近日，市場研究機構(gòu)TrendForce發(fā)布的最新報告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場，三星電子但仍穩(wěn)居第一，SK海力士則超越鎧俠躍居第二，這兩家韓國閃存廠商合力拿下了全球52.9%的市場份額。具體來說，二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，市場份額也由上一季度的35.3%，降至33%，但仍是全球第一大NAND廠商。

據(jù)路透社報導，知情人士透漏，就在美國“芯片法案”正式完成立法的之后，韓國存儲芯片廠商SK海力士將在美國建設一座先進的芯片封裝工廠，并將于2023 年第一季左右破土動工。

報導引用一位不愿透露姓名的消息人士說法表示，SK海力士赴美新建工廠的計劃預計將耗資“數(shù)十億美元”，未來將在當?shù)貏?chuàng)造1000個工作機會，并將于2025~2026 年進入量產(chǎn)階段。該消息人士還指出，目前預計的工廠位置，可能在擁有工程相關人才的大學附近。

海力士半導體以超卓的技術(shù)和持續(xù)不斷的研究投資為基礎，每年都在開辟已步入納米級超微細技術(shù)領域的半導體技術(shù)的嶄新領域。另外，海力士半導體不僅標榜行業(yè)最高水平的投資效率，2006年更創(chuàng)下半導體行業(yè)世界第七位，步入純利潤2萬億韓元的集團等，正在展現(xiàn)意義非凡的增長勢力。海力士半導體不僅作為給國家經(jīng)濟注入新鮮血液的發(fā)展動力，完成其使命，同時不斷追求與社會共同發(fā)展的相生經(jīng)營。海力士半導體為發(fā)展成為令顧客和股東滿意的先導企業(yè)，將盡心盡責，全力以赴。在韓國有4條8英寸晶圓生產(chǎn)線和一條12英寸生產(chǎn)線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產(chǎn)線。2004年及2005年全球DRAM市場占有率處于第二位，中國市場占有率處于第一位。在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工15000人.海力士(Hynix)半導體作為無形的基礎設施，通過半導體，竭盡全力為客戶創(chuàng)造舒適的生活環(huán)境。海力士半導體致力生產(chǎn)以DRAM和NAND Flash為主的半導體產(chǎn)品。

近期美國為限制中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展還打出一套組合拳。一方面，對華禁售14nm及以下先進制程設備，同時爆料還顯示，美國還將對華禁售128層3D NAND制造所需的設備，以及與GAA(環(huán)繞柵極)相關的EDA工具。這也意味著，即使臺積電、三星、SK海力士等芯片制造商未來即使想在中國大陸發(fā)展先進制程也將受限。

在此背景之下，將進一步迫使臺積電、三星、SK海力士等芯片制造商重新考慮未來在中國大陸的投資布局計劃，并將其吸引到對美國的投資。

韓國存儲芯片制造商SK海力士今日表示，該公司成功研發(fā)出全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層512Gb TLC(Triple Level Cell)4D閃存芯片(NAND)樣品，該芯片將于明年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。SK海力士表示，這是公司自2020年12月研發(fā)出176層NAND后時隔1年零7個月成功研發(fā)下一代新技術(shù)。尤其是新產(chǎn)品既擁有業(yè)界最高層數(shù)，也是目前最小的NAND產(chǎn)品，其意義重大。

據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)今日引述未具名消息人士的話報導稱，面對當前半導體需求轉(zhuǎn)弱的情況，SK海力士董事會已于6月底決定暫緩清州(Cheongju)園區(qū)擴產(chǎn)方案，并考慮將2023年的資本支出削減25%至122億美元。

資料顯示，SK海力士今年5月時計劃在韓國清州新建一座全新的NAND Flash芯片制造工廠M17，預計2023年初動工，最快2025年竣工。

全球領先的半導體供應商SK海力士已在中國市場深耕十余年。2020年，SK海力士宣布收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務，其中包括英特爾大連工廠。2021年，SK海力士順利完成第一階段交割。為加快推動項目發(fā)展，決定在大連繼續(xù)擴大投資并建設新工廠。

SK海力士半導體(中國)總裁鄭銀泰表示，SK海力士將中國視為重要的合作伙伴，并始終保持著同中國的友好合作關系。在大連新建NAND閃存工廠的同時，SK海力士還通過追加投資對無錫、重慶工廠進行了產(chǎn)能擴充，并重點推進了8英寸晶圓代工合資廠、產(chǎn)業(yè)園、學校、醫(yī)院等多個不同領域的在華項目。