5月4日消息，集邦咨詢最新的一份報告指出，去年10月，美國商務(wù)部對中國實施新的禁令，不允許進(jìn)口18nm及更先進(jìn)工藝的DRAM內(nèi)存芯片制造設(shè)備，對于廠商的布局也產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。

SK海力士位于無錫的工廠雖然獲得了一年的寬限期，但考慮到未來風(fēng)險，以及市場需求疲軟，SK海力士選擇在2023年第二季度將無錫工廠的月產(chǎn)能削減30%。

SK海力士原計劃將無錫工廠的制造工藝從1Ynm升級為1Znm，并減少“成熟工藝”的產(chǎn)能。

但在美國禁令發(fā)出后，SK海力士選擇了提高21nm成熟工藝的產(chǎn)能，并專注于DDR3、DDR4 4Gb顆粒的生產(chǎn)，滿足中國內(nèi)地市場和全球成熟工藝消費級內(nèi)存市場的需求。

DDR3、DDR4 4Gb顆粒產(chǎn)能目前仍占SK海力士消費級內(nèi)存芯片出貨量的接近30%。

同時，南亞、華邦、力晶等臺系廠商也都在供應(yīng)DDR3 4Gb，工藝都在20nm左右;南亞則還在大規(guī)模供應(yīng)DDR4 4Gb。

集邦咨詢還分析了整個消費級內(nèi)存市場的趨勢，特別指出盡管各家都在減產(chǎn)，但因為庫存量太大，整體仍然供過于求，預(yù)計2023年第二季度消費級內(nèi)存還將降價10-15%。

從長遠(yuǎn)來看，SK海力士無錫工廠擴展成熟工藝，又會進(jìn)一步增加供應(yīng)壓力，使得消費級內(nèi)存市場的反彈更加困難。