BJT是所有電子元件之王，它改變了電子技術(shù)的進程。晶體管_也可以是一個功率元件，并允許重要的電流值通過。功率 BJT 雖然采用與信號晶體管不同的技術(shù)制造，但具有非常相似的工作特性。主要區(qū)別在于較高的耐受電壓和電流值以及較低的電流增益。為此，需要以相當(dāng)高的基極電流驅(qū)動功率晶體管。

功率晶體管的開關(guān)速度不是很高，因此，在最新一代的設(shè)計中，不再使用這些組件。功率 BJT 由三個端子組成：集電極 (C)、發(fā)射極 (E) 和基極 (B)。發(fā)射極-基極結(jié)遠(yuǎn)小于集電極-基極結(jié)?；鶚O很薄，電子可以很容易地穿過它，到達(dá)集電極區(qū)，它攜帶更多的電荷。功率晶體管用于放大器、電源和開關(guān)電路。

當(dāng)一個小信號被饋送到基極時，BJT 會傳導(dǎo)大量電流。只要在底座上有控制信號，該組件就保持在 ON 狀態(tài)。功率晶體管可以用作放大器、線性區(qū)域或開關(guān)。如果它用作放大器，那么小的輸入電流會產(chǎn)生大的輸出電流。相反，作為開關(guān)，它工作在遮斷 (OFF) 或飽和 (ON) 狀態(tài)，耗散更少的功率。圖 5 顯示了晶體管的一般操作。該方案包括輝煌的 2N3055 晶體管，具有以下特性的示例：

集電極-基極電壓 (VCBO)：100 V;

集電極-發(fā)射極電壓 (VCEO)：60 V;

發(fā)射極-基極電壓 (VEBO)：7 V;

集電極電流 (Ic)：15 A;

基極電流 (Ib)：7 A;

總功耗(Pd，TC=25°C)：115 W;

直流電流增益 (hfe)：70。

示例電路的特點是直流電源電壓為 48 V，燈為 3 A，基極電阻為 220 Ohm。在飽和條件下，約 200 mA 的基極電流足以使約 3 A 的電流通過集電極和負(fù)載，晶體管的總功耗約為 1.5 W。為確保良好的飽和度，它足以讓比理論電流高 4-5 倍的電流通過基極，顯然是考慮到組件的增益。圖“a”顯示了集電極電流隨基極電流變化的趨勢。在電路采用的配置中，比例集電極電流對應(yīng)于 0 mA 和 200 mA 之間的基極電流。一旦超過這個門檻，晶體管處于飽和狀態(tài)，基極電流的進一步增加不再影響集電極電流。下一個模擬涉及通過兩種不同的技術(shù)以一半功率打開燈泡：

· 提供基極電流以使集電極達(dá)到 VCC / 2;

· PWM信號的使用

在第一種情況下，使用了一個 850 歐姆的電阻，以使僅 56 mA 的電流通過基極，使晶體管進入線性區(qū)域，并在集電極上流過 1.5 A 的電流。這種技術(shù)有效并且允許燈泡以一半的光亮起，但晶體管耗散(以及隨之而來的功率損耗)太高(參見圖表“b”的結(jié)果)。事實上，測量產(chǎn)生了以下結(jié)果：

IB：56毫安;

Ic：1.58 安;

Pd(電池)：75.8 W;

Pd(燈)：37.4 W;

Pd(BJT)：38.4 瓦;

Pd(R_base)：2.6W;

效率：只有49.3%。

超過 50% 的功率因晶體管不必要地因熱量而損失，為了使其無危險地工作，必須使用良好的散熱器對其進行充分冷卻。然而，使用 PWM 技術(shù)，在獲得與燈相同的照明時，耗散和功率損耗要低得多。該技術(shù)包括使晶體管的基極經(jīng)受一系列適當(dāng)寬度的開-關(guān)脈沖。負(fù)載由所有可用能量供電，并且半導(dǎo)體組件耗散非常低的功率。對 PWM 解決方案進行的測量返回以下結(jié)果：

信號：矩形 50 Hz，占空比 25 %;

Ib：53毫安(平均);

Ic：0.8 A(平均);

Pd(電池)：38.1 W;

Pd(燈)：37.7 W;

Pd(BJT)：385.6 毫瓦;

Pd(R_base)：2.54 W;

效率：99%。

您會立即注意到兩種解決方案在效率和功耗方面的差異。圖“c”顯示了晶體管導(dǎo)通開始時的功率損耗。在這種僅持續(xù)幾微秒的情況下，電流和電壓不再彼此同相，并產(chǎn)生耗散功率的高峰值。在元件導(dǎo)通結(jié)束期間也會重復(fù)相同的峰值。所有電源設(shè)備都存在同樣的問題。

圖 5：晶體管可以使用多種技術(shù)驅(qū)動大負(fù)載

結(jié)論

在本文中，我們研究了一些更常用的功率元件。

在一些解決方案中，它們?nèi)匀槐皇褂谩?

其他功率元件類型將在下一篇文章中進行探討;其中一些是近年來電子技術(shù)開發(fā)的設(shè)備，代表了該行業(yè)的未來。