RS40N130G是一款低壓MOS-SGT工藝產品，SGT技術獨特的器件結構和芯片設計提升了產品的耐用度，減少芯片面積，實現(xiàn)了屏蔽柵極與漂移區(qū)的作用 ，同時也減小了米勒電容以及柵電荷，即使器件的開關速度加快也能降低減低其損耗，被廣泛應用于電動工具、逆變器、鋰電保護板等產品。

一、SGT MOSFET優(yōu)勢介紹

MOSFET分類：

Trench （溝槽型）MOSFET：主要用于低壓領域；

SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET：主要用于中壓和低壓領域；

平面型MOSFET、COOL（超結）MOSFET：主要在高壓領域應用。

圖1：應用于同步整流SGT MOS

二、SGT技術優(yōu)勢

提升功率密度：

SGT工藝比普通溝槽工藝挖掘深度深3-5倍，在柵電極下方增加了一塊多晶硅電極，即屏蔽電極或耦合電極。屏蔽電極與源電極相連，既實現(xiàn)了屏蔽柵極與漂移區(qū)的作用，又減小了米勒電容以及柵電荷，使器件的開關速度得以加快，降低損耗。與此同時又實現(xiàn)了電荷耦合效應，減小了漂移區(qū)臨界電場強度，器件的導通電阻得以減小，降低導通損耗，所以與普通溝槽式MOSFET相比，SGT MOSFET的內阻要低2倍以上。

圖2：Trench MOS和SGT MOS柵電荷對比

極低的開關損耗：

SGT工藝相對傳統(tǒng)Trench結構，具有低Qg 的特點，它的技術革新改變了MOSFET內部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場變更為梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻Rds(on)，有助于降低器件在開關電源應用中的開關損耗。

圖3：Trench MOS和SGT MOS器件結構

更好的EMI優(yōu)勢和抗雪崩EAS能力：

由于SGT MOSFET具有較深的溝槽深度，可以利用更多的晶硅體積來吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時性能更強，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。同時SGT結構中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關斷時dv/dt變化帶來的尖峰和震蕩，具有更好的EMI特性。

RS40N130G特點與應用：

漏源擊穿電壓40V，漏極電流最大為130A；開啟延遲典型值為18.8nS，關斷延遲時間典型值為136.8nS，上升時間70.1nS，下降時間92.3nS，反向傳輸電容55pF，反向恢復時間56nS，正向電壓的最大值1.3V。Rds(on)典型值為1.45mΩ，推薦用于鋰電池保護板、同步整流、電動工具等。

瑞森半導體作為一家功率器件整體方案提供商，在中壓MOS-SGT系列產品上以先進的生產工藝，優(yōu)越的性能，良好的口碑，受到眾多品牌的信任與支持。

附：瑞森半導體部分低壓MOSFET-SGT產品選型表