三星在去年12月發(fā)布了全球首款傳輸速率高達7.2Gbps的12nm級DDR5 DRAM內存芯片，今天，三星正式宣布已大規(guī)模量產12nmDDR5DRAM芯片。

根據(jù)三星官方的說法，該12nm DDR5 DRAM芯片采用了新的高介電(high-k)材料，以增加電池電容，并進一步改善關鍵電路特性專利設計技術達成。結合先進的多層極紫外 (EUV) 光刻技術，新型 DRAM 具有業(yè)界最高的芯片密度，可將晶圓生產率提高 20%(即同樣的一片晶圓，由于單個芯片尺寸縮小，因此可以多生產20%的芯片)。同時，該DRAM芯片傳輸速率高達7.2Gbps，并且能耗相比上一代的DRAM還要低23%。

三星表示，其12nm DDR5 DRAM憑借卓越的性能和能效，能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能驅動系統(tǒng)等領域可持續(xù)運營的基礎。

三星電子最新推出的DRAM將以更高的能效和生產率，優(yōu)化人工智能應用在內的下一代計算

深圳2023年5月18日/美通社/ -- 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優(yōu)勢。

"采用差異化的工藝技術，三星業(yè)內先進的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產品與技術執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產品，而且還將通過商業(yè)化的下一代解決方案，助力實現(xiàn)更高的生產力。"

與上一代產品相比，三星最新的12納米級DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圓生產率提高了20%。出色的能效表現(xiàn)，使它能夠成為全球IT企業(yè)的服務器和數(shù)據(jù)中心節(jié)能減排的優(yōu)秀解決方案。

三星12納米級工藝技術的開發(fā)基于一種新型高κ材料，這種新型材料有助于提高電池電容。高電容使數(shù)據(jù)信號出現(xiàn)明顯的電位差，從而更易于準確地區(qū)分。同時，三星在降低工作電壓和噪聲方面的成果，也讓此解決方案更加適用于客戶公司的需求。

星電子再次展示了在DRAM領域的領導地位，宣布正式啟動了12納米工藝的16Gb DDR5 DRAM的大規(guī)模生產。這款新一代內存芯片采用差異化的工藝技術，具備出色的性能和電源效率。據(jù)三星電子DRAM產品與技術執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee介紹，通過使用一種新的高K材料，12納米級DDR5 DRAM的開發(fā)取得了重大突破。新工藝使得晶體管柵極材料具備更高的電容，提高了狀態(tài)準確區(qū)分的能力。此外，三星還通過降低工作電壓和減少噪音的努力，為內存芯片提供了優(yōu)化的解決方案。

據(jù)ITBEAR科技資訊了解，這次12納米級DDR5 DRAM的首次使用將主要應用于數(shù)據(jù)中心、人工智能和下一代計算等領域，而PC用戶則需要等待更長的時間。然而，這次生產的16Gb DDR5 DRAM具有諸多優(yōu)勢，包括降低了約23%的功耗和提高了20%的晶圓生產力。此外，新一代內存芯片的最大引腳速度可達7.2Gbps，進一步提升了性能。

此次12納米工藝的推出標志著三星電子在內存領域的技術突破，不過值得注意的是，雖然這些內存IC在功耗、速度和晶圓經濟等方面有所改進，但其容量仍然是16Gb，并沒有在密度路線圖上取得更大的突破。然而，隨著12納米級DDR5 DRAM的大規(guī)模生產，三星電子進一步鞏固了在DRAM市場的領先地位，為數(shù)據(jù)中心和人工智能等領域的應用提供了更高性能和更低功耗的解決方案。

據(jù)韓國“每日經濟新聞”英文版網(wǎng)站Pulse News引述業(yè)界知情人士指出，全球存儲芯片龍頭韓國三星電子計劃改變先前“堅決不減產”的態(tài)度，考慮開始著手減產，業(yè)界高聲歡呼，直言這是“拯救DRAM與NAND Flash市場的最關鍵行動”。

報道稱，由于三星在全球DRAM與NAND Flash芯片市占率均高達45%以上，若三星能進行減產，不僅有利全球存儲市場快速回溫，也能讓自身獲利逐步回升，堪稱一舉多得，尤其時值整體半導體庫存調整尚未結束，三星有龐大的獲利壓力，更需要存儲業(yè)務協(xié)助，因此減產勢在必行。

在此之前，美光在公布2023年3月2日的2023財年第二財季業(yè)績后表示，終端市場的客戶庫存已經減少;排除庫存減少的影響不計，美光認為資產負債表庫存周轉天數(shù)(DIO)已于2023會計年度第二季觸頂、正接近過渡至營收季增階段。美光還預計公司的數(shù)據(jù)中心營收已在2023會計年度第二季觸底、第三季將開始恢復成長，數(shù)據(jù)中心客戶庫存應該會在2023年12月底達到相對健康水準。

隨后SK海力士也表示，存儲芯片市場需求將在2023年下半年復蘇，雖然并不會減產，但是公司的資本支出將削減一半，也就是說今年的產能投資將會更加保守。

顯然，如果此時存儲大廠三星啟動存儲芯片減產，那么將有望可加速存儲市場市況回暖。

不過，市場研究機構TrendForce日前發(fā)布報告示警稱，即便第2季DRAM報價跌幅可望收窄至10%至15%，但整體均價下行周期仍不見終止，意味“價格還沒跌完”。TrendForce認為，除相關廠商發(fā)動更大規(guī)模減產，后續(xù)合約價才有可能反轉向上。

三星計劃于4月7日公布本季財報，并舉行財報說明會。市場密切關注該公司是否會維持之前堅持不人為減產的政策。市場預測，三星的半導體事業(yè)暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)今年營業(yè)損失可能超過10萬億韓元。此前，三星堅持沒有人為減產的計畫，不會直接縮減投入的晶圓，而是尋求芯片產量自然減少。