降低50%，性能提升30%并減少35%的面積。

此外，三星還在高性能智能手機(jī)處理器的半導(dǎo)體芯片中也應(yīng)用過(guò)納米片晶體管，與納米線技術(shù)相比，前者擁有更寬的通道，以及具備更高的性能和效率。三星的客戶(hù)可通過(guò)調(diào)整納米片的寬度，來(lái)定制自己需要的功耗和性能指標(biāo)。

此次三星豪擲重金，不知能否在4nm制程工藝上成功搶單臺(tái)積電，看來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)又將風(fēng)起云涌了。